公开(公告)号：CN118039681A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410055921.1

申请日：2024-01-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 戴丽萍 ,  郝文彪 ,  何志远 ,  杜奕佳

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

摘要： 本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于集成电路ESD防护的高维持电压SCR器件；本发明通过在第二种导电类型阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、在第一种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区之间的第二种导电类型阱区表面插入栅氧化层，且栅氧化层上覆盖有多晶硅栅，并且将该多晶硅栅与相邻的第一种导电类型重掺杂区通过金属线连接到阴极，在第二导电类型阱区和第一导电类型阱区之间表面插入第二种导电类型重掺杂区，从而形成改进型SCR器件；将器件的电流泄放路径由原本的体内SCR路径变为表面寄生的PNP晶体管、PMOSFET沟道、表面NPN晶体管和体内SCR四条路径，使得本发明具有更高的维持电压和抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN117790499A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410064315.6

申请日：2024-01-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘志伟 ,  杜奕佳 ,  张慧 ,  郝文彪

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明属于静电防护技术领域，具体提供一种用于高压集成电路ESD防护高钳位能力的SCR器件，可以满足实际ESD防护中低触发电压、高维持电压和高钳位能力的防护要求。本发明通过在传统的SCR结构中引入了内嵌NMOS的SCR对其进行分流，从而达到提高维持电压的目的。其中，该器件从阳极到阴极的触发路径为主SCR的PNP三极管的P+/NWELL导通，然后辅助分流的SCR的PNP三极管的P+/NWELL导通，然后N型MOS管击穿。当电流继续增大时，主SCR被分流使得维持电压提高，辅助分流的SCR先导通，然后主SCR才接着导通，两个SCR均导通时导通电阻很小，可以实现高的钳位能力。作为辅助分流的SCR既可以提高辅助触发路径来降低触发电流，同时也可以提供一个分流路径降低PNP三极管和NPN三极管的正反馈可以起到提高维持电压的目的，而且两个SCR导通使得导通电阻降低提高钳位能力。此器件可以做到缩窄ESD窗口的目的，同时具有优秀的钳位能力。