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公开(公告)号：CN107123669B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710508421.9
申请日：2017-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的阴极、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、阶梯形的P型区、阳极；P型区通过两次干法刻蚀形成两区刻蚀型JTE；N‑漂移区内部上方设有P型离子注入区，P型离子注入区的注入左边界与P型区的两区刻蚀JTE左边界重合，终端结构末端以P型离子注入环结束，P型离子注入区与P型离子注入环通过一次P型离子注入同时实现；本发明只需要增加一次离子注入工艺即可实现刻蚀注入型终端结构，工艺简单、工艺选择窗口大，有效降低了终端结构对离子注入剂量与钝化层界面电荷的敏感度，提高了终端效率，提高了器件的稳定性与可靠性。
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公开(公告)号：CN106356419B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201611075193.2
申请日：2016-11-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0232
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种含埋氧层结构的光电探测器，可进行可见光到红外光的探测。其中Ge PIN型光电二极管和Si PIN型光电二极管通过含埋氧层的重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；埋氧层与N型硅层形成布拉格反射镜，可以反射0.85μm左右波段的短波光子，加强Si PIN型光电二极管对0.85μm左右波段短波的吸收；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用，加强Ge PIN型光电二极管对长波光子的吸收；而且本发明涉及的光电二极管工作电压较低，易与前置放大器混合集成。
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公开(公告)号：CN107123669A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710508421.9
申请日：2017-06-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的阴极、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、阶梯形的P型区、阳极；P型区通过两次干法刻蚀形成两区刻蚀型JTE；N‑漂移区内部上方设有P型离子注入区，P型离子注入区的注入左边界与P型区的两区刻蚀JTE左边界重合，终端结构末端以P型离子注入环结束，P型离子注入区与P型离子注入环通过一次P型离子注入同时实现；本发明只需要增加一次离子注入工艺即可实现刻蚀注入型终端结构，工艺简单、工艺选择窗口大，有效降低了终端结构对离子注入剂量与钝化层界面电荷的敏感度，提高了终端效率，提高了器件的稳定性与可靠性。
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公开(公告)号：CN105977287B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610587282.9
申请日：2016-07-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/732
摘要： 本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N+衬底、N‑集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一端具有N+发射区，所述N+发射区上表面具有发射极；其特征在于，所述基极与N+发射区之间的P型基区上表面具有AlN层，所述AlN层与基极和N+发射区通过重掺杂层隔离，且重掺杂层还沿N+发射区上表面向远离基极的一侧延伸并与发射极连接。本发明的有益效果为，相比于传统技术，大大降低了工艺的复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，同时提高了SiC BJT器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN106531822B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201611075272.3
申请日：2016-11-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/11
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
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公开(公告)号：CN107063452A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710223480.1
申请日：2017-04-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01J1/44
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
摘要： 一种单光子雪崩光电二极管电容淬灭电路，属于半导体光电技术领域。本发明利用单光子雪崩光电二极管SPAD结电容与第一NMOS管M1的漏极寄生电容、第二NMOS管M2和第一PMOS管M3的栅极寄生电容充当负载电容感应雪崩电流，替代了大电阻的引入，节省了版图面积、提高像素单元填充系数，有效提高探测阵列的探测像素；本发明的电路结构简单，不存在无源器件，仅利用单光子雪崩光电二极管SPAD阳极点处的寄生负载电容感应雪崩电流并进行I‑Q‑V积分转换，将电流转换为电压信号，经反相器处理后输出脉冲信号，此结构一方面可以降低电路瞬态功耗，另一方面可以加快检测速率，缩短淬灭时间，减少流过单光子雪崩光电二极管SPAD的电荷数量，且电路结构简单，有利于大规模阵列集成。
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公开(公告)号：CN105977287A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610587282.9
申请日：2016-07-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0607 , H01L29/1608
摘要： 本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N+衬底、N‑集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一端具有N+发射区，所述N+发射区上表面具有发射极；其特征在于，所述基极与N+发射区之间的P型基区上表面具有AlN层，所述AlN层与基极和N+发射区通过重掺杂层隔离，且重掺杂层还沿N+发射区上表面向远离基极的一侧延伸并与发射极连接。本发明的有益效果为，相比于传统技术，大大降低了工艺的复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，同时提高了SiC BJT器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN106531822A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611075272.3
申请日：2016-11-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/11
CPC分类号： H01L31/1013 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/11
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，特别是一种光电探测器，能完成可见光到红外光波段的探测。将硅光电二极管与锗光电二极管通过重掺杂N型Si层背靠背相连，利用Si PIN型光电二极管和Ge PIN型光电二极管分别对短波和长波有较高响应的特点，实现可见光到红外光波段的探测；其中，钝化层既有钝化器件的作用，又有减少短波反射的作用；第一金属阳极接触同时作为电极和金属镜，起到加电压和反射长波光子的作用；而且，本发明涉及的光电二极管工作电压较低，可在5V及以下的电压工作，易与前置放大器混合集成。
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公开(公告)号：CN106981510B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201710217341.8
申请日：2017-04-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/10 , H01L29/16
摘要： 一种碳化硅双极结型晶体管，属于高功率半导体器件技术领域。包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N+衬底6、N‑集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N+发射区3，另一端具有上表面设置基极2的第一二次外延P+区10，第一二次外延P+区10和N+发射区3之间的P型基区4上层具有第二二次外延P+区9，第一二次外延P+区10、第二二次外延P+区9和N+发射区3之间通过介质层8隔离，介质层8沿N+发射区3上表面向远离基极2的一侧延伸并与发射极1连接，介质层8沿第一二次外延P+区10上表面向远离发射极1的一侧延伸并与基极2连接。本发明降低了工艺复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，提高了SiC BJT器件电流增益。
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公开(公告)号：CN107063453A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710223487.3
申请日：2017-04-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01J1/44
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/446
摘要： 一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路，属于半导体技术领域。当发生雪崩击穿时，大的雪崩电流将会在可变负载晶体管两端产生大压降，当高于定值时，逻辑控制电路侦测到SPAD阳极点A点电压，控制可变负载管关断，给保持电路一个电流脉冲信号；当单光子雪崩光电二极管检测到光子产生雪崩电流时，雪崩电流在可变负载管上产生压降，并将该电压作为逻辑控制电路的输入端电压，输出模块用于检测逻辑控制电路输出结果，并进行整形输出，保持电路用于接收逻辑控制电路输出结果，并产生一定延迟使得电流完全淬灭，复位开关在接收到保持电路发送的复位信号后快速复位。本发明减小了节点寄生电容，淬灭时间短，结构简单，有利于大规模阵列集成。
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