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公开(公告)号：CN117848680A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410035535.6
申请日：2024-01-10
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种高速半导体激光器的啁啾参数测试方法，属于光电子技术领域。目的在于克服当前扫频测试方法中需要额外辅助参量测试以及多参数拟合没有唯一解的问题。本方法通过扫频测试得到光纤传递函数曲线，调节待测高速半导体激光器的偏置电流改变其输出光功率，使得光纤传递函数曲线在高频处的功率极小点的频率恰好不再随高速半导体激光器输出光功率变化而变化，然后通过光纤传递函数曲线在高频处的功率极小点的频率计算得到光纤色散参数和高速半导体激光器的线宽增强因子，接着使用最小二乘法拟合法得到高速半导体激光器的绝热啁啾系数，最终计算获得高速半导体激光器的啁啾参数。
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公开(公告)号：CN106647095B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710023312.8
申请日：2017-01-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及光电技术领域，特别涉及在基于孤子自频移效应全光量化系统中的一种低基座光谱压缩和高量化精度的全光量化装置，有效解决全光量化过程有效位数不高的问题。本发明具体步骤如下：通过孤子自频移效应使输入的超短光脉冲光谱发生红移，完成“强度到波长”映射，得到自频移后的光脉冲；自频移后的光脉冲通过双向二级光谱压缩部分，重复利用反常群速度色散和自相位调制的共同作用实现光谱压缩，从而实现高精度光量化，同时利用耦合比α≠0.5的光耦合器和高非线性光纤构成的环路降低光谱压缩后伴随产生的光谱基底。本发明可同时实现低基座光谱压缩和高量化精度的全光量化效果，简化了系统装置，降低了硬件成本，显著提高了全光量化系统性能。
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公开(公告)号：CN107085143A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710272515.0
申请日：2017-04-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R23/14
CPC分类号： G01R23/14
摘要： 本发明涉及一种光电频响测试仪及测试方法。本发明由移频外差模块、微波夹具模块、射频模块、控制与数据处理模块构成，移频外差模块由待测直调激光器、可调谐激光器、光开关、待测电光调制器、光移频单元、光本振单元、参考源、待测光电探测器组成，微波夹具模块提供微波开关和不同射频端口使用场景，射频模块由主微波源和幅相接收单元组成。通过控制光开关和微波开关，同时设置主微波源和参考源输出正弦微波信号的频率关系，结合幅相接收单元对所需频谱边带进行分析，从而获得待测直调激光器、待测电光调制器和待测光电探测器的频响特性参数，摆脱了传统方法的额外校准测试，降低了光电子器件的测试成本，提高了器件测试精度和灵活性及可靠性。
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公开(公告)号：CN107085142A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710272509.5
申请日：2017-04-24
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R23/14
CPC分类号： G01R23/14
摘要： 本发明提供了一种光电子器件频率响应的测试装置与方法。本发明由可调谐激光器、外差仪、待测光‑电器件、频谱分析与数据处理模块依次级联组成，其中外差仪由移频模块与待测电‑光器件组成的电‑光器件测试臂和辅助调制模块与待测光‑光器件组成的光‑光器件测试臂构成，同时第一信号源连接在待测电‑光器件的驱动电极上，第二信号源连接在辅助调制模块的驱动电极上；设置第一信号源和第二信号源输出正弦微波信号的频率关系，通过频谱分析与数据处理模块测得对应频率的功率比值，获得待测电‑光器件、待测光‑光器件和待测光‑电器件的频率响应值，且各器件之间相互不影响，实现一个系统中多种器件的频率响应自校准测试。
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公开(公告)号：CN103837188B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310015436.3
申请日：2013-01-16
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01D18/00
摘要： 本发明公开了一种光电探测器频率响应测量装置及其测量方法，属于光电子技术领域。本发明避免了现有技术中传统方法复杂的校准过程，测量装置包括半导体激光器、偏振控制器、电光调制器、微波信号源、波长可调谐激光器、光耦合器、待测光电探测器、频谱分析仪；所述半导体激光器、偏振控制器、电光调制器、光耦合器与待测光电探测器之间依次光路连接，所述波长可调谐激光器光路连接电光调制器；所述微波信号源与电光调制器之间为电路连接；所述待测光电探测器与频谱分析仪之间为电路连接。本发明具有测量准确度高、操作简单的优点。
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公开(公告)号：CN103645371B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310710717.0
申请日：2013-12-20
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种测量电光相位调制器半波电压的装置和方法，包括依次连接的可调谐激光器、第一光耦合器、偏振控制器、待测电光相位调制器、第二光耦合器、光电探测器、频谱分析仪，还包括微波信号源和声光移频器。本发明采用可调谐激光器输出光载波通过第一光耦合器分成两束，分别经过声光移频器和待测电光相位调制器处理，再经第二光耦合器合束，实现稳定的拍频，并通过载波拍频和边带拍频的幅度对比获得电光相位调制器的半波电压，具有分辨率高、精度高、准确性好、结构简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN103234735B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310137527.4
申请日：2013-04-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本发明公开了一种测量电光强度调制器啁啾参数频率响应特性的装置与方法，涉及光电子技术领域。可调谐激光器、偏振控制器、待测电光强度调制器、微波信号源、第一光连接器、第二光连接器、单模光纤、光功率计、光电探测器、微波功率计、数据采集卡、计算机；所述可调谐激光器、偏振控制器、待测电光强度调制器、第一光连接器、色散光纤组、第二光连接器、光电探测器之间依次光路连接；所述光电探测器、微波功率计、数据采集卡、计算机、微波信号源之间依次电路连接。本发明具有测量精度高、操作方便的优点，在光纤通信系统、电光强度调制器分析、光信号处理方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN105022178A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510506308.8
申请日：2015-08-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G02F1/035
CPC分类号： G02F1/035
摘要： 本发明公开了一种基于平面波导的石墨烯相位型光调制器，该光调制器包括衬底层、光波导、第一电介质填充层、第二电介质填充层及电极结构；第一电介质填充层、第二电介质填充层及光波导均位于衬底层上端，光波导由从下往上依次设置的第一矩形波导、第一隔离介质层、第一石墨烯层、第二隔离介质层、第二石墨烯层、第三隔离介质层、第二矩形波导组成；电极结构包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层分别沉积在第一石墨烯层、第二石墨烯层的延伸部分的上端面。本发明的石墨烯层内嵌于光波导中，增强了石墨烯与光的相互作用，降低了系统的电阻，提高了调制器的调制速率，可以有效调控波导中的有效折射率变化，实现对光场相位的动态调制。
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公开(公告)号：CN103645371A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310710717.0
申请日：2013-12-20
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明公开了一种测量电光相位调制器半波电压的装置和方法，包括依次连接的可调谐激光器、第一光耦合器、偏振控制器、待测电光相位调制器、第二光耦合器、光电探测器、频谱分析仪，还包括微波信号源和声光移频器。本发明采用可调谐激光器输出光载波通过第一光耦合器分成两束，分别经过声光移频器和待测电光相位调制器处理，再经第二光耦合器合束，实现稳定的拍频，并通过载波拍频和边带拍频的幅度对比获得电光相位调制器的半波电压，具有分辨率高、精度高、准确性好、结构简单、操作方便的优点。
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公开(公告)号：CN102914423A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210430165.3
申请日：2012-11-01
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种色散光纤凹陷频率测量装置及其方法，属于光电子技术领域。本发明的主旨在于解决了现有技术中传统方法无法准确测量凹陷频率的技术问题，具有抗外界干扰能力强、测量精度高、操作方便的优点。该装置包括：波长可调谐激光器、偏振控制器、电光调制器、微波信号源、第一光纤连接器、待测色散光纤、第二光纤连接器、光电探测器、微波功率计、数据采集与处理系统。
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