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公开(公告)号：CN116311879B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211436615.X
申请日：2022-11-16
申请人： 电子科技大学 , 四川省自主可控电子信息产业有限责任公司
摘要： 本发明涉及城市交通流区域划分技术领域，涉及一种分层城市区域交通协调控制方法，包括：(1)对控制区域内按照提出的子区划分方法进行交通子区的划分；(2)与子区划分调整时间间隔同步，以15分钟作为协调控制方案调整时间间隔，根据子区划分情况对区域内协调控制方案进行调整更新；(4)以15分钟为协调控制周期，根据交通流预测数据对子区划分进行动态调整，并据此设计新的协调方案直至协调控制结束。本发明能从总体上降低道路拥堵率，提高道路通行能力。
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公开(公告)号：CN115995147B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211435997.4
申请日：2022-11-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G08G1/01 , G08G1/0968 , G06F30/18 , G06F30/20
摘要： 本发明涉及道路交通微观仿真技术领域，涉及一种实现高精度路径规划算法的仿真引擎系统，其包括：仿真初始化模块，负责路网绘制、路网转换、仿真参数生成，提供仿真引擎需要的路网文件与仿真参数文件；仿真引擎模块，提供仿真接口，能够通过路网文件与仿真参数文件，来进行完整时间段的交通仿真，并输出仿真结果；仿真可视化与分析模块，对仿真引擎输出的仿真结果，进行3D化的仿真可视化与仿真结果分析。本发明能较佳地进行微观交通仿真。
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公开(公告)号：CN116682259A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310674386.3
申请日：2023-06-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于路网子区划分的城市区域道路交通协调控制方法，包括设置检测城市区域道路拥堵状态的周期时长，按周期时长获取城市区域道路的交通数据；获取一次城市区域道路的交通数据，对其进行路网子区划分，得到k个路网子区；根据每个路网子区的交通数据，确定其交通拥堵等级；对路网子区，构建多目标函数多约束条件的函数模型；并依次对k个路网子区生成初始协调控制方案，构成本轮的城市区域道路交通协调控制方案。本发明能尽可能地将内部的拥堵交通流在区域内进行分散，以及向区域外进行疏散，达到避免或者延缓城市区域道路交通拥堵发生的目的，缓解效果优于定时控制和不进行路网子区划分的协调控制。
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公开(公告)号：CN110571269B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910754063.9
申请日：2019-08-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/167 , H01L21/331
摘要： 本发明提出了一种具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法。该异质结IGBT器件主要特点是将宽带隙半导体材料与硅材料相结合的异质结部分生长在外延层上，将掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延生长在P+型宽带隙半导体材料衬底上，并形成外延层，通过刻蚀形成外延层中的沟槽，该沟槽刻蚀的深度到达P+型衬底表面，利用外延生长技术或者键合技术在该N型宽带隙半导体材料外延层表面异质生长N型硅半导体材料外延层。利用宽带隙半导体材料的高临界击穿电场，将器件的击穿点从高电场区域转移到低电场区域，使得器件可承担更高的击穿电压，突破了传统硅半导体材料临界击穿电场的限制。
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公开(公告)号：CN108198850B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201711437748.8
申请日：2017-12-26
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(SJ‑LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在SJ‑LDMOS器件的漏端区域形成具有深沟槽的高K介质层，深沟槽的高K介质层下端深入器件衬底上的外延层，上端与器件表面的漏电极相连接。在器件关断时高K介质层上具有均匀的电场从而可以调制器件的体内的电场分布，降低了器件漏端的纵向高峰电场，优化了器件的纵向电场分布；同时，高K介质层与宽带隙半导体材料衬底形成MIS电容结构，器件关断时能够有效地辅助耗尽衬底中的电荷，从而进一步优化了器件击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN110544723A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910754806.2
申请日：2019-08-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/165 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L21/336
摘要： 本发明提出了一种具有部分碳化硅材料/硅材料异质结的U-MOSFET及其制作方法，该U-MOSFET器件主要特点是将碳化硅材料与硅材料相结合形成异质结，以碳化硅衬底和N型碳化硅外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外延层，并刻蚀N型硅外延层中间区域深入N型碳化硅外延层顶部，形成槽栅结构。利用碳化硅材料的高临界击穿电场特性，通过击穿点转移技术，将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入碳化硅材料中，抬高了器件的纵向电场峰，器件可承担更高的击穿电压，突破了传统硅基U-MOSFET器件受单一硅材料临界击穿电场的限制，同时碳化硅材料的高热导率特性有利于器件散热，提高了器件可靠性，有效改善了器件性能。
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公开(公告)号：CN110429137A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910754054.X
申请日：2019-08-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/267 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法，该异质结VDMOS器件主要特点是在外延层上形成部分具有氮化镓材料与硅材料相结合的异质结，在氮化镓材料N+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型氮化镓半导体材料外延层，通过刻蚀掉中间一部分的N型氮化镓外延层，再以该N型氮化镓半导体外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅半导体材料外延层，该结构应用了硅基MOS通道，避免了氮化镓MOS中沟道电阻大的问题；利用氮化镓半导体材料的高临界击穿电场，将器件在曲率半径大的位置的高电场峰引入曲率半径小的位置，提高了器件的纵向电场峰，器件可承担更高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN109860429A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811566341.X
申请日：2018-12-20
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管，属于电致发光器件领域，从下到上依次设置的衬底层，阳极层，空穴传输层，钙钛矿发光层，电子传输层以及阴极；阳极层与阴极之间通过外加电源电连通；所述钙钛矿发光层由液晶掺杂于钙钛矿溶液中所得的溶液制成，液晶与钙钛矿溶液的体积掺杂比例为5％-15％；采用液晶作为钙钛矿层结晶助剂，能有效控制钙钛矿发光方向，使得输出光方向与玻璃基板垂直，进而增大光输出耦合效率，减小光能量浪费；利于促进钙钛矿结晶覆盖率，减少晶界和钙钛矿层缺陷态的存在，进而增大钙钛矿的辐射复合效率。
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公开(公告)号：CN109671855A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811562033.X
申请日：2018-12-20
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了基于超薄介电间隔层的钙钛矿发光器件，属于电致发光器件技术领域，包括从下到上依次设置的衬底层、阳极层、空穴传输层、电子传输层以及阴极，所述阳极层和阴极之间通过外加电源电连通，形成完整的电路；所述空穴传输层和所述电子传输层之间设置有至少两层超薄电介层和比超薄电介层层数少一层的钙钛矿发光层，超薄电介层和钙钛矿发光层从下到上依次相间设置，空穴传输层上表面上旋涂有超薄电介层，电子传输层的下表面上旋涂有超薄电介层；有利于缓解甚至消除钙钛矿层与空穴传输层、电子传输层界面间的激子淬灭效应，进而减小钙钛矿发光器件漏电流，最终增大钙钛矿发光器件的发光效率。
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