一种制备无铅钙钛矿像素化闪烁薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115636434A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202211192295.8

    申请日:2022-09-28

    IPC分类号: C01G3/00 G01T1/202

    摘要: 本发明公开了一种制备无铅钙钛矿像素化闪烁薄膜的方法,采用反溶剂法制备了一维无铅CsCu2I3粉末,研究了其形貌粒径以及发光性能,该粉末在330nm紫外激发下发射强烈的黄光,斯托克斯位移大(245nm),无自吸收;为克服已有铅基薄膜技术的不足,采用模板辅助法和负压填充法制备了可控尺寸的像素化CsCu2I3柔性可弯曲闪烁薄膜,此薄膜可以避免闪烁光的横向色散,提高闪烁屏的空间分辨率。例如,将0.5‑3微米尺寸的粉末填充到40μm的PDMS模板中,获得像素化闪烁薄膜,此薄膜无毒且制备工艺简单,可用于高能X射线探测及成像。本发明相关研究内容为高能X射线探测领域提供了一种新的粉末闪烁材料制备像素化闪烁屏的设计,对其制备和性能研究具有重要的指导意义。