公开(公告)号：CN109853006A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910067334.3

申请日：2019-01-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 郑莉 ,  王翀 ,  张东明 ,  何为 ,  王守绪 ,  曾毅 ,  周璇 ,  陈苑明 ,  周国云 ,  洪延

IPC分类号： C25D3/38

摘要： 本发明公开了一种高温高速条件下电镀铜的添加剂配方及电镀方法，属于电子元器件制造技术领域。本发明使用大电流高速电镀，缩短了电镀时间，大大提高了生产效率；本发明克服了在高温大电流情况下电镀铜面不光亮、不平整、镀层粗糙、镀层与基底结合力差、通孔和盲孔均镀能力差等的缺点，提高了电镀铜的空时效率。

公开(公告)号：CN117253917A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311394489.0

申请日：2023-10-25

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  周璇 ,  马晓华 ,  李昂 ,  刘凯 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种通过表面陷阱屏蔽的GaN MIS HEMT及其制备方法，涉及半导体技术领域，上述通过表面陷阱屏蔽的GaN MIS HEMT包括：衬底层、位于衬底层一侧的Buffer层、GaN层和AlGaN层、位于AlGaN层远离衬底层一侧的源极、漏极以及位于源极与漏极之间的P型AlGaN层；位于P型AlGaN层和AlGaN层远离衬底层一侧的介质层；位于介质层和栅极远离衬底层一侧的钝化层；其中，在源极指向漏极的方向上，P型AlGaN层的长度大于所述栅极的长度；位于源极、漏极和栅极顶面的互联金属。由于栅极与漏极之间的P型AlGaN层可以屏蔽介质层与AlGaN层之间的陷阱对电子的俘获作用，从而改善电流崩塌效应。

公开(公告)号：CN114492715A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111632815.8

申请日：2021-12-28

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 戴奉周 ,  周璇

IPC分类号： G06N3/00 ,  G06N7/08

摘要： 本发明公开了一种基于混沌反向学习和自适应螺旋搜索的改进麻雀搜索方法，包括：步骤1：初始化算法参数，并利用混沌反向学习策略初始化种群；步骤2：计算种群中每个个体的初始适应度值，并确定最优个体位置；步骤3：采用自适应螺旋搜索策略分别对种群中发现者和跟随者的位置进行更新；步骤4：对种群中预警个体的位置进行更新；步骤5：采用混沌反向学习策略对种群中的每个个体位置进行更新；步骤6：更新种群中每个个体的适应度值和最优个体位置，并保留部分优势个体；步骤7：若判断当前迭代次数达到最大迭代次数，则输出最优个体位置；否则，返回步骤3继续执行。该方法增强了种群多样性，避免了现有算法容易陷入局部最优的问题。

公开(公告)号：CN116864531A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310891975.7

申请日：2023-07-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 王冲 ,  周璇 ,  马晓华 ,  李昂 ,  刘凯 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种具有渐变凹槽终端的高电子迁移率晶体管及制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、第一沟道层和第一势垒层；N层依次层叠设置在部分第一势垒层的第一组合子层，每层第一组合子层包括层叠设置的第二势垒层和第二沟道层；N层依次层叠设置在部分第一势垒层的第二组合子层，每层第二组合子层包括层叠设置的第三势垒层和第三沟道层，从最下层的第1层第二组合子层至最上层的第N层第二组合子层中靠近第一组合层的一端呈层阶梯状结构设置。本发明通过在器件的栅极靠漏极边缘处引入渐变凹槽深度的终端结构来分散电场峰值，使得偏压较高时器件中的电场分布更加均匀，进而实现更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN110035603A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910337319.6

申请日：2019-04-25

申请人： 电子科技大学 ,  四川英创力电子科技股份有限公司

发明人： 张东明 ,  何为 ,  周璇 ,  祝镭峡 ,  何伍洪 ,  陈苑明 ,  王守绪 ,  周国云 ,  王翀 ,  李清华 ,  艾克华

IPC分类号： H05K1/16

摘要： 一种印制电路埋嵌电感的制备方法，属于电感制备技术领域。本发明通过在介质表面依次形成金属种子层和图形化抗蚀层，在没有抗蚀层覆盖的金属种子层上形成金属导体结构，并将图形化抗蚀层和其下覆盖的金属种子层作为牺牲层去除，再在金属导体结构上沉积磁性薄膜，从而实现印制电路埋嵌电感的制作。本发明能够实现在任意基材上制作埋嵌电感，使得埋嵌电感元件应用更加方便、灵活；制得产品的电感值提升显著，同时也避免了在导磁材料上制作通孔所导致电感性能不可控的问题；制备工艺与印制电路板生产流水线兼容，无需增加额外的工序，减少了设备和技术的投入，有利于降低成本，实现工业化生产。

公开(公告)号：CN113534149A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110627285.1

申请日：2021-06-04

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 戴奉周 ,  周璇 ,  韩彤

IPC分类号： G01S13/90 ,  G01S13/931

摘要： 本发明提供的一种基于MIAA的分布式雷达成像方法，在调频连续波雷达的基础之上，利用MIMO形式，通过分置多部雷达，并控制雷达之间的距离。通过获取每个雷达的回波信号的采样数据；确定与采样数据格式相同的丢失数据；对采样数据进行初始谱估计，获得采样数据的频谱；在完整数据的干涉协方差矩阵已知的条件下，基于频谱中幅度谱与采样数据的线性关系，确定丢失数据与采样数据的线性关系；在丢失数据与采样数据的线性关系的基础上，利用最小均方误差准则估计丢失数据中的数据值，以将缺失部分数据补全，使其效果等同于一部大孔径雷达，进而完成雷达的高分辨成像，提高车载雷达成像的灵活性，同时降低成本。

公开(公告)号：CN110035603B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201910337319.6

申请日：2019-04-25

申请人： 电子科技大学 ,  四川英创力电子科技股份有限公司

发明人： 张东明 ,  何为 ,  周璇 ,  祝镭峡 ,  何伍洪 ,  陈苑明 ,  王守绪 ,  周国云 ,  王翀 ,  李清华 ,  艾克华

IPC分类号： H05K1/16

摘要： 一种印制电路埋嵌电感的制备方法，属于电感制备技术领域。本发明通过在介质表面依次形成金属种子层和图形化抗蚀层，在没有抗蚀层覆盖的金属种子层上形成金属导体结构，并将图形化抗蚀层和其下覆盖的金属种子层作为牺牲层去除，再在金属导体结构上沉积磁性薄膜，从而实现印制电路埋嵌电感的制作。本发明能够实现在任意基材上制作埋嵌电感，使得埋嵌电感元件应用更加方便、灵活；制得产品的电感值提升显著，同时也避免了在导磁材料上制作通孔所导致电感性能不可控的问题；制备工艺与印制电路板生产流水线兼容，无需增加额外的工序，减少了设备和技术的投入，有利于降低成本，实现工业化生产。