公开(公告)号：CN116436294A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310298033.8

申请日：2023-03-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  王凯 ,  阮贵林 ,  文云鹏 ,  韩丹宁

IPC分类号： H02M3/158 ,  H02M1/08

摘要： 发明属于集成电路技术领域，具体给出了一种用于BUCK变换器的高速电平位移电路。本发明提出了用于切换BUCK电源中高低电源轨的高精度高速电平升压电路。为了兼顾电平位移模块在BUCK系统中的速度与功耗，设计了一种电压切换幅度相对较小，且不存在低阻抗对地通路的电路结构。由于高低电源轨的压差较大，所以采用了LDMOS。相较于经典的Level up电路，本发明的电路结构的传输速率快且信号精确，同时能在高压环境下保证其切换速度。

公开(公告)号：CN115617111A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211148341.4

申请日：2022-09-20

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  张瑞峰 ,  邹鹭翔

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明属于集成电路芯片技术。本发明提出了一种高阶补偿的无运放带隙基准电路，通过引入一种反馈机制检测基准电压与核心晶体管的电流差值来达到稳定基准电压的目的。通过加入输出管提高带负载能力。实现了低功耗、较高的带负载能力、较高的电源抑制。本发明所有的仿真结果都是基于标准的CMOS工艺。

公开(公告)号：CN115586810A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211141728.7

申请日：2022-09-20

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  许文展 ,  王靖 ,  黄丽芳

IPC分类号： G05F3/26

摘要： 针对传统的cascode电流镜晶体管工作状态不稳定从而导致无法精确复制电流的问题，提出了一种采用提取过驱动电压来稳定晶体管工作状态。根据MOS管工作原理，过驱动电压是决定晶体管是否处于饱和状态的重要因素，本专利采用电流镜钳位，提取了晶体管过驱动电压，并为输出晶体管提供了较为稳定的源漏电压。所发明的电路采用双电源供电，可以在±2.7V至±5.5V的电源电压下工作。

公开(公告)号：CN114510109A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210034557.1

申请日：2022-01-13

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  张文明 ,  秦逸飞 ,  张轩溥 ,  罗建鑫

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本专利提出一种高PSR快速瞬态响应，有两种工作模式的无片外电容LDO，适用于数模混合芯片内部数字部分的供电。该设计基于0.13um CMOS工艺，内部可以分为前级降压器和后级降压器，其中前级降压包含前级带隙基准，前级误差放大器和前级功率管，后级降压器包含后级带隙基准，后级电压缓冲器，后级误差放大器和后级功率管，此外还有使能电路，过压保护和过温保护，负载电流检测和负载跳变检测电路构成瞬态提升和工作模式切换(轻载模式和重载模式)。该电路可集成在SOC系统中，无需外接分立单元。

公开(公告)号：CN110855143A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911210764.2

申请日：2019-12-02

申请人： 电子科技大学

发明人： 任立 ,  张国俊

IPC分类号： H02M3/07 ,  H03K17/041

摘要： 适用于驱动高边功率开关的电荷泵电路，属于电子电路技术领域。通过外部输入的两个频率相同相位相反的方波信号控制充放电回路的开启和关断，开启时对电容C1、C2进行充电，关断时电容一侧极板电压突然抬升，利用电容电压不能突变的原理，使其另一侧的电压随之抬升；在充电回路不断的开启关断中快速抬升电荷泵输出电压，使其比电源电压搞出一个预计值，从而成功驱动功率开关管的栅极，使其顺利导通。相比于传统电荷泵电路，本设计开启、关断迅速，高出电源电压的值可以在设计电路时进行预设。

公开(公告)号：CN110401363A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910634048.0

申请日：2019-07-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 金云颐 ,  张国俊

IPC分类号： H02M7/217

摘要： 本发明提出了一种改进型CMOS全波整流电路，并阐述了电路的工作方式，使用全波整流桥将交流(AC)输入电压转换为直流(DC)输出电压。在整流电路中采用自举技术来消除主要整流器件的有效阈值电压，减小阈值损耗；同时采用辅助电路使主要整流器件在非整流状态下完全关断，让其上通过的反向漏电流最小化来减小电流的损耗；动态体偏置结构的运用，有效消除整流器件的体效应和闩锁效应，当电路更加稳定，最终降低整流电路损耗提高能量传输效率。同时基于CMOS工艺易于集成的特点，在应用于隔离电源系统中是相较于肖特基二极管能有更好的兼容性，并且能节约一定成本。

公开(公告)号：CN107797601A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201610804744.8

申请日：2016-09-06

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  张涛

IPC分类号： G05F1/565

CPC分类号： G05F1/565

摘要： 本发明属于模拟集成电路领域，涉及一种低功耗基准电压源电路。本电路包含基准核心电路以及启动电路。通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性的分析设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。通过使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻使整个电路实现全MOS基准源的特性，同时可以有效减小电路芯片面积；启动电路用于在电源刚上电时给整个电路提供一个启动电流，以消除简并点。与传统的基准电压源电路相比，本发明的电路不仅能达到非常低的功耗，而且具有较低的温度系数。

公开(公告)号：CN107505971A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710821127.3

申请日：2017-09-13

申请人： 电子科技大学

发明人： 傅剑平 ,  张国俊

IPC分类号： G05F1/46

CPC分类号： G05F1/461

摘要： 本发明属于模拟集成电路领域，具体提出一种驱动大电流负载的LDO调整器频率补偿方案。包括具有近似单极点的两级运放、缓冲级、输出级。本发明创新性地引入电容补偿使原本存在两个频率较低极点的两级误差放大器变为近似单极点系统，且该极点位置可人为控制，本发明将其设置为频率较高的次极点，在利用输出电容寄生电阻(ESR)引入寄生零点后，该极点被适当得补偿。随负载变化的输出极点仍为主极点、通过合理地选择输出端滤波电容大小使其产生的零点位于最大环路增益GBW频率处。内部其他寄生零点均因特殊的电路结构位于高频。最终，在整个低压差线性稳压器反馈环路上实现了全电流负载变化范围内的频率稳定，且相位裕度均在50度以上。

公开(公告)号：CN118920864A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410884720.2

申请日：2024-07-03

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  安盼 ,  王茗玄

IPC分类号： H02M3/158 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

摘要： 本发明属于集成电路技术领域和功率电子领域，具体涉及一种ACOT控制型Buck变换器的谷值电流限产生电路，包括误差放大器、正负谷值电流产生电路、谷值电流比较器电路。其中误差放大器的同相端接Buck内部基准电压Vref，反相端接反馈电压VFB，输出端接正负谷值电流限产生电路。正负谷值电流限产生电路将Vc信号处理得到谷值电流限。电流谷值限比较电路输出电感电流IL和该谷值电流限的比较结果，控制功率下管关断。应用本发明的Buck变换器不仅可以在轻载时处于不连续导通状态来获得高效率，还可以允许电感反流，使轻载时处于连续导通状态，保持低输出纹波的特性。

公开(公告)号：CN118885045A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410884722.1

申请日：2024-07-03

申请人： 电子科技大学

发明人： 张国俊 ,  谢东君 ,  安盼

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种宽输入范围两级高电源抑制比带隙基准电路，通过两级带隙基准电路得到精确的带隙基准电压。第一级预降压电路将宽范围的输入电压降低，作为第二级带隙基准核心电路电源电压。第二级带隙基准核心电路通过多支路构造带隙基准电压，通过电阻分压器获得不同大小的带隙基准电压。该电路具有宽范围的输入电压和高电源纹波抑制比。该电路可在模拟芯片以及模数转换芯片中，作为带隙基准电压模块使用。