-
公开(公告)号：CN1262498C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02154307.0
申请日：2002-11-28
申请人： 瓦克化学有限公司
CPC分类号： C30B35/002 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B32/00 , C30B15/10
摘要： 一种制造部分区域或完全玻璃化的SiO2成形体的方法，在该方法中，一种无定形的、多孔性SiO2预成形体是借助于辐射的非接触式加热而烧结或玻璃化，且在此步骤过程中可避免SiO2成形体受到外来原子的污染，其中所用辐射是激光束。
-
公开(公告)号：CN1572733A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047575.5
申请日：2004-05-27
申请人： 瓦克化学有限公司
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00
摘要： 一种制造无裂痕、内部玻璃化SiO2坩埚的方法，在该方法中，利用CO2激光束的焦斑烧结无定形、开孔SiO2坯体坩埚，其中在烧结过程中，使焦斑相对于坩埚移动，烧结作用利用点状焦斑自该SiO2坯体坩埚的上内边缘开始，并继续使点状焦斑扩大至预期焦斑尺寸，焦斑扫过SiO2坯体坩埚的上内边缘直至上内边缘完全玻璃化，然后焦斑移至SiO2坯体坩埚内。
-
公开(公告)号：CN1422819A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02154307.0
申请日：2002-11-28
申请人： 瓦克化学有限公司
CPC分类号： C30B35/002 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B32/00 , C30B15/10
摘要： 一种制造部分区域或完全玻璃化的SiO2成形体的方法,在该方法中,一种无定形的、多孔性SiO2预成形体是借助于辐射的非接触式加热而烧结或玻璃化,且在此步骤过程中可避免SiO2成形体受到外来原子的污染,其中所用辐射是激光束。
-
公开(公告)号：CN1510001A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310121528.6
申请日：2003-12-19
申请人： 瓦克化学有限公司
发明人： 弗里茨·施韦特费格 , 阿克塞尔·弗劳恩克内希特 , 延斯·京斯特 , 斯文·恩格勒 , 于尔根·海因里希
CPC分类号： C04B35/14 , C03B19/06 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03C23/0025 , C04B35/64 , C04B2235/3418 , C04B2235/6026 , C04B2235/608 , C04B2235/6581 , C04B2235/665 , C04B2235/775 , C30B15/10
摘要： 一种制造部分区域或完全玻璃化SiO2成形体的方法，其中无定形、多孔性SiO2成形体是借助于辐射，利用无接触加热而烧结或玻璃化，并避免外来原子对该SiO2成形体造成污染，而且所用辐射是低于1000毫巴的低于大气压的压力下的激光光束。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.022 秒)
