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公开(公告)号：CN116243506A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211619439.3
申请日：2022-12-15
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种基于二维拓扑光子晶体的电光调制器芯片，包括波导层、二维拓扑光子晶体模块和两个电极，二维拓扑光子晶体模块与波导层直接连接，第一光子晶体模块与第二光子晶体模块相邻排列并形成第一物理边界，第一物理边界为用于光传输的拓扑波导，第三光子晶体模块位于第二光子晶体模块内并靠近于第一光子晶体模块，第三光子晶体模块和第一光子晶体模块之间的第二物理边界构成谐振腔，第一电极和第二电极沿第二物理边界的内外延伸。通过拓扑光子晶体谐振腔可以获得较高的品质因数，可实现高性能电光调制，且拓扑光子晶体谐振腔继承了普通光子晶体调制器的优点，芯片结构尺寸小，也可进一步与更多拓扑波导连接以满足未来高度集成的要求。
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公开(公告)号：CN116133501A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211656714.9
申请日：2022-12-22
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
IPC分类号： H10N15/10
摘要： 本公开实施例提供的一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法，包括：在清洗后的铌酸锂晶圆的第一表面上形成覆盖所述第一表面的第一导电层；在所述铌酸锂晶圆的第二表面上形成覆盖所述第二表面的第二导电层，所述第二表面和所述第一表面为所述铌酸锂晶圆上相对设置的两表面；使所述第一导电层和所述第二导电层连通。本公开方法通过使铌酸锂晶圆的等效正负极短路，以中和温度变化过程中在铌酸锂晶圆表面产生的电荷，使得产生的电荷不会累积，从而有效避免铌酸锂晶圆在光刻过程的光刻胶烘烤环节产生炸胶的情况，保证光刻效果。
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公开(公告)号：CN114839730B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210455194.9
申请日：2022-04-26
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光芯片的出射模场测量装置及其测量方法，包括待测光芯片、放大透镜组件和平面探测器，待测光芯片设置有至少两个光波导，至少两个光波导的出射端位于同一侧上并呈预设间距相间隔，至少两个光波导的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器。以芯片波导间距进行定标，根据等比例关系可计算得出出射端处的出射光斑的尺寸，既克服了计算透镜组放大倍率难的问题，也避免了选择其它定标物带来的麻烦，从而简易且精确地测量得出光芯片出射模场。
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公开(公告)号：CN114838819A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210455192.X
申请日：2022-04-26
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光芯片的出射光斑测量装置及其测量方法，包括标准光芯片、放大透镜组件和平面探测器，标准光芯片设置有两个第一光波导，两个第一光波导的第一出射端位于标准光芯片的第一出射端面上，两个第一出射端之间呈预设间距相间隔，两个第一出射端的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器；标准光芯片的一侧设置有待测光芯片，待测光芯片的第二出射端面与标准光芯片的第一出射端面位于同一物平面上。根据成像面上的尺度和物平面上的尺度存在的等比例关系，以标准光芯片两个出射波导间距进行定标，通过第二成像光斑的尺寸可计算得出待测光芯片出射端处的出射光斑尺寸，由此，可简易且精确地测量得出待测光芯片出射光斑尺寸。
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公开(公告)号：CN113485034A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110823704.9
申请日：2021-07-20
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光纤光栅的调谐装置，包括壳体、啁啾光纤光栅、导热板、至少五个温控组件和主控电路板，壳体在光路方向相对的两端贯穿设置有穿孔，导热板设置在腔室内，导热板沿光路方向设置有放置槽，啁啾光纤光栅沿光路方向地布置并设置在放置槽内，啁啾光纤光栅穿出穿孔；温控组件的数量为奇数，温控组件与导热板连接并沿导热板均匀分布；温控组件包括温度传感器和半导体制冷片，导热板在相对于放置槽的背侧具有底面，半导体制冷片与底面邻接，温度传感器靠近于半导体制冷片并与导热板邻接；温度传感器和半导体制冷片与主控电路板连接。管理光纤光栅不同位置的温度，实现更为精准的温度调控，以获取更为精确的色散调谐。
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公开(公告)号：CN114858054B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210455193.4
申请日：2022-04-26
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光芯片的出射位置测定装置及其测定方法，包括两个待测光芯片、放大透镜组件和平面探测器，每个待测光芯片设置有至少两个光波导，同一个待测光芯片上的光波导的出射端位于同一侧上并呈预设间距相间隔，两个待测光芯片的波导面贴合，每个待测光芯片的至少两个光波导的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器。以芯片波导间距进行定标，既克服了计算透镜组放大倍率难的问题，也避免了选择其它定标物带来的麻烦，通过将两片相同工艺制作的芯片贴在一起，利用上下芯片出射端的距离，可以有效计算出光斑相对于芯片表面的距离。
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公开(公告)号：CN116240637A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211659961.4
申请日：2022-12-23
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于制作铌酸锂光波导的质子交换装置，包括炉体、加热管、夹具和机械手，加热管设置在炉体内部，夹具用于固定晶圆，机械手连接夹具，加热管包括外层套管和管身，外层套管设置在管身的外部，并且管身的内部腔体与外层套管的腔体分隔开，夹具可活动地设置在所述管身的内部腔体中，外层套管的腔体内盛放质子交换物质，外层套管的腔体与管身的内部腔体之间还设置有液体转移机构，用于将熔化的所述质子交换物质转移至所述管身的内部腔体内。本发明解决了现有质子交换装置的一致性差、可生产性差或能耗高的问题。
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公开(公告)号：CN114858054A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210455193.4
申请日：2022-04-26
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种光芯片的出射位置测定装置及其测定方法，包括两个待测光芯片、放大透镜组件和平面探测器，每个待测光芯片设置有至少两个光波导，同一个待测光芯片上的光波导的出射端位于同一侧上并呈预设间距相间隔，两个待测光芯片的波导面贴合，每个待测光芯片的至少两个光波导的出射光经过放大透镜组件的成像放大后入射至平面探测器。以芯片波导间距进行定标，既克服了计算透镜组放大倍率难的问题，也避免了选择其它定标物带来的麻烦，通过将两片相同工艺制作的芯片贴在一起，利用上下芯片出射端的距离，可以有效计算出光斑相对于芯片表面的距离。
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公开(公告)号：CN112670183A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011466815.0
申请日：2020-12-14
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/477 , H01L21/463
摘要： 本发明提供一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆。修复方法包括对键合剥离后的原料铌酸锂晶圆加热退火；对所述原料铌酸锂晶圆的剥离面进行抛光处理，抛光深度等于或大于离子注入深度蔓延范围的一半。该修复方法能够对键合剥离后的铌酸锂晶圆进行修复，从而使得废弃的铌酸锂晶圆得到再次利用，避免浪费。
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公开(公告)号：CN116256904A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211730794.8
申请日：2022-12-30
申请人： 珠海光库科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种薄膜铌酸锂相位调制器，包括射频调制电极、直流偏置电极以及光波导，直流偏置电极包括第一电极与第二电极；第一电极呈包括一条长边和两条宽边的不封闭矩形，不封闭矩形还包括多组对称第一梳齿电极，每组第一梳齿电极中的两个第一梳齿电极分别与两条宽边连接；第二电极呈轴对称梳齿状，包括多组第二梳齿电极，第二梳齿电极的组数与第一梳齿电极的组数相同；第一电极中的每组第一梳齿电极与第二电极中的每组第二梳齿电极相互交叉排布，第一电极中的任一组第一梳齿电极与第二电极中对应位置的一组第二梳齿电极组成一组梳齿组；光波导的绕线通过位置包括每组梳齿组中的第一梳齿电极与第二梳齿电极之间。
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