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公开(公告)号：CN104620386A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380044092.7
申请日：2013-07-05
申请人： 原子能和辅助替代能源委员会 , 特里赛尔公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/14603 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L31/0272 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/3696 , H04N5/3742 , H04N5/376 , H04N5/378
摘要： 本发明涉及数字成像设备领域，尤其是用于X射线医学成像的设备。本发明涉及一种包括通过寻址电路被独立寻址的像素的成像设备，并且涉及一种用于经由光刻来产生这样的成像设备的方法。所述成像设备包括传感器(61)，所述传感器(61)的表面积大于或等于10cm2，并且所述传感器(61)包括：图像区(23)，其被产生在单个衬底(22)上并且包括按行和列布置的一组像素(24)，每列像素的数目针对像素的全部列不是均匀的，每个像素(24)收集由光敏元件生成的电荷；逐行地连接所述像素的行导体；逐列地连接所述像素的列导体；行寻址单元(12)，其被连接到所述行导体以便独立地寻址每行像素；以及列读取单元，其被连接到所述列导体，以便读取由通过所述行寻址单元(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷，所述列读取单元位于所述图像区(23)的周边，所述行寻址单元(12)和所述列读取单元被产生在与所述图像区相同的衬底(22)上。
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公开(公告)号：CN104620386B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380044092.7
申请日：2013-07-05
申请人： 原子能和辅助替代能源委员会 , 特里赛尔公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/14603 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L31/0272 , H01L31/0296 , H01L31/02966 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/3696 , H04N5/3742 , H04N5/376 , H04N5/378
摘要： 本发明涉及数字成像设备领域，尤其是用于X射线医学成像的设备。本发明涉及一种包括通过寻址电路被独立寻址的像素的成像设备，并且涉及一种用于经由光刻来产生这样的成像设备的方法。所述成像设备包括传感器(61)，所述传感器(61)的表面积大于或等于10cm2，并且所述传感器(61)包括：图像区(23)，其被产生在单个衬底(22)上并且包括按行和列布置的一组像素(24)，每列像素的数目针对像素的全部列不是一致的，每个像素(24)收集由光敏元件生成的电荷；逐行地连接所述像素的行导体；逐列地连接所述像素的列导体；行寻址单元(12)，其被连接到所述行导体以便独立地寻址每行像素；以及列读取单元，其被连接到所述列导体，以便读取由通过所述行寻址单元(12)选择的所述行的所述像素(24)收集的电荷，所述列读取单元位于所述图像区(23)的周边，所述行寻址单元(12)和所述列读取单元被产生在与所述图像区相同的衬底(22)上。
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公开(公告)号：CN108701707B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201680082363.1
申请日：2016-12-19
申请人： 原子能和辅助替代能源委员会 , 爱色乐居 , 特里赛尔公司
IPC分类号： H10K39/38 , H10K39/36 , H10K30/60 , H01L27/146
摘要： 矩阵阵列光电装置，包含：基底(S)，在其上沉积底部电极(EI)的矩阵阵列(MEI)；活性结构(STA)，其优选是连续和有机的，设置在所述底部电极矩阵阵列上方，所述结构适合检测光；和至少一个顶部电极(ES)，位于所述活性结构上方，所述顶部电极对活性结构发射或检测的光透明；和至少一个导电元件(C2)，其由基底支撑，不受所述活性结构干涉，且其通过至少一个垂直互连(IV)连接所述顶部电极，所述导电元件的电阻率高于所述顶部电极。所述装置也可包含由闪烁体材料构成的层(SC)，所述层固定于所述顶部电极以形成x射线成像仪。
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公开(公告)号：CN108701707A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082363.1
申请日：2016-12-19
申请人： 原子能和辅助替代能源委员会 , 爱色乐居 , 特里赛尔公司
IPC分类号： H01L27/30 , H01L51/44 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/308 , H01L27/14636 , H01L27/307 , H01L51/441 , H01L51/445 , Y02E10/549
摘要： 矩阵阵列光电装置，包含：基底(S)，在其上沉积底部电极(EI)的矩阵阵列(MEI)；活性结构(STA)，其优选是连续和有机的，设置在所述底部电极矩阵阵列上方，所述结构适合检测光；和至少一个顶部电极(ES)，位于所述活性结构上方，所述顶部电极对活性结构发射或检测的光透明；和至少一个导电元件(C2)，其由基底支撑，不受所述活性结构干涉，且其通过至少一个垂直互连(IV)连接所述顶部电极，所述导电元件的电阻率高于所述顶部电极。所述装置也可包含由闪烁体材料构成的层(SC)，所述层固定于所述顶部电极以形成x射线成像仪。
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公开(公告)号：CN103038666B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180021418.5
申请日：2011-04-26
申请人： 特里赛尔公司 , 原子能和辅助替代能源委员会
IPC分类号： G01T1/24 , H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： G01T1/243 , G01T1/24 , G01T1/247 , H04N5/35563 , H04N5/3745
摘要： 本发明涉及用于成像的电磁辐射检测器。该检测器包括多个像素(10)，每个像素将其所经受的电磁辐射(13)转换成电信号。根据本发明，每个像素(10)均包括均将光敏元件(11，12)所接收到的辐射转换成基本电信号的多个光敏元件(11，12)以及根据为检测器所选择的增益范围来从由光敏元件(11，12)所产生的基本电信号中选择以便形成像素(10)的电输出信号的选择装置(14，15)。
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公开(公告)号：CN103038666A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180021418.5
申请日：2011-04-26
申请人： 特里赛尔公司 , 原子能和辅助替代能源委员会
IPC分类号： G01T1/24 , H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： G01T1/243 , G01T1/24 , G01T1/247 , H04N5/35563 , H04N5/3745
摘要： 本发明涉及用于成像的电磁辐射检测器。该检测器包括多个像素(10)，每个像素将其所经受的电磁辐射(13)转换成电信号。根据本发明，每个像素(10)均包括均将光敏元件(11，12)所接收到的辐射转换成基本电信号的多个光敏元件(11，12)以及根据为检测器所选择的增益范围来从由光敏元件(11，12)所产生的基本电信号中选择以便形成像素(10)的电输出信号的选择装置(14，15)。
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公开(公告)号：CN105745919B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201480061868.0
申请日：2014-11-05
申请人： 特里赛尔公司
IPC分类号： H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 根据本发明，一种图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，包括：传感器(101；111；121；131；201；301；401；501)，其在第一单片基板(12)上制成，包括：像素集(P(i,j))，其在矩阵(13)中以行(Li)和列(Cj)布置，并配置为根据撞击探测器(100；200；300；400)的辐射而生成信号；列导体(Yj)，其每一个链接同一列(Cj)的像素(Pi,j)，并意图传达由所述像素生成的信号；至少一个块形接触件(14，140)，其位于第一基板(12)的外围并在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部，且链接到列导体(Cj)上。在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部在第一基板(12)上，将至少两个列导体(Yj)连接到一起，并且连接到一起的列导体(Yj)朝向至少一个块形接触件(14，140)会聚。
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公开(公告)号：CN101689556B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200880016958.2
申请日：2008-05-22
申请人： 特里赛尔公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14663 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件(1，4)能够感测的辐射，闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件，传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合。该方法在于下述操作是关联的：·传感器(1)通过其第二面(12)被沉积于粘合剂膜(13)上；和·传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。
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公开(公告)号：CN105745919A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480061868.0
申请日：2014-11-05
申请人： 特里赛尔公司
IPC分类号： H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 根据本发明，一种图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，包括：传感器(101；111；121；131；201；301；401；501)，其在第一单片基板(12)上制成，包括：像素集(P(i,j))，其在矩阵(13)中以行(Li)和列(Cj)布置，并配置为根据撞击探测器(100；200；300；400)的辐射而生成信号；列导体(Yj)，其每一个链接同一列(Cj)的像素(Pi,j)，并意图传达由所述像素生成的信号；至少一个块形接触件(14，140)，其位于第一基板(12)的外围并在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部，且链接到列导体(Cj)上。在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部在第一基板(12)上，将至少两个列导体(Yj)连接到一起，并且连接到一起的列导体(Yj)朝向至少一个块形接触件(14，140)会聚。
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公开(公告)号：CN101689556A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880016958.2
申请日：2008-05-22
申请人： 特里赛尔公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14663 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种制造包括光敏传感器组件(1，4)、闪烁器(6)的辐射探测器的方法，闪烁器将辐射转换为光敏传感器组件(1，4)能够感测的辐射，闪烁器(6)通过粘合剂结合固定于传感器组件，传感器组件包括基底(4)和数个附加传感器(1)，每个传感器(1)具有两个面(11，12)，第一面(11)与基底结合且第二面(12)与闪烁器(6)结合。该方法在于下述操作是关联的：传感器(1)通过其第二面(12)被沉积于粘合剂膜(13)上；和传感器(1)通过其第一面(11)与基底(4)结合。
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