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公开(公告)号：CN118040269A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410350834.9
申请日：2024-03-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/18
摘要： 本发明属于电子薄膜器件技术领域，具体为一种基于电流调控的量子自旋波移相器，包括自旋波波导和一对用于注入电流的导电条；所述自旋波波导由基片和形成于基片上的磁性导电薄膜构成，磁性导电薄膜用于传输自旋波；所述一对导电条设于自旋波波导的两侧，且与自旋波在磁性导电薄膜的传输方向呈90度角，导电条的一端与磁性导电薄膜相连，另一端远离导电磁膜。通过导电条向自旋波磁性导电薄膜施加沿X方向传输的直流电流，在传输过程中，该电流形成的固有磁场与磁波导材料中电子磁矩产生的磁场进行耦合，使磁波导中的磁矩产生局部偏移，从而影响自旋波在该处的传播，进而精确改变其相位。
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公开(公告)号：CN117538841A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311538514.8
申请日：2023-11-17
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于RFSoC的回波信号的波束合成方法，包括：根据RFSoC采集的回波信号的信号数据，确定RFSoC的方位维自适应权矢量和俯仰维自适应权矢量；根据RFSoC的方位维自适应权矢量，确定RFSoC的方位维自适应波束；根据RFSoC的通道的排列位置以及RFSoC的俯仰维自适应权矢量，确定RFSoC的方位维第一静态波束和RFSoC的方位维第二静态波束；根据RFSoC的方位维自适应波束，合成回波信号的俯仰维和差波束；根据RFSoC的方位维第一静态波束以及RFSoC的方位维第二静态波束，合成回波信号的方位维和差波束；如此，在减少数据交互、数据传输量的同时保证了对主瓣干扰的抑制能力。
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公开(公告)号：CN116715519A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310478091.9
申请日：2023-04-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种ZnZrTa2O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的分子式为ZnZr1‑xGexTa2O8；其中，0.02≤x≤0.1。本发明的一种ZnZrTa2O8基微波介质陶瓷材料，具有中低介电常数、高品质因数、低谐振温度系数等特点，能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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公开(公告)号：CN114840052A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210782939.2
申请日：2022-07-05
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种通用化二维数字波束形成技术的IP核及生成方法，生成方法包括：配置阵列天线的天线行数、天线列数、天线行间距、天线列间距和相位零点，并计算各阵元距离相位零点的水平间距和竖直间距；通过载频系数配置载频本振，并利用期望波束形成方向、载频本振、水平间距和竖直间距计算期望方向的空域导向矢量；利用天线行数、天线列数和高斯窗口宽度参数计算目标高斯窗；将空域导向矢量与目标高斯窗相乘，计算得到波束形成权系数；对上述步骤所形成的程序进行综合与时序优化，并生成可调用的通用化IP核。该IP核生成方法有效提高了该方法对于不同阵列天线排布的适用性，提高了该方法的通用性；该方法的可移植性高，操作简单，实现简单易懂。
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公开(公告)号：CN114280550B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210205602.5
申请日：2022-03-04
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于典范相关分离主瓣干扰抑制的方法，包括：获取雷达回波信号；以雷达发射信号为参考，对所述回波信号进行第一次典范相关分离；对第一次典范相关分离的结果进行脉压处理，得到第一脉压结果；根据所述第一脉压结果对所述回波信号进行第二次典范相关分离；对第二次典范相关分离的结果进行脉压处理，得到目标位置。本发明利用回波信号与已知的发射信号较好的相关性，通过两次典范相关分离方法对回波信号中的目标信号和干扰信号实现很好的分离效果，从而提升了抗干扰特性，且该方法运算量小，系统复杂度不高，实现成本较低。
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公开(公告)号：CN114265018B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210184291.9
申请日：2022-02-28
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于多频分体制雷达的近程杂波抑制方法，该方法包括：基于叠加步进频的雷达体系，得到杂波回波数据；根据杂波回波数据中的接收空间频率和多普勒频率分析二维分布；找出发射空间频率和模糊区域之间的关系；基于发射空间频率和模糊区域之间的关系，构造主值距离补偿矢量，以得到补偿后的杂波回波数据；根据补偿后的杂波回波数据构造阻塞矢量，以得到各个模糊区域阻塞后的数据；对各个模糊区域阻塞后数据的表达式联立方程组，以求出每个模糊区域的杂波数据。本发明的发射阵元数只有一个，节省了硬件的成本，并且计算复杂度低，较为容易实现，对系统参数要求较低，不需要考虑发射空间频率模糊的情况，杂波分离，抑制效果好。
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公开(公告)号：CN110002874B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910362178.3
申请日：2019-04-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种新型超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料的结构式为Ce2Zr3(MoO4)9，以Ce2O3、ZrO2和MoO3为原料，按照分子式Ce2Zr3(MoO4)9配制。本发明微波介质陶瓷在无烧结助剂作用下可在700～775℃下烧结成瓷，其介电常数为9.9～10.05，品质因数为15273～29501GHz，谐振频率温度系数为‑14.09～‑24.34ppm/℃。该体系烧结温度低、介电常数小、温度系数近于零(温度稳定性优异)、传输损耗较低(品质因数较高)，适合应用于LTCC高频微波电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN112851346A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110211647.9
申请日：2021-02-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种超低损耗铌酸锆镁体系微波介质陶瓷材料及制备方法，化学通式为Mg1‑xCuxZrNb2O8,0＜x≤0.1，其晶相为纯相MgZrNb2O8；微波介质陶瓷材料由MgO、CuO、ZrO2、Nb2O5按照化学通式Mg1‑xCuxZrNb2O8,其中0
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公开(公告)号：CN112661509A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011548592.2
申请日：2020-12-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495
摘要： 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr1‑xTixNb2O8，其中，0.1≤x≤0.4。本发明提供的高Q值微波介质陶瓷材料能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势。本发明微波介质陶瓷材料的介电常数为20～28，品质因数为22355～130123GHz，谐振频率温度系数为‑29～‑46ppm/℃，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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公开(公告)号：CN108727022B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810724303.6
申请日：2018-07-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种超低损耗铌酸镁锂体系微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波介质陶瓷技术领域。本发明微波介质陶瓷材料的化学通式为Li3+xMg2NbO6，其中0.02≤x≤0.08；其表现为单相。本发明制备方法包括如下步骤：配料、球磨、预烧、球磨、造粒、压制成型、保护氛围下埋藏烧结。本发明采用固相反应并将样品埋在相同成分的粉料中烧结，制备方法简单，降低了生产成本，所得陶瓷材料的结构稳定；过量Li的引入以及保护氛围烧结可解决Li挥发问题，缓解陶瓷晶粒异常增长的现象，提高致密度，使其具有极高的品质因数。本发明陶瓷材料的介电性能如下：相对介电常数εr＝＝14～16，Q×f＝90000～160000GHz，τf＝‑20～‑36ppm/℃。本发明陶瓷材料可广泛应用于通讯系统中的天线、谐振腔、滤波器等微波元件。
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