公开(公告)号：CN110504358A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910795555.2

申请日：2019-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李伟 ,  赵昕 ,  刘诚 ,  袁余涵 ,  伊海 ,  李东阳 ,  蒋向东

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。

公开(公告)号：CN111969108A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010880247.2

申请日：2020-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李伟 ,  伊海 ,  田伟 ,  陈鹏宇 ,  李东阳 ,  李春梅 ,  蒋向东

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，忆阻器自上而下依次具有上电极、阻变层、下电极、柔性基底的垂直四层结构；忆阻器的上电极为铜薄膜或银薄膜；忆阻器件的阻变层为偏铝酸铜薄膜；下电极为氧化铟锡透明导电薄膜；柔性基底为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料，本发明基于偏铝酸铜薄膜的柔性忆阻器，制备工艺简单、成本低廉且能够在聚合物柔性基底上获得良好的阻变特性。本发明所述的忆阻器扩宽了忆阻器阻变层的材料体系，有望在柔性器件、可穿戴电子器件领域获得应用。

公开(公告)号：CN111863988B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202010748348.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李伟 ,  田伟 ,  陈鹏宇 ,  伊海 ,  李东阳 ,  李春梅 ,  蒋向东

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法，该器件以不同能量的光信号作为激励源，以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位，在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子，利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化，以器件的光电流响应模拟突触后电流，实现不同颜色即能量的识别，从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能，巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂键为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化，实现器件的突触功能，本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si‑CMOS工艺兼容等特点，还具有颜色识别能力，可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。

公开(公告)号：CN111863988A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010748348.4

申请日：2020-07-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李伟 ,  田伟 ,  陈鹏宇 ,  伊海 ,  李东阳 ,  李春梅 ,  蒋向东

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  G06N3/067

Abstract: 本发明提供一种基于非晶硅薄膜的光突触器件及方法，该器件以不同能量的光信号作为激励源，以不同能量的光信号模拟突触前端的动作电位，在非晶硅薄膜中选择性激发出光生载流子，利用非晶硅薄膜中的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放引起光电流的变化，以器件的光电流响应模拟突触后电流，实现不同颜色即能量的识别，从而具有颜色选择性识别能力的仿生突触功能，巧妙利用非晶硅薄膜中以悬挂鍵为代表的缺陷能级对光生载流子的捕获和释放产生的光电流响应的变化，实现器件的突触功能，本发明光电突触不仅具有器件结构和制备工艺简单且与Si-CMOS工艺兼容等特点，还具有颜色识别能力，可以解决电激励电读取突触器件工作带宽受限的问题。

公开(公告)号：CN110444661A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910795348.7

申请日：2019-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李伟 ,  伊海 ,  袁余涵 ,  赵昕 ,  刘诚 ,  李东阳 ,  顾德恩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。