公开(公告)号：CN103608930A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028995.1

申请日：2012-06-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·葛拉夫

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示了一种制造多晶硅太阳能电池的改善的方法。为了形成具有p型区和n型区的多晶硅层，所述层在存在一种类型的掺杂物的情况下生长。在形成已掺杂的多晶硅层之后，选择性地将具有相反掺杂物导电性的离子植入所述多晶硅层的部分中。此选择性植入可使用荫罩幕来执行。

公开(公告)号：CN103975450A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280059584.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·葛拉夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。

公开(公告)号：CN103975450B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280059584.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约翰·W·葛拉夫 ,  班杰明·B·里欧登 ,  尼可拉斯·P·T·贝特曼 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。