公开(公告)号：CN106158800B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610526261.6

申请日：2011-12-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 玉城朋宏 ,  中泽芳人

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7816 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/29099

摘要： 本发明涉及半导体器件。在功率MOSFET等的超结结构中，主体单元部分的浓度相对较高，所以针对使用现有技术的外围端接结构或降低表面场结构的外围部分难以确保击穿电压等于或高于单元部分的击穿电压。具体而言，问题出现在于，在芯片的外围拐角部分中，由于电场集中导致击穿电压的变化对于超结结构中的电荷失衡变得敏感。在本发明中，在诸如在有源单元区域和芯片外围区域中的每个区域中具有超结结构的功率MOSFET之类的半导体功率器件中，与第一导电类型的漂移区域的表面的第二导电类型的主结耦合并具有比主结浓度更低浓度的、第二导电类型的表面降低表面场区域的外端位于主结的外端与芯片外围区域中的超结结构的外端之间的中间区域中。

公开(公告)号：CN106206733B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201510445623.4

申请日：2015-07-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小林研也

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供半导体装置。根据本发明的一实施方式，半导体装置具备：第1半导体区；第2半导体区；第3半导体区；第1电极，与第1半导体区电连接；第2电极，与第3半导体区电连接；第3电极，在相对于从第1电极朝向第2电极的第1方向交叉的第2方向上延伸；第4电极，相对于第3电极设于第1电极一侧，并在第2方向上延伸；和第1绝缘膜，设于第3电极与第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区之间，以及第4电极与第1半导体区之间，在第4电极与第1半导体区之间具有第1绝缘区和第2绝缘区，第1绝缘区的第4电极与第1半导体区之间的宽度与第2绝缘区的第4电极与第1半导体区之间的宽度不同，第1绝缘区和第2绝缘区在第2方向上排列。

公开(公告)号：CN106449634B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610845693.3

申请日：2016-09-23

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 殷登平 ,  王世军 ,  姚飞

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/02697 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/402 ,  H01L29/861 ,  H02H9/04

摘要： 本发明提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，在现有的瞬态电压抑制器的基础上额外的添加栅叠层，并利用扩散隔离区复用为导电通道，使得所述栅叠层、第一掺杂区、导电通道、第二半导体层构成一个与所述瞬态电压抑制器的齐纳或雪崩二极管并联的MOS管，以实现在I/O端的电流较大时，所述MOS管导通，从而为所述齐纳或雪崩二极管分担部分I/O端的电流，以避免所述齐纳或雪崩二极管因为承受过高的电流而损坏，提高了所述瞬态电压抑制的鲁棒性能，且不会引起制造成本的明显增加。

公开(公告)号：CN109148572A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810737634.3

申请日：2018-07-02

申请人： 四川大学

发明人： 黄铭敏 ,  刘丰豪 ,  李睿

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/08 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供了一种反向阻断型场截止绝缘栅双极型晶体管（Reverse Blocking Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor，RB FS‑IGBT）器件，其漂移区顶部有载流子存储区和连接栅极的槽型栅极结构，底部有场截止区和连接集电极的槽型栅极结构。在正向阻断态下，连接栅极的槽型栅极结构屏蔽了载流子存储区的高电场，场截止区截止了漂移区底部的电场；在反向阻断态下，连接集电极的槽型栅极结构屏蔽了截止区的高电场，载流子存储区截止了漂移区顶部的电场。

公开(公告)号：CN108461546A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710700472.1

申请日：2017-08-16

申请人： 株式会社东芝

发明人： 新田峻介 ,  松冈长 ,  加藤俊亮 ,  新井雅俊 ,  小泽慎也 ,  田中文悟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53261 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明一般涉及半导体装置。目的在于提供耐压更高的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具备半导体层、第一电极以及第一绝缘膜。所述第一电极设置在所述半导体层内，在第一方向上延伸。所述第一绝缘膜设置在所述半导体层与所述第一电极之间，从所述第一电极朝向所述半导体层的方向上的厚度随着向所述第一方向而阶段性地变厚。所述第一绝缘膜具有相互不同的3个以上的厚度。

公开(公告)号：CN105743477B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201610079943.7

申请日：2013-07-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 弗朗茨·赫尔莱尔 ,  安德烈亚斯·迈塞尔 ,  斯特芬·蒂伦

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K19/0185 ,  H01L23/48 ,  H01L29/423 ,  H01L27/06 ,  H01L27/082 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0826 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7327 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/687 ,  H03K19/018507 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K2217/0081 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种桥接电路。该桥接电路包括具有高侧开关的第一集成半导体装置、具有与高侧开关电连接的低侧开关的第二集成半导体装置、第一电平转换器以及第二电平转换器，该第一电平转换器与高侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成，该第二电平转换器与低侧开关电连接并且在第一集成半导体装置和第二集成半导体装置的一个中集成。

公开(公告)号：CN108336018A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810053372.9

申请日：2018-01-19

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： G.库拉托拉 ,  J.U.海因勒 ,  G.普雷希特尔

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76804 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 提供了用于半导体器件的倾斜场板和接触结构及其制作的方法。一种半导体器件包括：基层；基层之上的电介质层；延伸通过电介质层并且到基层的主表面的开口，开口具有倾斜侧壁；以及在倾斜侧壁之上的导电材料。倾斜侧壁与基层的主表面之间的角度在5度与50度之间的范围内。还提供制作半导体器件的对应方法。

公开(公告)号：CN103928514B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 提供种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第漂移区,形成在栅电极侧处;和第二漂移区,位于栅电极下方、邻近第漂移区以及深度小于第漂移区的深度,使得第漂移区和第二漂移区起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的部分,可以同时形成第漂移区和第二漂移区。

公开(公告)号：CN108288645A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201710252497.X

申请日：2017-04-18

申请人： 立锜科技股份有限公司

发明人： 蔡宗颖 ,  游焜煌 ,  黄宗义

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：半导体基板、绝缘结构、栅极、本体区、阱、源极与漏极、以及轻掺杂扩散(lightly doped diffusion,LDD)区。其中，绝缘结构形成于半导体基板的上表面上，用以定义元件区。轻掺杂扩散区形成于元件区中的阱上，于横向上，轻掺杂扩散区介于栅极与漏极之间，且轻掺杂扩散区不与漏极邻接。

公开(公告)号：CN105321942B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201510274081.9

申请日：2015-05-26

申请人： 台达电子工业股份有限公司

发明人： 廖文甲

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H03K17/162 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H03F1/223 ,  H03F2200/546 ,  H03K17/6871

摘要： 本发明公开了半导体装置，包含第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管包含第一电极、第二电极以及控制电极。第二电极用以接收第一预定电压。控制电极用以接收输入信号。第二晶体管包含第一电极、第二电极、控制电极以及控制垫。第二晶体管的第一电极用以接收第二预定电压。第二晶体管的第二电极电性耦接至第一晶体管的第一电极。控制垫设置于第二晶体管的第一电极与第二晶体管的控制电极之间，并用以接收第一调整信号。此半导体装置在电路使用上可被等效成一由两元件构成的串叠电路，上述串叠电路可提通过多个设置方式调整等效栅极‑漏极电容，因此可被广泛地利用于对导通损失有不同需求的应用上。