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公开(公告)号：CN114235904B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202111548499.6
申请日：2021-12-17
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种ppb级氢气传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域。所述ppb级氢气传感器包括掺Bi的氧化镍泡沫、负载于掺Bi的氧化镍泡沫之上的Pd纳米颗粒、和位于掺Bi的氧化镍泡沫两侧的两个电极；掺Bi的氧化镍泡沫是通过将泡沫镍置于装有Bi2O3的坩埚上并在空气气氛中热处理得到的，热处理温度为800～1600℃，热处理时间为2～10h。本发明将Bi掺杂于氧化镍泡沫中，Bi具有0、+3、+5价，取代了+2价的镍离子来中和载流子，促进了电子移动，极大地提高了传感器对氢气的响应；本发明传感器在空气氛围、75℃的工作温度、20ppb探测下限下输出响应ΔR为2.5×104Ω，ΔR/R0＝18.6％。
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公开(公告)号：CN114235904A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111548499.6
申请日：2021-12-17
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种ppb级氢气传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域。所述ppb级氢气传感器包括掺Bi的氧化镍泡沫、负载于掺Bi的氧化镍泡沫之上的Pd纳米颗粒、和位于掺Bi的氧化镍泡沫两侧的两个电极；掺Bi的氧化镍泡沫是通过将泡沫镍置于装有Bi2O3的坩埚上并在空气气氛中热处理得到的，热处理温度为800～1600℃，热处理时间为2～10h。本发明将Bi掺杂于氧化镍泡沫中，Bi具有0、+3、+5价，取代了+2价的镍离子来中和载流子，促进了电子移动，极大地提高了传感器对氢气的响应；本发明传感器在空气氛围、75℃的工作温度、20ppb探测下限下输出响应ΔR为2.5×104Ω，ΔR/R0＝18.6％。
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公开(公告)号：CN111965223B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010811514.0
申请日：2020-08-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种ppb级探测下限的氢气传感器，属于传感器技术领域。所述氢气传感器包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，时间为3～6h。本发明通过在一定温度下将泡沫金属充分氧化，在泡沫金属表面得到大量绝缘的金属氧化物纳米皱纹，该氧化泡沫金属衬底具有较大的表面积以粘附Pd纳米颗粒；利用Pd与高浓度氢气反应会生成不完全可逆的β相Pd‑H化合物的现象，首次提出了通过高浓度氢气对氢气传感器进行激活的方法，实现了该氢气传感器稳定的ppb级别的氢气传感性能。
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公开(公告)号：CN111965223A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010811514.0
申请日：2020-08-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 一种ppb级探测下限的氢气传感器，属于传感器技术领域。所述氢气传感器包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，时间为3～6h。本发明通过在一定温度下将泡沫金属充分氧化，在泡沫金属表面得到大量绝缘的金属氧化物纳米皱纹，该氧化泡沫金属衬底具有较大的表面积以粘附Pd纳米颗粒；利用Pd与高浓度氢气反应会生成不完全可逆的β相Pd-H化合物的现象，首次提出了通过高浓度氢气对氢气传感器进行激活的方法，实现了该氢气传感器稳定的ppb级别的氢气传感性能。
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