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    用于探测辐射信号的传感器设备和成像系统
    3.
    发明公开
    用于探测辐射信号的传感器设备和成像系统 有权

    公开(公告)号：CN106662661A

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201580032422.X

    申请日：2015-11-02

    申请人： 皇家飞利浦有限公司

    发明人： R·斯特德曼布克 ,  A·利夫内

    IPC分类号： G01T1/24

    CPC分类号： A61B6/4241 ,  A61B6/03 ,  A61B6/4208 ,  A61B6/4233 ,  G01T1/24 ,  G01T1/243 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658

    摘要： 本发明涉及一种用于探测辐射信号的传感器设备。为了实现高信号完整性和成本效率，同时维持四面对接的能力，所提出的传感器设备包括：传感器阵列(22)，所述传感器阵列包括多个探测器(11、11a‑d)；传感器元件(14)，其用于将所接收的辐射信号(74、74')转换成多个对应电信号；内插器元件(16、6a‑d)，其在第一侧(28)与第二侧(30)之间侧向地延伸；以及集成电路元件(18、18a‑d)。内插器元件(16、16a‑d)包括面向所述传感器元件(14)的前表面(24)和平行于所述前表面(24)的后表面(26)，其中，在所述前表面(24)上提供前接触布置(36)，以用于将所述电信号引导到被提供在所述后表面(26)上的后接触布置(40)。集成电路元件面向所述后表面(26)，并且电连接到所述后接触布置(40)。

    可能性的所述闪烁体元件位置。在辐射粒子探测器中的闪烁事件位置确定
    4.
    发明公开
    可能性的所述闪烁体元件位置。在辐射粒子探测器中的闪烁事件位置确定 有权

    公开(公告)号：CN106461793A

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201680001631.2

    申请日：2016-03-03

    申请人： 皇家飞利浦有限公司

    发明人： Y·贝尔克 ,  V·舒尔茨

    IPC分类号： G01T1/164

    CPC分类号： G01T1/2985 ,  G01R33/481 ,  G01T1/1603 ,  G01T1/1642 ,  G01T1/1647 ,  G01T1/20 ,  G01T1/243

    摘要： 一种用于确定辐射粒子探测器中的闪烁事件的位置的方法，所述辐射粒子探测器具有多个闪烁体元件位置并且具有多个光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)，所述多个闪烁体元件位置被配置为响应于辐射粒子在所述闪烁体元件位置处被吸收而发射光子的爆发，所述多个光传感器被光学地耦合到所述闪烁体元件位置，所述方法包括以下步骤：针对所述光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)中的每个，确定触发概率，所述触发概率指示所述光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)测量到超过预定触发阈值的光子的数量的概率；利用所述光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)测量光子分布，所述光子分布指示入射在个体光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)上的光子的数量；针对闪烁体元件位置中的每个，基于所测量的光子分布和所述光传感器(5.1、5.2、5.3、5.4)中的每个的所述触发概率来计算具有预定能量值的闪烁事件发生在所述闪烁体元件位置中的可能性；并且识别具有最大

    放射线检测器卡片
    5.
    发明授权
    放射线检测器卡片 有权 转让

    公开(公告)号：CN103026263B

    公开(公告)日：2015-08-19

    申请号：CN201180036162.5

    申请日：2011-07-28

    申请人： 日立阿洛卡医疗株式会社

    发明人： 川内秀贵 ,  须永义则 ,  高桥勲

    IPC分类号： G01T1/24

    CPC分类号： G01T1/24 ,  G01T1/243

    摘要： 本发明的放射线检测器卡片在基板上具备多个半导体元件，其中，所述半导体元件各自具有在一个主表面设置的多个第1电极和在另一个主表面设置的第2电极，所述基板具有与所述多个第1电极的各个电连接的第1电极用布线、和将来自所述多个半导体元件的信号传递到外部的电路的卡片边缘部，所述第2电极与对所述多个半导体元件的各个进行识别的第2电极用标识符相对应，所述多个第1电极与对该多个第1电极的各个进行识别的第1电极用标识符相对应，所述第1电极用布线将在所述多个半导体元件中的一个半导体元件中与一个所述第1电极用标识符相对应的所述第1电极、和在另一个半导体元件中与一个相同的所述第1电极用标识符相对应的所述第1电极进行电连接。

    放射线检测装置
    6.
    发明公开
    放射线检测装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN102985849A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN201180034124.6

    申请日：2011-07-15

    申请人： 日立民用电子株式会社

    发明人： 柳主鉉 ,  山田直之 ,  井上慎一 ,  蛭田昭浩 ,  大久保千寻

    IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L31/09

    CPC分类号： H01L31/02016 ,  G01T1/243 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/115

    摘要： 本发明提供一种在稠密地配置放射线检测器的情况下也能够减小不灵敏区域的放射线检测装置。放射线检测装置将夹着基板（20）的半导体元件（10）之间的距离设为XG1、将从一个放射线检测器（1）的半导体元件（10）到与该半导体元件（10）相对置且与一个放射线检测器（1）相邻接的其它的放射线检测器（1）的半导体元件（10）为止的距离设为XG2，将排列在Y方向的半导体元件（10）之间的距离设为YG1，将半导体元件间距（110）的横间距设为a、纵间距设为b、半导体元件（10）的放射线入射的面的宽度设为c、长度设为d、位于半导体元件（10）的两端部的元件内像素区域（10a）的长度设为e、被位于多个半导体元件（10）的两端部的元件内像素区域（10a）夹住的多个元件内像素区域（10a）的长度设为f的情况下，满足如下关系：c=a-(XG1+XG2)/2、d=b-YG1=2e+(n-2)f、e=b/n-YG1/2、f＝b/n。

    检测装置和放射线检测系统
    7.
    发明公开
    检测装置和放射线检测系统 失效

    公开(公告)号：CN102565843A

    公开(公告)日：2012-07-11

    申请号：CN201110296066.6

    申请日：2011-09-28

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 川锅润 ,  望月千织 ,  渡边实 ,  石井孝昌 ,  藤吉健太郎 ,  和山弘

    IPC分类号： G01T1/24 ,  A61B6/00

    CPC分类号： G01T1/243

    摘要： 本申请涉及检测装置和放射线检测系统。层叠型检测装置包含沿行方向和列方向以小的间隔布置的多个像素，并且具有允许高速驱动操作的小的信号线电容。各像素包含被配置为将放射线或光转换成电荷的转换元件和被设置在绝缘基板上的开关元件。驱动线被设置在绝缘基板上并与沿行方向布置的开关元件连接；并且，信号线与沿列方向布置的开关元件连接。各转换元件被设置在相应的开关元件之上。通过使用被嵌入位于驱动线的最上表面部分之下的绝缘层中的导电层来实现驱动线，该驱动线的最上表面部分位于开关元件的主电极的最上表面部分之下，该开关元件的主电极的最上表面部分位于转换元件之下。

    一种用于扫描成像的辐射成像系统以及方法
    8.
    发明授权
    一种用于扫描成像的辐射成像系统以及方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1273843C

    公开(公告)日：2006-09-06

    申请号：CN01822810.0

    申请日：2001-12-20

    申请人： 金色力量有限公司

    发明人： K·E·斯帕蒂奥蒂斯 ,  M·埃拉罗托

    IPC分类号： G01T1/24 ,  G01T1/29 ,  A61B6/14

    CPC分类号： A61B6/4233 ,  A61B6/14 ,  A61B6/4021 ,  G01T1/243 ,  G01T1/247 ,  G01T1/2928 ,  G01T1/2985

    摘要： 一种用于高能辐射直接转换扫描成像的成像系统，包括围绕对象位置安排的一个高能辐射源以及一个半导体高能辐射直接转换成像装置。该成像装置包括有多个成像单元，每个成像单元都包括一个检测器单元和一个读出单元，用于生成表示入射到所述检测器单元的高能辐射的成像单元输出值。为了对对象位置的对象进行扫描，将源部分和/或成像装置被设置为彼此之间相互连续移动。该读出单元可操作用来在各时间间隔读出所述成像单元的输出值，该时间间隔相当于一个对象图像点在扫描的方向上穿过一个检测器区域或单元的一半。这种结构在扫描期间提供了像素级的分辨率。