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公开(公告)号：CN118100825B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410144130.6
申请日：2024-01-31
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于可调有源谐波抑制电路的微波功率放大系统，包括可调有源谐波抑制电路、微波晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络。该放大系统利用晶体管本征非线性寄生电容随工作点和输入信号改变的特性，与合适的无源结构组合实现对二次谐波阻抗和三次谐波阻抗的动态匹配，抑制二次谐波和三次谐波输出功率，同时调制带外频率响应，动态改变谐波频率增益。可调有源谐波抑制电路作为并联枝节集成在功率放大器的输出匹配网络中，同时参与基波匹配，避免级联额外滤波器，减小了损耗，节省了面积。
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公开(公告)号：CN118100825A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410144130.6
申请日：2024-01-31
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于新型可调有源谐波抑制电路的微波功率放大系统，包括新型可调有源谐波抑制电路、微波晶体管、输入匹配网络和输出匹配网络。该放大系统利用晶体管本征非线性寄生电容随工作点和输入信号改变的特性，与合适的无源结构组合实现对二次谐波阻抗和三次谐波阻抗的动态匹配，抑制二次谐波和三次谐波输出功率，同时调制带外频率响应，动态改变谐波频率增益。新型可调有源谐波抑制电路作为并联枝节集成在功率放大器的输出匹配网络中，同时参与基波匹配，避免级联额外滤波器，减小了损耗，节省了面积。
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公开(公告)号：CN102779852A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210248535.1
申请日：2012-07-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免了采用SiO2/SiC界面导致的大量陷阱态，显著降低了FN隧穿电流的影响，同时由于沟道注入区的电场强度比较小，因此削弱了导带/价带偏移量比较小导致的栅介质击穿电压的降低；而在低缺陷密度、高电场的JFET区采用SiO2栅介质（JFET区域由外延形成，没有进行离子注入，表面质量好，SiO2/SiC界面态比较低），SiO2介质能够提供足够高的导带偏移量，从而避免了栅介质的提前击穿。
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公开(公告)号：CN116208122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310371925.6
申请日：2023-04-10
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03H11/16 , H03K17/687
摘要： 本发明公开一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有移相器Lange桥尺寸较大的问题，本发明采用平面螺旋宽带耦合网络和宽带相位补偿网络，实现移相电路紧凑布局；平面螺旋宽带耦合网络采用一级线圈和次级线圈组成的两级线圈耦合网络，简化电路，并通过多次弯折两级耦合线圈形成平面螺旋布局，耦合网络面积大幅减小；宽带相位补偿网络采用电感、电容组成的无损带通响应网络对平面螺旋耦合网络进行相位补偿，改善高频响应，扩展高频带宽；相比Lange桥耦合器的传统反射型移相器面积大幅减小，实现了GaN移相器小型化，大幅降低成本，有利于GaN移相器的推广应用以及GaN MMIC多功能集成。
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公开(公告)号：CN102779852B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210248535.1
申请日：2012-07-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种具有复合栅介质结构的SiC VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免了采用SiO2/SiC界面导致的大量陷阱态，显著降低了FN隧穿电流的影响，同时由于沟道注入区的电场强度比较小，因此削弱了导带/价带偏移量比较小导致的栅介质击穿电压的降低；而在低缺陷密度、高电场的JFET区采用SiO2栅介质（JFET区域由外延形成，没有进行离子注入，表面质量好，SiO2/SiC界面态比较低），SiO2介质能够提供足够高的导带偏移量，从而避免了栅介质的提前击穿。
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公开(公告)号：CN103400853A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310330738.X
申请日：2013-08-01
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法。本发明所述的一种碳化硅肖特基势垒二极管，包括依次层叠设置的阴极电极、N+衬底、N-漂移区、P+层和阳极电极，其特征在于，所述P+层上有多个有固定间距的凹槽，所述阳极电极填充在凹槽内。本发明的有益效果为，降低了生成碳化硅肖特基势垒二极管工艺的难度，提高了器件的性能和成品率，同时由于具有P+层，高压时能产生电导调制效应，从而具有大的抗浪涌能力。本发明尤其适用于碳化硅肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN116247044A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310160368.3
申请日：2023-02-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开一种高对称性超宽带氮化镓功率放大器功率合成网络，应用于单片式微波集成电路领域，针对现有的树形功率合成网络，在Ku波段，过长的二级功率合成传输线严重恶化了该功率合成网络的高频特性，无法满足高频、超宽带要求的问题；本发明的功率合成网络晶体管采用X形布局，使得功率合成网络结构在横向和纵向均呈轴对称，并相对于二级功率合成点中心对称，提高了功率合成网络对称性和大信号偶模稳定性，并有利于芯片的散热，提高了热稳定性；本发明还利用两阶L‑C低通匹配网络使阻抗变换在超宽带内都位于Smith圆图低Q值区，进一步改善高频带宽和插入损耗。
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公开(公告)号：CN118428297A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410516914.7
申请日：2024-04-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F17/16 , H03F1/30
摘要： 本发明属于单片式微波集成电路领域，特别涉及一种多级放大电路的稳定性计算判定方法，该方法基于多级放大电路中各级晶体管的预期直流偏置提取的参数，建立包含频率、直流偏置、S参数和端口阻抗的行为级矩阵模型，再根据行为级矩阵模型建立单级放大单元稳定性计算电路，对各级放大单元稳定性进行计算判定。由于建立的行为级矩阵模型包含了直流偏置变量，因而可不受电路拓扑结构限制，模拟工艺偏差导致的直流偏置波动。本发明的方法能对多级放大电路中的各级放大单元逐一进行涵盖了直流偏置波动的稳定性计算判定，有效提高多级放大电路设计的完备稳定性。
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