用于封装后DRAM修复的耐熔熔丝电路

    公开(公告)号:CN1209817C

    公开(公告)日:2005-07-06

    申请号:CN00104867.8

    申请日:2000-01-11

    IPC分类号: H01L27/04 G11C7/00

    CPC分类号: G11C29/781 G11C17/18

    摘要: 耐熔熔丝电路包括三个子模块:具有控制信号和地址输入的多路转移器;由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器;以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝,由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器,并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中,在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时,来自编程电压发生器的程序地址和编程电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。