公开(公告)号：CN108282152B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810175891.2

申请日：2013-03-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F1/32 ,  H03F1/34 ,  H03F3/193 ,  H03F3/26

摘要： 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地‑阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN101894863B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010178281.1

申请日：2010-05-11

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功 ,  麻埜和则 ,  石仓幸治

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/195 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/56 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。

公开(公告)号：CN101510760B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200910003472.1

申请日：2009-01-15

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F3/60 ,  H03F1/07

CPC分类号： H03F3/602 ,  H03F1/0222 ,  H03F1/0288 ,  H03F3/191 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/192 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/99

摘要： 本发明提供一种能够在放大工作电平同时实现高效率特性和高峰值特性的功率放大器。具有被偏置为AB类的主放大器(3)和被偏置为C类的峰值放大器(8)，在峰值放大器(8)的输出侧连接有基波频率的1/4波长线路(9)，合成所述主放大器和所述峰值放大器的输出，作为所述主放大器(3)的漏偏压电路，具有根据调制波输入信号的包络线对漏偏压进行调制的包络放大器(5)及包络检波电路(4)。

公开(公告)号：CN101894863A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010178281.1

申请日：2010-05-11

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功 ,  麻埜和则 ,  石仓幸治

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/195 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/56 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。

公开(公告)号：CN103312277A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310084706.6

申请日：2013-03-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN108282152A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810175891.2

申请日：2013-03-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F1/32 ,  H03F1/34 ,  H03F3/193 ,  H03F3/26

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN103312277B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201310084706.6

申请日：2013-03-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

摘要： 本发明提供一种高频放大器，其在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地‑阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。

公开(公告)号：CN203243283U

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201320117687.8

申请日：2013-03-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 竹中功

IPC分类号： H03F3/189

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/226 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/342 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F3/265 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/147 ,  H03F2200/451

摘要： 本实用新型提供高频放大器、半导体器件及具有该半导体器件的系统，高频放大器在宽频带范围内在确保工作稳定性的同时得到低失真特性。该高频放大器包括：第1晶体管(Tr1)，其源极接地；第2晶体管(Tr2)，其与第1晶体管构成栅地-阴地放大器电路；串联电路，其连接于第2晶体管栅极和接地之间，且第1电阻元件(R1)及串联共振电路(相当于L1、C1)串联连接；以及第2电阻元件(R2)，其与串联电路并联连接。