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公开(公告)号：CN101015044A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580025518.X
申请日：2005-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下、碳原子数为4～6的含氟化合物(其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化合物除外)构成的干式蚀刻气体；由选自稀有气体、O2、O3、CO、CO2、CHF3、CH2F2、CF4、C2F6及C3F8的至少1种气体和上述干式蚀刻气体构成的混合干式蚀刻气体；将上述干式蚀刻气体等离子体化加工半导体材料的干式蚀刻方法等。根据本发明，提供能够安全地使用、对地球环境的影响小、能够对半导体材料高选择性且以高干式蚀刻速率实现图案形状良好的干式蚀刻的干式蚀刻气体、及使用该干式蚀刻气体的干式蚀刻方法等。
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公开(公告)号：CN100359644C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN03816972.X
申请日：2003-07-16
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32136 , C07C17/25 , C07C17/2637 , C07C21/18 , C07C21/22 , H01L21/31116
Abstract: 一种干式蚀刻方法，包括：对抗蚀剂膜照射波长195nm以下的放射线，形成最小线宽200nm以下的抗蚀剂图案，接着，使用全氟-2-戊炔或者1，1，1，2，4，4，5，5，5-九氟-2-戊烯、1，1，1，3，4，4，5，5，5-九氟-2-戊烯和全氟-2-戊烯中的至少1种氟代戊烯作为蚀刻气体，干式蚀刻该抗蚀剂图案。
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![2－氧杂二环[3.3.0]辛烷化合物,其制备方法,旋光拆分试剂,分离非对映体混合物的方法,以及旋光拆分醇的方法](/CN/2003/8/3/images/03819992.jpg)
公开(公告)号：CN1678602A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819992.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: C07D307/935 , C07C29/74 , C07C31/125 , C07B57/00 , C07M7/00
CPC classification number: C07D307/935 , C07B2200/07 , Y02P20/582
Abstract: 由下述式(1)代表的2－氧杂二环[3.3.0]辛烷化合物(化合物(1))；一种含有至少一种化合物(1)的旋光拆分试剂；制备化合物(1)的方法，其包括使式(2)或式(3)的化合物与醇(5)在酸催化剂存在下反应；分离式(1)的非对映体混合物的方法；用该旋光拆分试剂旋光拆分醇的方法。(2)+(5)→(1) (3)[上面式中，R1－R10各自代表氢等；R11代表烷基等；R12代表烃基等；R13代表烃基等；和A代表乙酰基等]。
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公开(公告)号：CN1613143A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826800.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C07C21/22 , C07C17/25 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 含有碳原子数5或6的链状全氟炔烃、优选全氟－2－戊炔的等离子体反应用气体。该等离子体反应用气体适用于通过干式蚀刻形成微细图案、通过CVD形成薄膜和灰化。上述等离子体反应用气体可通过使二氢氟烷烃化合物或一氢氟烯烃化合物与碱性化合物接触合成。
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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN100400531C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN03819992.0
申请日：2003-08-22
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: C07D307/935 , C07C29/74 , C07C31/125 , C07B57/00
CPC classification number: C07D307/935 , C07B2200/07 , Y02P20/582
Abstract: 由下述式(1)代表的2-氧杂二环[3.3.0]辛烷化合物(化合物(1))；一种含有至少一种化合物(1)的旋光拆分试剂；制备化合物(1)的方法，其包括使式(2)或式(3)的化合物与醇(5)在酸催化剂存在下反应；分离式(1)的非对映体混合物的方法；用该旋光拆分试剂旋光拆分醇的方法。(2)+(5)→(1)(3)[上面式中，R1-R10各自代表氢等；R11代表烷基等；R12代表烃基等；R13代表烃基等；和A代表乙酰基等]。
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公开(公告)号：CN1669129A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816972.X
申请日：2003-07-16
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32136 , C07C17/25 , C07C17/2637 , C07C21/18 , C07C21/22 , H01L21/31116
Abstract: 一种干式蚀刻方法，包括：对抗蚀剂膜照射波长195nm以下的放射线，形成最小线宽200nm以下的抗蚀剂图案，接着，使用具有至少1个不饱和键的碳原子数4～6的氟类化合物作为蚀刻气体，干式蚀刻该抗蚀剂图案。作为该氟类化合物，优选使用全氟－2－戊炔、全氟－2－丁炔、九氟－2－戊烯、九氟－2－戊烯和全氟－2－戊烯。全氟－2－戊炔可以通过使1，1，1－三卤－2，2，2－三氟乙烷与五氟丙醛反应，生成2－卤－1，1，1，4，4，5，5，5－八氟－2－戊烯，接着，使该2－戊烯脱卤化氢进行合成。
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公开(公告)号：CN1127462C
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN98813747.X
申请日：1998-12-25
Applicant: 日本瑞翁株式会社
CPC classification number: C07C23/08 , C07C17/00 , C07C17/208 , C07C17/23
Abstract: 通过在贵金属催化剂的存在下，在液相或汽相中氢化具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物制备各具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物。具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的所述化合物优选为C4-C10脂环化合物，并可通过使具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物与氟化剂反应来制备。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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