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公开(公告)号：CN104538315B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510008299.X
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。
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公开(公告)号：CN104141898A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410294645.0
申请日：2014-06-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： F21S2/00 , F21V21/00 , F21V5/08 , F21V19/00 , F21Y101/02
摘要： 本发明公开了一种高亮度光纤直接耦合LED冷光源，包括用于发光的LED发光机构、涂有光转换物质的透光层，所述LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明采用光纤耦合的方式把LED发光机构中LED晶片发出的光经光纤传导至另一端透过透光层后发出高亮度的冷光，实现了LED晶片与荧光粉的隔离，避免传统一体化的LED因高温导致LED光衰、发光效率低、寿命缩短的缺点，同时能够得到不同颜色、不同出射角度的高亮度LED冷光源。本发明使用寿命长、体积小、结构简单，能够根据不同需求出射不同形式、不同颜色的光，满足各个照明领域的需求。本发明适用于作医疗器械照明、汽车照明等照明领域以及投影机光源。
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公开(公告)号：CN104538315A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510008299.X
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 四川洪芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/485 , H01L24/83 , H01L2224/83
摘要： 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。
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公开(公告)号：CN104132262A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410294632.3
申请日：2014-06-24
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源，它包括用于发光的LED发光机构、透光层，所述LED发光机构为具有红、绿、蓝三基色的LED晶片机构，LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明使片寿命长、发光效率高、功率大，体积小、结构简单，且彩色色域更宽，色度均匀，便于调整复合光的色域和色度，满足投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源的需求。本发明适用作投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源等。
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公开(公告)号：CN104617094B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510008849.8
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N‑外延层、二氧化硅层，所述N‑外延层顶端设有两个对称的、贯通二氧化硅层的P+有源区，所述每个P+有源区的外围设有保护环，在所述保护环的外围还设有场限环，P+型有源区通过接触孔引出两个金属电极，并在接触孔四周的二氧化硅层上设有金属场板。本发明采用两个背靠背二极管结构的双端集成器件作为高压ESD保护器件，具有结构简单、成本低、耐压性高等优点。本发明适用于高电压下对器件的ESD/ESO的保护。
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公开(公告)号：CN104617094A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510008849.8
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法，其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层，N+衬底、N-外延层、二氧化硅层，所述N-外延层顶端设有两个对称的、贯通二氧化硅层的P+有源区，所述每个P+有源区的外围设有保护环，在所述保护环的外围还设有场限环，P+型有源区通过接触孔引出两个金属电极，并在接触孔四周的二氧化硅层上设有金属场板。本发明采用两个背靠背二极管结构的双端集成器件作为高压ESD保护器件，具有结构简单、成本低、耐压性高等优点。本发明适用于高电压下对器件的ESD/ESO的保护。
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公开(公告)号：CN103997086B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410192237.4
申请日：2014-05-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统，包括供电模块，其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源，均包括两组串接的超级电容器组；充电模块，包括正、负电源充电器，它们的电源输入端分别连接外部交流电源，正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端；智能充放电控制模块，输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息，控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电，实现对音频功率放大器的不间断供电，并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰，改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。
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公开(公告)号：CN103997086A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410192237.4
申请日：2014-05-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统，包括供电模块，其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源，均包括两组串接的超级电容器组；充电模块，包括正、负电源充电器，它们的电源输入端分别连接外部交流电源，正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端；智能充放电控制模块，输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息，控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电，实现对音频功率放大器的不间断供电，并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰，改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。
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公开(公告)号：CN104505390B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201510008547.0
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，它包括由若干个MOS单元一起构成的功率MOS结构，和由两组反向并联的二极管链构成的ESD保护结构，所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率MOS结构的栅极和源极两端；所述二极管链的开启电压大于功率MOS结构最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，且充当ESD防护的二极管单元设于n‑外延上并且与MOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与MOS器件工艺相兼容。本发明的集成式二极管链功率MOS防静电保护结构，适用于大功率、高电压条件下对器件进行保护工作。
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公开(公告)号：CN104538395B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510008374.2
申请日：2015-01-08
申请人： 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构，它包括由若干个VDMOS单元一起构成的功率VDMOS器件，和由若干个齐纳二极管单元构成的ESD保护结构；所述ESD保护结构的等效输出端并接在所述功率VDMOS器件的栅极和源极两端；所述齐纳二极管单元的反向击穿电压大于所述一种功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构的最大栅源工作电压，且小于栅氧化层的最小击穿电压。本发明的功率VDMOS器件二极管并联式ESD防护机构寄生电容小、防护效果更好、工作更可靠，充当ESD防护的单元设于n‑外延上并且与VDMOS单元相隔离，使得制造工艺简单、结构稳定并且与VDMOS器件工艺相兼容。本发明适用于功率VDMOS器件的ESD防护。
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