公开(公告)号：CN114552976A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210203639.4

申请日：2022-03-02

申请人： 电子科技大学

发明人： 明鑫 ,  秦尧 ,  叶自凯 ,  张永瑜 ,  庄春旺 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H02M3/07 ,  H02M3/158 ,  H02M1/088 ,  H03K19/017

摘要： 本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。

公开(公告)号：CN114552976B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202210203639.4

申请日：2022-03-02

申请人： 电子科技大学

发明人： 明鑫 ,  秦尧 ,  叶自凯 ,  张永瑜 ,  庄春旺 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H02M3/07 ,  H02M3/158 ,  H02M1/088 ,  H03K19/017

摘要： 本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。

公开(公告)号：CN118041327A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410258339.5

申请日：2024-03-07

申请人： 电子科技大学

发明人： 明鑫 ,  吴之久 ,  邵瑞洁 ,  庄春旺 ,  王卓 ,  张波

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/687

摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥栅驱动芯片的集成自举开关电路。本发明通过对自举大电流路径的时序控制，以满足开下功率管对自举电容充电、开上功率管时自举电容供电的需求。将片外高压自举二极管集成至片内对应用设计的简易性提出大幅改善，提高功率密度。同时规避自举电容过充风险。