公开(公告)号：CN106785475A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611243901.9

申请日：2016-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  史中伟 ,  刘浩天 ,  陈智 ,  文天龙 ,  杨青慧 ,  张怀武 ,  涂翔宇 ,  刘洋

IPC: H01Q17/00

CPC classification number: H01Q17/00

Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷；本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料，结构简单，在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的吸收率高达90％；采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备，制备工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN105914565A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610533950.X

申请日：2016-07-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 文岐业 ,  刘浩天 ,  史中伟 ,  杨青慧 ,  文天龙 ,  陈智 ,  荆玉兰 ,  张怀武

IPC: H01S1/02

CPC classification number: H01S1/02

Abstract: 本发明属于太赫兹成像领域技术，涉及太赫兹成像相关领域的调制器件，具体提供一种基于硅纳米针的光控太赫兹波幅度调制器，包括半导体激光器、光纤、光纤调制器及太赫兹幅度调制结构，所述半导体激光器产生的激光通过光纤耦合进入光纤调制器；其特征在于，所述太赫兹幅度调制结构由硅基底层及其表面的硅纳米针尖阵列构成，所述光纤调制器输出调制激光入射到硅纳米针尖阵列表面。本发明采用硅纳米针尖阵列和高阻硅/本征硅层的双层结构；硅纳米针尖阵列的在高阻硅/本征硅的表面形成折射率的梯度变化，能够同时降低太赫兹波和泵浦激光的反射，显著降低器件插损和提高对泵浦激光的利用率，实现器件在较小的泵浦激光功率下获得相对较高的调制深度。

公开(公告)号：CN106495677A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610881924.6

申请日：2016-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 贾利军 ,  王永 ,  李德船 ,  史中伟 ,  李元勋 ,  张怀武

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/265 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明公开了一种功率电感用的高强度耐热冲击镍锌铁氧体及其制备方法，属于软磁铁氧体技术领域。该铁氧体主成分以各自标准物计的含量：Fe2O348～50mol％，NiO 16～20mol％，ZnO 25～30mol％，CuO 5～8mol％，相对所述主成分总量，所述副成分以其标准物计的含量为：Bi2O3 0.3～0.7wt％，Al2O31.0～1.5wt％。本发明得到的功率镍锌铁氧体的平均晶粒尺寸为10～15μm，晶界鲜明，致密度高，气孔分布合理；具有优良的电磁性能、耐热冲击性能和较高的机械强度。