公开(公告)号：CN118039681A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410055921.1

申请日：2024-01-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 戴丽萍 ,  郝文彪 ,  何志远 ,  杜奕佳

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

摘要： 本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于集成电路ESD防护的高维持电压SCR器件；本发明通过在第二种导电类型阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、在第一种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区之间的第二种导电类型阱区表面插入栅氧化层，且栅氧化层上覆盖有多晶硅栅，并且将该多晶硅栅与相邻的第一种导电类型重掺杂区通过金属线连接到阴极，在第二导电类型阱区和第一导电类型阱区之间表面插入第二种导电类型重掺杂区，从而形成改进型SCR器件；将器件的电流泄放路径由原本的体内SCR路径变为表面寄生的PNP晶体管、PMOSFET沟道、表面NPN晶体管和体内SCR四条路径，使得本发明具有更高的维持电压和抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN118231400A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410343274.4

申请日：2024-03-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘志伟 ,  刘毅 ,  郑子涵 ,  张慧 ,  何志远

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明属于半导体技术领域，提供一种基于双绝缘体硅技术的辅助触发SCR器件，创造性的提出双层埋式氧化物隔离层设计，将SCR主触发路径通路设置于深层的第一埋氧化层上，将辅助触发路径设置于表面的第二埋氧化层上，通过堆叠结构有效避免辅助触发路径造成的面积浪费，有效提高单位面积ESD能力；同时，深层设置的SCR主触发路径的泄放路径更深，电流往更低处走，能够显著提升器件的鲁棒性；并且，堆叠结构中辅助触发器件能够进行替换，有利于适用不同的应用场景；综上，本发明在不消耗额外面积的前提下通过堆叠结构对SCR器件进行辅助路径的优化设计，显著提高器件的单位面积ESD能力，并拥有更加良好的热效应以及鲁棒性。