-
公开(公告)号：CN108151907A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711415634.3
申请日：2017-12-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于声表面波传感器的应用领域，具体为LGS声表面波温度传感器的线性温度频率特性测算方法。本发明首先对LGS声表面波温度传感器进行标定，得到其室温时瑞利波模式频率及体波模式频率f01、f02，两个模式的一阶温度频率系数x1、x2，然后利用传统的基于LGS的同一个声表面波谐振器的瑞利波模式和体波模式二阶温度系数接近相等且所处环境变量完全相同的特点，通过测试得到LGS声表面波温度传感器所处环境下瑞利波模式和体波模式的谐振频率f1和f2，代入公式即可计算得到当前温度T。本发明在不增加器件面积、器件复杂度的前提下，扩大了原传感器温度测试的应用范围，且差分频率具有优良的线性温度特性。
-
公开(公告)号：CN106895803A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710089576.3
申请日：2017-02-20
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01B17/04
CPC分类号： G01B17/04
摘要： 该发明公开了一种利用两个声表面波谐振器分离温度影响的装置及方法，属于声表面波传感器的设计领域。该装置包括：两个声表面波谐振器，所述的两个声表面波谐振器沿待测件的主应变方向设置于待测件上，且两个声表面波谐振器的声表面波传播方向与待测件的主应变方向相同，所述声表面波谐振器包括压电基底和设置于压电基底上的电极；其特征在于所述两个声表面波谐振器压电基底材料的切向不同，并在其中一个声表面波谐振器的压电基底上设置一层覆盖电极且使两个声表面波谐振器的转变温度相同的薄膜。该装置利用两个器件温度参数相同，应变参数不同的特性，抵消掉温度参数对声表面波器件的影响，最终实现对应变的测量。
-
公开(公告)号：CN106840056A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611233408.9
申请日：2016-12-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01B17/04
CPC分类号： G01B17/04
摘要： 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种基于硅酸镓镧的双声表面波应变传感器及其设计方法。本发明通过在同一块LGS基片上关于欧拉角为(0°,138.5°,90°)对称的两个切向上分别制作一个声表面波谐振器，利用两个谐振器温度频率特性相同的特点，从而制成双SAW应变传感器，旨在消除SAW应变传感器在应变测试的过程中温度对于它的影响。本发明所设计的双SAW应变传感器能将应变从温度的影响中分离出来,极大地减小了温度对于应变测试所造成的影响，可以在任何基片能承受的温度范围内，实现对应变的准确测量。
-
公开(公告)号：CN108151907B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201711415634.3
申请日：2017-12-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于声表面波传感器的应用领域，具体为LGS声表面波温度传感器的线性温度频率特性测算方法。本发明首先对LGS声表面波温度传感器进行标定，得到其室温时瑞利波模式频率及体波模式频率f01、f02，两个模式的一阶温度频率系数x1、x2，然后利用传统的基于LGS的同一个声表面波谐振器的瑞利波模式和体波模式二阶温度系数接近相等且所处环境变量完全相同的特点，通过测试得到LGS声表面波温度传感器所处环境下瑞利波模式和体波模式的谐振频率f1和f2，代入公式即可计算得到当前温度T。本发明在不增加器件面积、器件复杂度的前提下，扩大了原传感器温度测试的应用范围，且差分频率具有优良的线性温度特性。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.02 秒)
