公开(公告)号：CN104221154A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380016026.9

申请日：2013-03-18

申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 下田达也 ,  井上聪 ,  潘仲慧 ,  宫迫毅明 ,  李金望

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。