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公开(公告)号：CN105892103B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极‑双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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公开(公告)号：CN106935946A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710145289.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，提供一种基于超材料的可调谐太赫兹滤波器，采用4层复合结构，包括从下往上依次层叠的高阻硅衬底层、第一聚酰亚胺支撑层、第一超材料层、第二聚酰亚胺支撑层、第二超材料层、第三聚酰亚胺支撑层、第三超材料层与第四聚酰亚胺支撑层；每层超材料层结构相同，均由若干个金属人工结构单元周期性排列构成，金属人工结构单元呈正方形。本发明太赫兹滤波器能够实现较窄的带宽、良好的选择性、损耗低、较强的带外抑制和带内透射，同时可调谐；该滤波器可实现中心频率介于0.3‑3THz之间，3d B带宽≥15％，带内传输系数≥80％，带外抑制≤‑25dB。
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公开(公告)号：CN106785475A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611243901.9
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷；本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料，结构简单，在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的吸收率高达90％；采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105892103A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2203/13 , H01L21/7624 , H01L29/1606 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极?双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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