-
公开(公告)号：CN110504359A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910795808.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN110504358A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910795555.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN113809547A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111188555.X
申请日：2021-10-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于形状记忆材料的频率可调超表面吸波器，用于解决现有可调吸波超表面需外加电源、难以馈电以及制造、加工、调控难的技术问题。该超表面吸波器由介质基板、印制在介质基板上下表面金属结构、形状记忆基板以及金属底板构成。其核心在于通过调节形状记忆材料的形状从而实现可调超表面吸波器的设计，本发明具有不需要外加电源、没有复杂的馈电结构、结构简单、易制备、成本低等优势，可用于无线通信宽带领域。
-
公开(公告)号：CN110400873A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910796689.6
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx:Ag/TiOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN108930019B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810929840.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。本发明提出采用了传统的物理气相沉积(PVD)镀膜方式，利用Ti3SiC2粉体材料作为靶材制备微纳米厚度的半导体薄膜，制作工艺简单、可靠且成本低，制得薄膜在维持Ti3SiC2材料良好力学和摩擦磨损性能之外，兼具透近红外光和适度导电性的双重性能。运用本发明方法制得的Ti3SiC2陶瓷薄膜在800～2200nm光谱范围的透过率不低于80％，导电性为50Ω/□～2000Ω/□，基于上述性能，本发明将Ti3SiC2材料的应用范围拓宽到光电子技术领域，并为其作为窗口材料用于红外波段光电器件封装提供了理论基础。本发明陶瓷薄膜在光电领域具有良好的工程应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444662A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910799379.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx:Ag/AlOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN110459675A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910795647.0
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx:Ag/TaOx双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN110444661A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910795348.7
申请日：2019-08-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极。
-
公开(公告)号：CN108930019A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810929840.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。本发明提出采用了传统的物理气相沉积(PVD)镀膜方式，利用Ti3SiC2粉体材料作为靶材制备微纳米厚度的半导体薄膜，制作工艺简单、可靠且成本低，制得薄膜在维持Ti3SiC2材料良好力学和摩擦磨损性能之外，兼具透近红外光和适度导电性的双重性能。运用本发明方法制得的Ti3SiC2陶瓷薄膜在800～2200nm光谱范围的透过率不低于80％，导电性为50Ω/□～2000Ω/□，基于上述性能，本发明将Ti3SiC2材料的应用范围拓宽到光电子技术领域，并为其作为窗口材料用于红外波段光电器件封装提供了理论基础。本发明陶瓷薄膜在光电领域具有良好的工程应用前景。
-
公开(公告)号：CN113809547B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111188555.X
申请日：2021-10-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于形状记忆材料的频率可调超表面吸波器，用于解决现有可调吸波超表面需外加电源、难以馈电以及制造、加工、调控难的技术问题。该超表面吸波器由介质基板、印制在介质基板上下表面金属结构、形状记忆基板以及金属底板构成。其核心在于通过调节形状记忆材料的形状从而实现可调超表面吸波器的设计，本发明具有不需要外加电源、没有复杂的馈电结构、结构简单、易制备、成本低等优势，可用于无线通信宽带领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.023 seconds)
