-
公开(公告)号：CN101218658A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680004113.2
申请日：2006-02-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/15 , H01J2237/1501 , H01J2237/20228 , H01J2237/3045 , H01J2237/30472
Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。
-
公开(公告)号：CN101218658B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680004113.2
申请日：2006-02-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/15 , H01J2237/1501 , H01J2237/20228 , H01J2237/3045 , H01J2237/30472
Abstract: 一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置，其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压，离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时，离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口，以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法，使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。
-
Search Results
2
records
(took 0.021 seconds)
