公开(公告)号：CN111788684B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201880078139.4

申请日：2018-11-27

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 索尼·瓦吉斯 ,  安东尼·雷诺 ,  摩根·艾文斯 ,  约翰·哈塔拉 ,  约瑟·欧尔森

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。

公开(公告)号：CN111788684A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880078139.4

申请日：2018-11-27

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 索尼·瓦吉斯 ,  安东尼·雷诺 ,  摩根·艾文斯 ,  约翰·哈塔拉 ,  约瑟·欧尔森

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 一种存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。

公开(公告)号：CN111279478B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN201880070148.9

申请日：2018-10-23

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 索尼·瓦吉斯 ,  诺榭·瓦里安

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置结构及其制作方法。所述方法可包括提供衬底，所述衬底包括衬底基底及设置在所述衬底基底上的图案化堆叠。所述衬底可包括：第一线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第一线性结构沿第一方向伸长；以及第二线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第二线性结构沿第二方向伸长，所述第二方向相对于所述第一方向形成非零角度。所述方法还可包括选择性地在所述第二线性结构的一组侧壁上形成一组侧壁间隔件。

公开(公告)号：CN111279478A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880070148.9

申请日：2018-10-23

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 索尼·瓦吉斯 ,  诺榭·瓦里安

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L25/065 ,  H01L29/66

摘要： 一种方法可包括提供衬底，所述衬底包括衬底基底及设置在所述衬底基底上的图案化堆叠。所述衬底可包括：第一线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第一线性结构沿第一方向伸长；以及第二线性结构，位于所述图案化堆叠中，所述第二线性结构沿第二方向伸长，所述第二方向相对于所述第一方向形成非零角度。所述方法还可包括选择性地在所述第二线性结构的一组侧壁上形成一组侧壁间隔件。