公开(公告)号：CN118715589A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202280053874.6

申请日：2022-06-23

申请人： 电化株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 茶谷洋光 ,  石川大介 ,  唐捷 ,  大久保忠胜 ,  唐帅 ,  埋桥淳 ,  宝野和博

IPC分类号： H01J37/06 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/148

摘要： 本公开文本涉及的电子源的制造方法包括：(A)从电子发射材料的块材中切出芯片的工序；(B)将芯片的第一端部固定于支承针的前端的工序；和(C)使芯片的第二端部变尖的工序。(A)工序包括通过离子束对块材的表面的照射而在块材中形成构成芯片的第一面及第二面的第一槽及第二槽。芯片的第一端部包含所成的角度α为10～90°的第一面和第二面。(B)工序包括在支承针的前端与芯片的第一端部之间形成接合部。

公开(公告)号：CN114901847B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202080089756.1

申请日：2020-12-22

申请人： 株式会社东北磁材研究所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 富田龙也 ,  野村要平 ,  埋桥淳 ,  大久保忠胜 ,  宝野和博

IPC分类号： C22C38/00 ,  C21D6/00 ,  C22C45/02 ,  H01F1/153

摘要： 本发明为一种合金，其包含Fe、B、P和Cu，具备非晶相以及在上述非晶相内形成的复数个晶相，合金整体中的平均Fe浓度为79原子％以上，将原子探针层析中的边长为1.0nm的复数个区域中的Cu浓度为6.0原子％以上的区域作为Cu簇时，Cu簇的密度为0.20×1024/m3以上。

公开(公告)号：CN114901847A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080089756.1

申请日：2020-12-22

申请人： 株式会社东北磁材研究所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 富田龙也 ,  野村要平 ,  埋桥淳 ,  大久保忠胜 ,  宝野和博

IPC分类号： C22C38/00 ,  C21D6/00 ,  C22C45/02 ,  H01F1/153

摘要： 本发明为一种合金，其包含Fe、B、P和Cu，具备非晶相以及在上述非晶相内形成的复数个晶相，合金整体中的平均Fe浓度为79原子％以上，将原子探针层析中的边长为1.0nm的复数个区域中的Cu浓度为6.0原子％以上的区域作为Cu簇时，Cu簇的密度为0.20×1024/m3以上。