公开(公告)号：CN108165928A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711415633.9

申请日：2017-12-25

申请人： 电子科技大学

发明人： 彭斌 ,  谢小伟 ,  张万里 ,  张文旭 ,  黄飞

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/025 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352

摘要： 本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域，具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成；缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成，FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系。本发明在FeGa合金层与AlN薄膜之间设置了一层缓冲层，缓冲层的作用是让FeGa合金和AlN材料在热膨胀方面能够匹配。缓冲层的两种材料作为中间缓冲层，能够实现热膨胀阶梯型的变化以解决热适配问题。通过缓冲上层晶格的进一步选择，还可使AlN薄膜质量提升，进而更加符合磁声表面波传感器应用对高质量AlN薄膜的需求。

公开(公告)号：CN106840056A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611233408.9

申请日：2016-12-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 彭斌 ,  邓泽佳 ,  张万里 ,  李凌 ,  崔亦霖 ,  弓冬冬 ,  周伟 ,  谢小伟 ,  喻恒

IPC分类号： G01B17/04

CPC分类号： G01B17/04

摘要： 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种基于硅酸镓镧的双声表面波应变传感器及其设计方法。本发明通过在同一块LGS基片上关于欧拉角为(0°,138.5°,90°)对称的两个切向上分别制作一个声表面波谐振器，利用两个谐振器温度频率特性相同的特点，从而制成双SAW应变传感器，旨在消除SAW应变传感器在应变测试的过程中温度对于它的影响。本发明所设计的双SAW应变传感器能将应变从温度的影响中分离出来,极大地减小了温度对于应变测试所造成的影响，可以在任何基片能承受的温度范围内，实现对应变的准确测量。