公开(公告)号：CN105977156B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610138270.8

申请日：2016-03-11

申请人： 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

发明人： C.达尔 ,  D.A.楚马科夫

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66272

摘要： 提供了一种用于制造晶体管的方法。该方法包括在半导体衬底上布置堆叠，该堆叠包括牺牲层和绝缘层。绝缘层至少部分地布置在半导体衬底与牺牲层之间。凹槽形成在堆叠内，其中凹槽通过堆叠延伸到半导体衬底使得凹槽至少部分地与半导体衬底的集电极区的表面重叠。集电极区从半导体衬底的主表面延伸到衬底材料中。该方法还包括在集电极区处并且在凹槽中生成基极结构。基极结构接触并且覆盖牺牲层的凹槽内的集电极区。该方法还包括在基极结构处生成发射极结构，其中发射极结构接触并且至少部分地覆盖牺牲层的凹槽内的基极结构。

公开(公告)号：CN107104100B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201710131856.6

申请日：2017-03-07

申请人： 晶焱科技股份有限公司

发明人： 柯明道 ,  吴伟琳 ,  彭政杰 ,  姜信钦

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0259 ,  H01L29/732

摘要： 本发明公开了一种双极性晶体管装置，包含一基板与至少一第一晶体管单元。第一晶体管单元包含一第一掺杂井区、至少一第一鳍式结构与至少一第二鳍式结构，且第一掺杂井区为第一导电型。第一鳍式结构包含一第一闸极带与设于第一掺杂井区中的第一掺杂鳍，且第一闸极带为浮接。第二鳍式结构包含一第二闸极带与设于第一掺杂井区中的第二掺杂鳍，且第二闸极带为浮接。第一掺杂鳍、第二掺杂鳍与第一掺杂井区形成第一双载子接面晶体管，且第一掺杂鳍与第二掺杂鳍分别连接高电压端与低电压端。

公开(公告)号：CN108780806A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019384.3

申请日：2017-03-09

申请人： 通用电气公司

发明人： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  R.甘地

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/732 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 超结（SJ）装置包括一个或多个电荷平衡（CB）层。每个CB层包括具有第一导电型的外延（epi）层和具有第二导电型的多个电荷平衡（CB）区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。

公开(公告)号：CN105633078B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510976838.9

申请日：2015-12-23

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 连延杰 ,  傅达平 ,  吉杨永

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L21/8228

CPC分类号： H01L21/82285 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0826 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/107 ,  H01L29/732

摘要： 提出了一种双极结型半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，双极结型半导体器件包括形成于半导体衬底中的第一掩埋层、形成于该第一掩埋层上的第一外延层和第二外延层、制作于第一外延层和第二外延层中的PNP双极结型晶体管单元、NPN双极结型晶体管单元和第一隔离结构。该第一隔离结构位于PNP双极结型晶体管单元和NPN双极结型晶体管单元之间，并且与所述第一掩埋层连接在一起形成隔离屏障。该隔离屏障不仅将PNP双极结型晶体管单元与NPN双极结型晶体管单元有效地隔离开，而且将它们与半导体衬底有效地隔离，阻止载流子注入衬底以及寄生BJT的形成。

公开(公告)号：CN105474399B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201580001596.X

申请日：2015-01-14

申请人： 三垦电气株式会社

发明人： 鸟居克行

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739

摘要： 具有：第1导电类型的集电区；第2导电类型的场截止区，其配置在集电区之上；第2导电类型的漂移区，其配置在场截止区之上，且杂质浓度低于场截止区；第1导电类型的基区，其配置在漂移区之上；第2导电类型的发射区，其配置在基区之上，场截止区的膜厚方向的杂质浓度梯度与集电区相邻的区域中大于与漂移区相邻的区域。

公开(公告)号：CN104465390B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201310565481.6

申请日：2013-11-14

申请人： 元太科技工业股份有限公司

发明人： 叶佳俊 ,  陈蔚宗 ,  徐振航 ,  辛哲宏

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/732 ,  H01L51/055 ,  H01L51/057 ,  H01L2251/305

摘要： 本发明公开了一种纵向晶体管及其制造方法。制造方法包括：在基板上形成第一图案化导电层；在第一图案化导电层上形成图案化金属氧化物层，图案化金属氧化物层包括第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层；形成半导体层；形成第三图案化导电层。第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层以同一金属氧化物材料形成，且第二图案化导电层的氧浓度与第一图案化绝缘层以及第二图案化绝缘层的氧浓度不同。

公开(公告)号：CN107528304A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710454291.5

申请日：2017-06-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 曹轶群

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H9/04

CPC分类号： H02H9/045 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0761 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/866 ,  H02H9/046 ,  H02H9/005 ,  H02H9/04

摘要： 公开了瞬态电压保护电路、装置和方法。瞬态电压保护电路包括第一输入/输出焊盘、第二输入/输出焊盘、耦合在其之间的触发电路。触发电路包括第一触发元件，其包括第一输入/输出节点、第二输入/输出节点、第三输入/输出节点、耦合到第三输入/输出节点的第一衬底二极管。触发电路还包括耦合在第一输入/输出节点与第二输入/输出节点之间的第一电阻器。触发电路还包括第二触发元件，其包括第四输入/输出节点、第五输入/输出节点、第六输入/输出节点、耦合到第六输入/输出节点的第二衬底二极管，其中第二输入/输出节点耦合到第四输入/输出节点。触发电路还包括耦合在第四输入/输出节点与第五输入/输出节点之间的第二电阻器。

公开(公告)号：CN105097787B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510251633.4

申请日：2015-05-18

申请人： 安世有限公司

发明人： 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 ,  汉斯-马丁·里特

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L29/06

CPC分类号： H05B33/0815 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0288 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/87 ,  H02M7/217

摘要： 一种半导体器件(300a)，包括：具有第一表面(303)的衬底(302)；n型阱(304)，从第一表面(303)延伸到衬底(302)中并被配置为在衬底(302)中形成包围n型阱(304)的耗尽区(306)；绝缘层(340)，在衬底(302)的第一表面(303)上从n型阱(304)延伸，绝缘层(340)被配置为在衬底(302)中形成从与第一表面(303)邻接的n型阱(304)延伸的反型层(342)；其中设置p型浮动沟道挡块(370a)，p型浮动沟道挡块被配置为延伸穿过反型层(342)，以降低n型阱(304)和反型层(342)的至少一部分之间的耦合，并与衬底在所述耗尽区(306)外部的剩余部分(320)电断开。

公开(公告)号：CN104637811B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310567397.8

申请日：2013-11-14

申请人： 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 潘光燃 ,  文燕 ,  王焜 ,  石金成 ,  高振杰

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

摘要： 本发明提供了一种晶体管制造方法和一种晶体管，其中晶体管制造方法包括：在形成有第一氧化层和第一基区的衬底的表面生长第二氧化层，第二氧化层位于第一基区的上方；在第二氧化层上的第一预设区域形成发射区；在第二氧化层上的第二预设区域形成接触孔，其中，第二预设区域与第一预设区域不相交；对接触孔区域的第一基区的表层注入掺杂元素；对衬底进行热处理，以激活掺杂元素形成第二基区。本发明能够将浓基区光刻层和接触孔光刻层巧妙的进行工艺整合，实现了浓基区光刻层和接触孔光刻层两者的自对准关系，解决了浓基区与接触孔的对准偏差问题。

公开(公告)号：CN106952967A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611115520.2

申请日：2016-12-07

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 桑泽和伸 ,  佐久间盛敬 ,  新田博明 ,  関泽充生 ,  远藤刚廣

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/94 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/0821 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66106 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/866 ,  H01L29/94 ,  H01L29/92

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置混装有具有所需的击穿电压的齐纳二极管或减少了电容的电压依赖性的电容器，从而能够实现多样的电路。该半导体装置具备：半导体层；第一导电型的阱，其被配置在半导体层的第一区域内；第一导电型的第一杂质扩散区，其被配置在阱中；第一导电型的第二杂质扩散区，其被配置在半导体层的第二区域内；绝缘膜，其被配置在第二杂质扩散区上；电极，其被配置在绝缘膜上；第二导电型的第三杂质扩散区，其被配置在至少第一杂质扩散区上。