公开(公告)号：CN112640025B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201980057342.8

申请日：2019-08-27

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  留德米拉·史东 ,  汤玛士·史泰西

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

公开(公告)号：CN110431650A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880018758.4

申请日：2018-03-19

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  詹姆斯·艾伦·皮克斯利

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/12

摘要： 本文提供通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积的方式。在一种方式中，导电束光学器件可为具有沿离子束线设置的多个导电束光学器件的静电过滤器的一部分，其中至少一个导电束光学器件包括形成在外表面中的多个沟槽。在一些方式中，可将电源供应器设置成与所述多个导电束光学器件连通，其中电源供应器被配置成向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。所述多个沟槽可沿导电束光学器件的长度设置成螺旋形图案，和/或平行于导电束光学器件的纵轴进行取向。

公开(公告)号：CN110431650B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201880018758.4

申请日：2018-03-19

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  詹姆斯·艾伦·皮克斯利

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/12

摘要： 本发明提供一种离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本发明通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。

公开(公告)号：CN112640025A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057342.8

申请日：2019-08-27

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  菲力浦·莱恩 ,  留德米拉·史东 ,  汤玛士·史泰西

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。