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公开(公告)号：CN102668038B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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公开(公告)号：CN102439693A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022632.8
申请日：2010-06-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/67213 , C23C14/48 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20292 , H01J2237/204 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67769 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。
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公开(公告)号：CN102428542A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN104272428A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380022385.5
申请日：2013-04-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·奎夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01J37/317 , H01L21/266 , H01L31/0224
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3045 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 揭示一种揭示为在连续处理步骤(例如离子植入步骤)期间对基板进行对位的系统及方法。在基板(300)上建立植入区(302)。在植入之后，获得植入区的影像，并且以对应于在基板上植入区的至少其中之一提供基准(310)。在基板上进行热退火处理，使得植入区不再为可见的，但基准仍然可见。基准的位置可用来在下游处理步骤中适当地将图案化掩模与植入区对位。基准亦可在进行将任何离子植入基板前应用于基板。基准相对于基板的边缘或角的位置可用于在下游处理步骤期间的对位。描述以及主张其他实施例。
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公开(公告)号：CN103975450A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428542B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080021679.2
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 凯文·M·丹尼尔斯 , 罗素·J·洛 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/48 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/303 , H01J2237/31711 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
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公开(公告)号：CN102576640B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080032799.2
申请日：2010-07-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 威廉·T·维弗 , 罗素·J·洛
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/266
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/266 , H01L31/0288 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机，其中离子电流测量装置配置于罩幕的后方且与靶材基板的表面共平面，有如该靶材基板位于平台上。离子电流测量装置平移而跨越离子束。经由罩幕的多个孔径而引导的离子束的电流利用离子电流测量装置予以测量。以此方式，可根据离子电流测量装置所测量的离子电流轮廓来测定罩幕相对于离子束的位置以及罩幕的情况。
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公开(公告)号：CN102668038A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080055181.8
申请日：2010-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 海伦·L·梅纳德 , 班杰明·B·里欧登 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 迪帕克·瑞曼帕
IPC: H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
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公开(公告)号：CN102484167A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037578.4
申请日：2010-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 班杰明·B·里欧登 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L31/18 , H01L21/265 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/20228 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种产生太阳能电池的改良方法，其利用在离子植入器中相对于离子束而固定的遮罩。朝向基板将所述离子束引导穿过所述遮罩中的多个孔。所述基板以不同速度移动，使得当所述基板以第一扫描速率移动时，所述基板暴露于一离子剂量率，且当所述基板以第二扫描速率移动时，所述基板暴露于第二离子剂量率。藉由修改所述扫描速率，可在对应的基板位置处将各种剂量率植入于所述基板上。此做法使离子植入能用于提供对于太阳能电池制造而言有利的精确的掺杂轮廓。
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公开(公告)号：CN103975450B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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