公开(公告)号：CN116768626A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310180379.8

申请日：2023-02-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘浩天 ,  刘成 ,  赵学明 ,  黄达 ,  张岱南 ,  李元勋 ,  张怀武

IPC分类号： C04B35/499 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。

公开(公告)号：CN116768626B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202310180379.8

申请日：2023-02-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 刘浩天 ,  刘成 ,  赵学明 ,  黄达 ,  张岱南 ,  李元勋 ,  张怀武

IPC分类号： C04B35/499 ,  C04B35/622

摘要： 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。