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公开(公告)号:CN108040498B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201680027886.6
申请日:2016-05-11
申请人: 瓦里安半导体设备公司
摘要: 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体,所述源壳体环绕包括弧室的离子源,所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫,所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后,所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭,进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号:CN108040498A
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201680027886.6
申请日:2016-05-11
申请人: 瓦里安半导体设备公司
摘要: 本文提供用于改善离子撷取系统的离子束撷取稳定度及离子束流的方式。在一种方式中,一种源壳体组件可包括源壳体,所述源壳体环绕包括弧室的离子源,所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫,所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后,所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭,进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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