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公开(公告)号：CN117793538A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410200816.2
申请日：2024-02-23
申请人： 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
摘要： 本申请提出了一种图像自动曝光矫正与增强方法及装置，该方法包括：根据正常曝光Raw图像数据中的线性关系，构造有监督的异常曝光图像数据集；构建全局亮度调整网络与频率增强重建网络，将异常曝光图像数据集输入全局亮度调整网络，得到亮度矫正图像，将亮度矫正图像输入频率增强重建网络，得到矫正增强图像；基于矫正增强图像与正常曝光Raw图像数据，计算损失值，并基于损失值对其网络模型参数进行优化，得到优化模型；将其他图像输入优化模型得到优化图像，根据图像质量评价指标评价优化图像，得到客观评估指标。基于本申请提出的方案，能够对原始Raw图像数据达到自动曝光矫正与增强的效果，从而应对复杂环境下成像质量低的问题。
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公开(公告)号：CN117793538B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410200816.2
申请日：2024-02-23
申请人： 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
摘要： 本申请提出了一种图像自动曝光矫正与增强方法及装置，该方法包括：根据正常曝光Raw图像数据中的线性关系，构造有监督的异常曝光图像数据集；构建全局亮度调整网络与频率增强重建网络，将异常曝光图像数据集输入全局亮度调整网络，得到亮度矫正图像，将亮度矫正图像输入频率增强重建网络，得到矫正增强图像；基于矫正增强图像与正常曝光Raw图像数据，计算损失值，并基于损失值对其网络模型参数进行优化，得到优化模型；将其他图像输入优化模型得到优化图像，根据图像质量评价指标评价优化图像，得到客观评估指标。基于本申请提出的方案，能够对原始Raw图像数据达到自动曝光矫正与增强的效果，从而应对复杂环境下成像质量低的问题。
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公开(公告)号：CN118431262A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410360177.6
申请日：2024-03-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B31/22
摘要： 本发明公开了一种基于Tl离子注入的p沟道GaN异质结构及制备方法，自下而上包括：衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、非故意掺杂GaN层和p型GaN层：在p型GaN层上做了Tl离子注入，通过注入Tl离子在GaN层中引入应变之后实现晶体场分裂的逆转，通过引入应变改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，在发生能带反转后，价带最大值处的空穴波函数将从具有主导的N‑px,y特征转变为N‑pz主导态，提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率。本发明通过在GaN中引入应力改变价带顶部的顺序，使分离空穴态高于轻空穴态和重空穴态，从而提高p沟道GaN异质结构的空穴迁移率，进而提高器件工作频率和输出功率及可靠性。
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公开(公告)号：CN118381622A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410215071.7
申请日：2024-02-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H04L9/40
摘要： 本发明公开了一种面向数据异构场景的拜占庭恶意客户端检测方法及其装置，涉及数据处理技术领域，包括：针对每一轮通信过程，获取所有客户端的本地模型集合；利用非线性降维拟合所有客户端的本地模型集合所在的流形空间，将所有客户端的本地模型集合的高维特征投影到低维特征，得到低维特征集合；将低维特征集合中的低维特征转换到SPD流形空间，使用对数欧式度量计算流形之间的距离，获取任一客户端到其他所有客户端的对数欧式距离集合，作为该客户端的可疑分数，将该可疑分数与设定的阈值进行对比，如果大于设定的阈值，则认为该客户端为拜占庭攻击者。本发明能够准确识别拜占庭攻击并提升全局模型精度。
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公开(公告)号：CN113571404B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110636750.8
申请日：2021-06-07
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种β‑Ga2O3薄膜的生长方法，包括：选取蓝宝石衬底；在T1温度条件下，在所述蓝宝石衬底上生长(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层；在T2温度条件下，在(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层上生长(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层；在T3温度条件下，在(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层上生长(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层，x1＞x2＞x3；在T4温度条件下，在(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层上生长β‑Ga2O3薄膜，T1＜T2＜T3＜T4。本发明在β‑Ga2O3薄膜与蓝宝石衬底之间引入了变温生长的(Al1‑xGax)2O3缓冲层，(Al1‑xGax)2O3缓冲层的引入不仅实现了衬底与薄膜之间的元素组分均匀地过渡，而且实现了晶格结构的过渡，从而减小了晶格失配引发的位错。根据各层缓冲层之间元素组分的不同，采用了不同的生长温度从而提高了缓冲层的生长质量，这就增强了β‑Ga2O3薄膜的二维生长，降低了薄膜的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118299250A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410344305.8
申请日：2024-03-25
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/40 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种基于纳米针预处理的AlGaN/GaN异质结及制备方法，其中，首先对衬底进行纳米针预处理，用来制备高性能AlGaN/GaN异质结，衬底的纳米针预处理方法包括步骤：提供纳米针模板，纳米针模板表面具有周期性排列的纳米针阵列；将纳米针阵列与衬底表面相对，并施加压力直至纳米针模板与衬底表面重合，分离纳米针模板和衬底，得到表面具有周期性排列的凹坑阵列的衬底。本发明在衬底的表面形成周期性排列的凹坑阵列，不仅对衬底的损伤较小，而且这些凹坑能够使得外延材料在三维生长模式下生长，同时凹坑周围具有表面悬挂键，能增加有机源在凹坑处的粘附性，精确控制外延层成核点的密度，降低了衬底上异质外延层的位错密度，从而提高衬底上外延层的质量。
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公开(公告)号：CN118173438A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410144816.5
申请日：2024-02-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/02 , C30B25/18 , C30B29/40
摘要： 本发明公开了一种基于具有介质缓冲层保护Si衬底的GaN材料制备方法。主要解决现有技术进行离子注入会对Si衬底造成较大晶格损伤及GaN异质外延存在位错密度较高的问题。其实现方案是：在清洗后的Si(111)衬底上沉积一层Si3N4缓冲层；在该缓冲层上进行离子注入，使衬底表面形成注入坑阵列；再去除Si3N4缓冲层及衬底表面残留离子；最后依次进行LT‑AlN成核层、HT‑AlN层、AlGaN缓冲层、GaN外延层的外延生长，完成材料制备。本发明通过Si3N4缓冲层及Si衬底表面的注入坑，能降低Si衬底的表面损伤，减小材料的位错密度，提升GaN外延层质量，可用于制备高性能的GaN基电力电子器件及光电器件。
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公开(公告)号：CN118129914A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410279922.4
申请日：2024-03-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于卫星热红外遥感的海表发射率简化方法，属于卫星热红外遥感图像处理技术领域。本发明方法包括：构建SSE估算模型，根据粗糙海表面的发射率的理论模型，通过设置不同的角度、风速与波长，采集各角度、风速与波长设置值下的海表发射率的理论值，以卫星观测角度、风速、波长与对应的海表发射率的理论值构成样本数据；基于样本数据采用最小二乘法对SSE估算模型的系数进行求解，得到用于卫星热红外遥感的SSE估算模型。本发明显著提高了海温反演的精度，其所需的输入参数更为简化，更适用于广泛的海温反演研究。本发明不仅在精度上取得了更大的突破，而且涵盖了更广泛的波长范围。
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公开(公告)号：CN117848539A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410028162.X
申请日：2024-01-08
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于稀土掺杂铝酸盐多晶的温度传感器探头及其制备方法，该方法是将装有YAP多晶粉末的氧化锆内坩埚嵌套于密封的钨外坩埚中，一起放置于高温马弗炉内加热，充入惰性气体，维持恒定正压力；将蓝宝石毛细管一端从钨外坩埚密封盖上的另一凸起内孔插入到氧化锆内坩埚熔体中，蓝宝石毛细管另一端与外部抽气装置相连，使蓝宝石毛细管内形成恒定负压，以10℃/min的速度降温至室温，熔体固化变成YAP多晶，将Bi2O3、B2O3、BaO、ZnO和SiO2与粘结剂混合，涂敷在蓝宝石光纤与上述的蓝宝石毛细管另一端的内腔表面；放入到真空钎焊炉中升温后降温，即得到一端掺有稀土离子铝酸盐多晶材料的温度传感器探头。该发明制备的测温探头体积小，方法简单，温度响应快。
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公开(公告)号：CN113937155B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202111150529.8
申请日：2021-09-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法，该组份渐变复合势垒层HEMT器件，包括SiC衬底/Si衬底、AlN成核层、中部厚度大于两侧厚度的GaN沟道层、AlN插入层、渐变Al组份AlGaN势垒层、与渐变Al组份AlGaN势垒层相邻且厚度相同的固定Al组份AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅电极和钝化层。本发明利用三族氮化物的极化效应，在栅下采用了渐变Al组份AlGaN势垒层，能够有效调节栅下半导体的能带结构，增加了势垒高度，降低了栅泄漏电流；同时在非栅势垒区采用了固定Al组份AlGaN势垒层，能保持沟道区高电子浓度，最终达到降低栅泄漏电流的同时保持漏极输出电流处于较高水平的效果。
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