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公开(公告)号：CN108701487A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680079361.7
申请日：2016-12-22
申请人： 超极存储器股份有限公司
CPC分类号： G11C5/14 , G11C5/00 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/407 , G11C29/006 , G11C29/04 , G11C29/4401 , G11C29/781 , G11C29/785 , G11C29/814 , G11C2029/0403 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2029/1208 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够实现制造成品率的提高的堆叠型半导体装置，此外，提供该堆叠型半导体装置的制造方法。本发明为由多个半导体芯片、备用半导体芯片、控制芯片堆叠而成的堆叠型半导体装置，所述备用半导体芯片用于作为所述半导体芯片的备品来使用，所述控制芯片对所述多个半导体芯片的工作状态和所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。在这种结构中，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片包含非接触通信部和工作开关，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片能够通过所述非接触通信部与其它所述半导体芯片进行非接触式通信，所述控制芯片通过切换所述半导体芯片的所述工作开关来对所述半导体芯片的工作状态进行控制，通过切换所述备用半导体芯片的所述工作开关来对所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。
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公开(公告)号：CN102163465A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110041553.8
申请日：2011-02-21
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 金杜坤
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G11C29/781 , G11C29/765 , G11C29/80 , G11C29/82 , G11C29/846 , G11C2229/723 , H01L27/11582
摘要： 公开了非易失性存储器件和存储系统。非易失性存储器件包括：主存储单元阵列、冗余存储单元阵列和控制器。主存储单元阵列包括多个位线，每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串。冗余存储单元阵列包括多个冗余位线，每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串。控制器被配置为控制冗余位线之一，以修复主存储单元阵列中的串。
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公开(公告)号：CN101290806A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810085731.5
申请日：2008-03-13
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G11C29/808 , G11C29/781 , G11C2029/4402
摘要： 一种半导体存储器件，该半导体存储器件可减小行修复所必需的电路面积。该半导体存储器件包括：多个存储体；布置在每个存储体中的多个单元阵列；布置在每个单元阵列中的多个阵列字线；布置在每个单元阵列中的一条或多条修复字线；及多个修复信息存储器，所述修复信息存储器被配置为存储将被所述修复字线替换的所述阵列字线的存储体信息和行地址。
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公开(公告)号：CN1266285A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN00104867.8
申请日：2000-01-11
申请人： 现代电子产业株式会社
IPC分类号： H01L23/58 , H01L27/108 , G11C16/00 , G11C11/34
CPC分类号： G11C29/781 , G11C17/18
摘要： 耐熔熔丝电路包括三个子模块:具有控制信号和地址输入的多路转移器;由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器;以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝,由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器,并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中,在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时,来自编程电压发生器的程序地址和编码电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。
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公开(公告)号：CN1200544A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN98101892.0
申请日：1998-05-26
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 高井康浩
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C29/781 , G11C29/808
摘要： 本发明公开了一种提高了备用存储单元阵列的替换效率的半导体存储器件。备用行地址判定电路为不同的存储体输出备用行选择信号,在为用一个备用存储单元阵列来替换某个存储体的字线使故障存储单元的行地址已经被编入程序时,备用行选择信号不会被输出给其它存储体。
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公开(公告)号：CN106462519B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201580022247.6
申请日：2015-04-14
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H01R12/7076 , G06F11/008 , G06F11/07 , G06F11/2094 , G06F13/1668 , G06F13/409 , G11C5/04 , G11C29/781 , G11C29/832
摘要： 一种增强型双列直插式存储器模块(DIMM)连接器包括内部导电路径，该内部导电路径提供对到工业标准DIMM的标准导电路径上的信令的访问。该内部导电路径通过连接器与标准导电路径串联或并联耦合。插入式电路系统(诸如控制电路系统和或补充存储器电路系统)可被纳入连接器上或连接器内。插入式电路系统可包括场效应晶体管(FET)开关电路系统，其被配置成选择性地将DIMM上有缺陷的动态随机存储器(DRAM)与到存储器控制器的导电路径解耦并将替换DRAM耦合到它的位置中的导电路径。
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公开(公告)号：CN1209817C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN00104867.8
申请日：2000-01-11
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： G11C29/781 , G11C17/18
摘要： 耐熔熔丝电路包括三个子模块：具有控制信号和地址输入的多路转移器；由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器；以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝，由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器，并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中，在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时，来自编程电压发生器的程序地址和编程电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。
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公开(公告)号：CN1319847A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN00137372.2
申请日：2000-11-22
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
发明人： P·佩赫米勒
CPC分类号： G11C29/781
摘要： 集成式存储器,包括参考字线(WLREF,/WLREF)、字线(WLi)和冗余字线(RWL1,RWL2)。该存储器包括一个可编程的激活单元(AKT),与其编程状态相关的是,冗余字线(RWL1,RWL2)和与其相连的冗余存储单元(RC)是否在存储器工作期间代替所述字线(WLi)之一以及与其相连的存储单元(MC),或者代替参考字线(WLREF,/WLREF)以及与其相连的参考单元(CREF)。
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公开(公告)号：CN1217548A
公开(公告)日：1999-05-26
申请号：CN98124736.9
申请日：1998-11-12
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 杉林直彦
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C29/781
摘要： 一种半导体存储器件,将故障地址转换为非故障地址,以便保证对非故障地址区进行连续存取。存储单元阵列包括多个存储单元区。地址译码器选择存储单元区之一。地址转换电路把故障区地址转换为非故障区地址,并将转换区的地址提供给地址译码器。由此可实现对非故障区的连续存取。
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公开(公告)号：CN107871528A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710244029.8
申请日：2017-04-14
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G11C17/18 , G11C7/20 , G11C17/16 , G11C29/027 , G11C29/12 , G11C29/24 , G11C29/781 , G11C29/785 , G11C29/835
摘要： 可以提供一种启动控制电路。启动控制电路可以包括熔丝阵列，该熔丝阵列包括一个或更多个正常熔丝和一个或更多个虚设熔丝。启动控制电路可以包括：熔丝阵列控制器，其被配置为根据通过测试启动操作从一个或更多个虚设熔丝输出的测试熔丝数据与预期数据之间的比较结果来判断是否开始针对一个或更多个正常熔丝的正常启动操作。
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