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公开(公告)号：CN117260530A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310707941.8
申请日：2023-06-14
申请人： 株式会社迪思科
发明人： 藤井祐介
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B41/047 , H01L21/304 , H01L21/04 , H01L21/463 , H01L21/02
摘要： 本发明提供被加工物的磨削方法，在TAIKO工艺中对硬质晶片等进行多级磨削时抑制磨削后半段容易产生的不良情况。被加工物具有电阻率为0.1Ω·cm以下的硅单晶基板、化合物半导体单晶基板、单晶蓝宝石基板或复合氧化物单晶基板，该磨削方法具有：第1磨削步骤，使用沿着圆环状的第1基台的周向呈环状配置有多个第1磨削磨具的第1磨削磨轮在被加工物上形成环状加强部、在径向上位于环状加强部的内侧的薄的第1薄板部以及在径向上位于第1薄板部的内侧的第2薄板部；第2磨削步骤，使用沿着圆环状的第2基台的周向呈环状配置有分别包含具有比第1磨削磨具的磨粒的平均粒径小的平均粒径的磨粒的多个第2磨削磨具的第2磨削磨轮，磨削第1薄板部和第2薄板部。
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公开(公告)号：CN111627979B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010123262.2
申请日：2020-02-27
申请人： 株式会社电装 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/463 , H01L21/34
摘要： 本发明提供一种能够使具有氧化镓基板的半导体装置中的晶体缺陷难以干涉二极管界面且半导体装置小型化的技术。本发明提供一种半导体装置，其具有氧化镓基板和电极。所述氧化镓基板具有由(100)晶面构成的第一侧面、由(100)晶面之外的面构成的第二侧面、以及上表面。所述电极与所述上表面接触。所述氧化镓基板具有由pn界面或肖特基界面构成的二极管界面、以及经由所述二极管界面与所述电极连接的n型漂移区。所述第一侧面与所述二极管界面之间的最短距离比所述第二侧面与所述二极管界面之间的最短距离短。
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公开(公告)号：CN108475626B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201680061007.1
申请日：2016-10-10
申请人： 克罗米斯有限公司
发明人： 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 , 杰姆·巴斯切里
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/46 , H01L21/461 , H01L21/463 , H01L21/465
摘要： 一种处理工程化衬底结构的方法，包括提供工程化衬底结构，所述工程化衬底结构包括多晶衬底和封装所述多晶衬底的工程化层，形成耦合到所述工程化层的牺牲层，将固态器件结构连接到牺牲层，通过移除所述固态器件结构的一个或多个部分形成固态器件结构中的一个或多个沟道以暴露所述牺牲层的一个或多个部分，使蚀刻化学品流过所述一个或多个沟道到达所述牺牲层的所述一个或多个暴露部分，并且通过所述蚀刻化学品与所述牺牲层之间的相互作用使所述牺牲层溶解，从而将所述工程化衬底结构从所述固态器件结构分离。
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公开(公告)号：CN106505012B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201610795577.5
申请日：2016-08-31
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/463
摘要： 提供磨削磨轮以及被加工物的磨削方法，能够将被加工物磨削得更为平坦。该磨削磨轮(1)用于对板状的被加工物(11)进行磨削，其具有：圆盘状的磨轮基台(3)，其具有磨削时与被加工物相对的第1面(3a)；以及多个磨削磨具(5)，它们呈环状地排列在磨轮基台的第1面上，在磨轮基台的周向上相邻的两个磨削磨具在磨轮基台的径向上配置在不同的位置上。
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公开(公告)号：CN108899274A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810614526.7
申请日：2018-06-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/463 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面探测器的减薄方法及探测器，所述减薄方法，包括：采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。根据本发明提出的减薄方法，逐渐减小红外焦平面探测器的芯片和硅电路相互拉伸的作用力，有效解决了现有技术中对红外焦平面探测器进行背面减薄时经常裂片的问题，适用于超大尺寸红外焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN104081501A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006888.3
申请日：2013-01-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/463 , H01L21/461
摘要： 本发明提供了化学机械抛光组合物。所述组合物包含(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物；(B)蛋白质；和(C)水性介质。
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公开(公告)号：CN102640275A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080053661.0
申请日：2010-11-25
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： H01L21/463 , C09G1/02
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要： 一种通过CMP从衬底去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法，包括：(1)提供CMP试剂，其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现：-与其开始时相同的SER和比其开始时更低的MRR，-比初始SER更低的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR，或-比其开始时更低的SER和更低的MRR；(2)使所述本体材料层的表面与所述CMP试剂接触；(3)用所述CMP试剂对所述本体材料层进行CMP；(4)继续CMP直至从暴露表面去除所有材料残留物；以及一种CMP试剂及其在电和光学器件制造中的用途。
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公开(公告)号：CN1750239B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510078963.4
申请日：2005-06-21
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 拉加塞克哈尔·维尼加拉 , 詹姆斯·W·汉纳 , 蒂莫西·M·麦考马克 , 小罗伯特·M·莫克林
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/304 , H01L21/4757 , H01L21/463 , C09G1/02
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
摘要： 通过添加氧化硅到氧化铈基CMP浆料，抛光过程比没有氧化硅时开始得更快，因此消除了抛光过程的停滞时间，并消除在停滞时间内因操作条件改变引起的过程不稳定性。一种用于执行衬底上图案化的氧化物(例如，STI、PMD、ILD)的化学机械抛光(CMP)的浆料，包括：具有1.0-5.0wt％浓度的氧化铈颗粒和具有0.1-5.0wt％浓度的氧化硅颗粒。氧化铈浓度与氧化硅浓度之比(氧化铈∶氧化硅)按重量从大约10∶1到接近1∶1。氧化铈颗粒具有150-250nm的颗粒尺寸，氧化硅颗粒具有＞100nm的颗粒尺寸。氧化硅可以是焙烧的(fumed)或者胶体的。浆料具有大约9.0的pH值。
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公开(公告)号：CN101515549A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910118608.3
申请日：2005-01-03
申请人： 微制造公司
IPC分类号： H01L21/4763 , H01L21/288 , H01L21/304 , H01L21/463 , C25D5/02 , B24B53/00
摘要： 本发明的一些实施例提供了用于电化学制造多层结构(98)(例如中尺寸或微尺寸结构)的工艺和装置，对于在电化学制造工艺期间平坦化的材料(如层)具有改进的终点检测和平行度保持。一些方法包括在平坦化期间使用固定设备，其确保了材料的平坦化平面在给定的容差之内平行于其它层。一些方法包括使用终点检测固定设备(292、294、296、298)，其确保了沉积材料相对于衬底(82)的初始表面、相对于第一沉积的层或相对于在制造工艺期间形成的其它层的精确高度。在一些实施例中，可通过精研进行平坦化，而其它实施例可使用金刚石飞刀切削机器(408)。
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公开(公告)号：CN101267920A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200580023276.0
申请日：2005-06-03
申请人： 欧文斯科技公司
发明人： G·欧文斯
IPC分类号： B26F3/00 , H01L21/304 , H01L21/463
摘要： 提供了一种用于劈割脆性材料棒料的切片的装置。该装置包括适于将棒料的切片部分固持在劈割位置的支撑件；刀片；和致动器，该致动器与刀片连接用于驱动刀片至少部分通过棒料以生成棒料的被劈割部分；以及用于在劈割期间接合棒料端部的随动器。还提供了劈割脆性材料棒料的切片的方法。该方法包括，在棒料中引发裂隙和驱动刀片穿过棒料以便从棒料的端部移除脆性材料的一部分。在一个实施例中，刀片以受控速度驱动穿过棒料。
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