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公开(公告)号：CN118173149A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410594070.8
申请日：2024-05-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种非易失存储芯片耐久性性质探究方法及探究装置，属于非易失存储器领域。包括S1设置探究性质；S2设置测试向量；S3将测试向量写入到非易失存储器芯片；S4读出并比对写入的值与读出的值是否一致；S5比较当前测试次数是否达到设定测试周期，达到测试周期，则导出测试结果到上位机；未达到测试周期则继续执行S3；S6：上位机判断当前测试容量是否达到设定的测试容量，未达到测试容量则继续执行S2，根据设置的探究性质修改测试向量相应参数，达到测试容量则执行S7；S7：上位机根据测试结果分析测试数据。此外，还提出一种探究装置，用于实现探究方法。本发明考虑多种因素，提供了一种芯片级耐久性性质探究方法，用来探究非易失存储器芯片级耐久性。
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公开(公告)号：CN118331896B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410766576.2
申请日：2024-06-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F12/0864 , G06F12/0873 , G06F12/0895 , G06F12/122 , G06F12/128
摘要： 本发明提供一种支持缓存管理的非易失混合存储器电路、方法，涉及数字电路技术领域。本发明将易失存储器与非易失存储器结合起来，通过缓存管理的方式将频繁访问分担在易失存储，不频繁访问分担在非易失存储。将易失存储的高读写性能和高耐久性弥补非易失存储的低写性能和低耐久性，将非易失存储的高存储密度和低漏电功耗来弥补易失存储的低存储密度与高漏电功耗，充分发挥彼此的优点。此外，进行低延迟的缓存硬件设计，通过在缓存组排名表中引入重要性指标，减少进行缓存替换时的延迟并且降低了硬件复杂度。
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公开(公告)号：CN118173149B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410594070.8
申请日：2024-05-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种非易失存储芯片耐久性性质探究方法及探究装置，属于非易失存储器领域。包括S1设置探究性质；S2设置测试向量；S3将测试向量写入到非易失存储器芯片；S4读出并比对写入的值与读出的值是否一致；S5比较当前测试次数是否达到设定测试周期，达到测试周期，则导出测试结果到上位机；未达到测试周期则继续执行S3；S6：上位机判断当前测试容量是否达到设定的测试容量，未达到测试容量则继续执行S2，根据设置的探究性质修改测试向量相应参数，达到测试容量则执行S7；S7：上位机根据测试结果分析测试数据。此外，还提出一种探究装置，用于实现探究方法。本发明考虑多种因素，提供了一种芯片级耐久性性质探究方法，用来探究非易失存储器芯片级耐久性。
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公开(公告)号：CN118051191A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410453659.6
申请日：2024-04-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供一种支持参数化和并行访问的非易失存储器电路、装置，涉及数字电路技术领域。本发明电路包括非易失存储宏、本地控制模块、阵列控制模块；阵列控制模块连接N个并行本地控制模块，每个本地控制模块分别连接n个并行非易失存储宏。通过并行访问来划分不同的地址域，不同的地址域可同时执行不同的命令，设置队列以避免访问冲突与命令丢失，最大化减少因等待写入而浪费的时间，成倍提高非易失存储器的读写性能。根据不同应用场景的存储需求灵活配置非易失存储器的容量和带宽，提高了非易失存储器的设计效率。
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公开(公告)号：CN118331896A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410766576.2
申请日：2024-06-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F12/0864 , G06F12/0873 , G06F12/0895 , G06F12/122 , G06F12/128
摘要： 本发明提供一种支持缓存管理的非易失混合存储器电路、方法，涉及数字电路技术领域。本发明将易失存储器与非易失存储器结合起来，通过缓存管理的方式将频繁访问分担在易失存储，不频繁访问分担在非易失存储。将易失存储的高读写性能和高耐久性弥补非易失存储的低写性能和低耐久性，将非易失存储的高存储密度和低漏电功耗来弥补易失存储的低存储密度与高漏电功耗，充分发挥彼此的优点。此外，进行低延迟的缓存硬件设计，通过在缓存组排名表中引入重要性指标，减少进行缓存替换时的延迟并且降低了硬件复杂度。
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