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公开(公告)号：CN115809872A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211655955.1
申请日：2022-12-22
申请人： 电子科技大学 , 四川华西集采电子商务有限公司
摘要： 该发明公开了一种基于区块链的跨域支付身份认证方法，涉及区块链技术，模糊提取技术。本发明通过构建基于区块链技术和模糊提取理论来实现指纹特征和口令的双因子跨域身份认证方案，实现了用户的身份匿名且避免了指纹特征泄露。为了避免单链架构存在的性能差的问题，本发明采用了多链结构。利用区块链智能合约和共识机制，通过不同域节点的相互背书实现了跨域身份认证，以保证跨域身份认证的安全性。本发明可广泛应用于身份认证领域。
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公开(公告)号：CN118137642A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410058921.7
申请日：2024-01-15
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种TEG能量最大化收集电源管理电路，该电路包括TEG能量源、可充电电池VBAT、输入电容CIN、输出电容COUT、电感L、功率开关、核心控制模块、负载RL。为实现TEG能量最大化收集，通过最大功率追踪电路使得TEG能量在最大功率点处进行转换，在可充电电池供电期间，采用双相位切换的方式，设计了两个电感放电回路。若输入电容CIN上的电压到达了最大功率点电压时，电感电流通过第一放电回路放电，即通过TEG回流至电感，同时将TEG的能量转换到负载；反之，通过第二放电回路放电，即通过续流开关回流至电感。相比传统能量收集系统，本发明通过双相位切换的方式，解决了传统能量收集系统在重载时单纯由电池供电而无法收集TEG能量或无法最大化收集TEG能量的问题。
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公开(公告)号：CN117006900A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310824429.1
申请日：2023-07-06
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种电子雷管用可编程高精度抗冲击的桥丝自适应延时电路主要包括可编程高精度抗冲击延时器和桥丝自适应检测延时补偿模块两部分，在可编程高精度抗冲击延时器中采用了新颖的自适应精度控制电路，自动根据预设的时钟信号对电路的精度进行调整，随后根据精度对延时数据及补偿延时数据进行校正，大大提高了延时设置和时延补偿的便利性与灵活性。桥丝自适应检测延时补偿模块采用了新颖的基于桥丝无损检测的电路来对桥丝式点火药头发火时间的不一致进行补偿，仿真结果表明，该电路能够有效地对发火时间不一致的桥丝式点火药头延时时间进行补偿延时，从而实现了高精度延时及延时补偿，增强了微差爆破的效果。
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公开(公告)号：CN107147369A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710196502.X
申请日：2017-03-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03G5/16
摘要： 本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的温度增益均衡器。该均衡器包括了一个电压变换模块和一个衰减模块。所述温度增益均衡器使用NMOS晶体管替代原衰减网络的电阻，利用电压变换模块产生不同的栅极电压控制晶体管。单个均衡器在‑55℃～125℃工作温度下可均衡增益3dB。均衡器驻波良好，面积极小，可在不影响原系统布局的前提下，对系统进行增益均衡。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN107124142A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710173884.4
申请日：2017-03-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种适用于毫米波/亚毫米波功率放大器线性化的可调预失真器。该可调预失真器，利用冷模pHEMT管的非线性，产生失真信号；再通过预失真信号控制电路来调节信号失真程度；而且用并联结构的开关电路来实现预失真器的中心频率可调性，以此拓宽预失真器的带宽；并且冷模pHEMT管和并联结构的开关具有低插入损耗的特点。所以利用预失真信号产生电路和预失真信号控制电路组成的可调预失真器具有插入损耗低，结构简单，集成度高，频带宽的优点；通过仿真可以得出本发明能明显改善功率放大器的三阶交调分量(IMD3)。因此，本发明能集成在毫米波/亚毫米波功率放大器中，并具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN118981231A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410418188.5
申请日：2024-04-08
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路，由跨导运算放大器、第二级放大器、下冲抑制电路和电压输出模块组成。该电路采用米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，能很好的保持电路的稳定性；此外，本发明的LDO提出了一种下冲抑制结构，当输出从轻载向重载突变时，输出电压V0和跨导运算放大器的反馈电压VFB会出现下冲尖峰，下冲尖峰通过环路使得M20栅极电压产生一个向上跳变的电压，使得开关管M20打开，放电通路被导通，功率管MP栅极电压下降，为负载提供电流，输出电压VO恢复正常，该结构能显著减小下冲电压，提高LDO的瞬态响应性能。
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公开(公告)号：CN107147372A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710196501.5
申请日：2017-03-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03H17/00
摘要： 本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。该六位数控衰减器，包括了一个升压模块、一个电压转换模块和六个级联的基本衰减单元。该衰减器主要利用三极管管栅极电压升高的工作特性与其温度升高时的工作特性相反的性质，使施加单元衰减模块加载的栅极电压随温度正相关。其次，利用三级管栅极接地的等效电容与温度正相关的特性减少衰减器的衰减附加相移。本发明显著降低了器件的不良温度特性对数控衰减器工作性能的影响。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105609486A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511000041.1
申请日：2015-12-25
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/66
CPC分类号： H01L23/552 , H01L23/585 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2223/6683
摘要： 本发明公开了一种关于改善毫米波/太赫兹电路器件性能的接地屏蔽结构。该接地屏蔽结构，包括了一个接地屏蔽金属环和一个接地隔离金属条，接地屏蔽金属环把半导体器件的两个端口包围形成一个环状，接地隔离金属条把半导体器件两个端口隔离。该发明有效地降低半导体器件的损耗，提高其截止频率，适用于毫米波/太赫兹的单片电路设计。
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公开(公告)号：CN117748947A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410089791.3
申请日：2024-01-22
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开一种宽输入电压范围高泵浦效率快速启动电荷泵电路，该电路由环形振荡器、差分缓冲电路、正负时钟产生电路、时钟倍增电路和电荷泵主体电路构成。电荷泵主体电路通过反相器结构实现由内部升压得到的高压对PMOS管的栅极进行反向动态控制，能够有效的控制PMOS管通断，有利于减小PMOS晶体管的导通损耗。在PMOS晶体管关断时提高其栅极电压，从而增大其VGS使得PMOS管更有效的关断，达到减小其反向电荷的目的。同时，采用正负时钟产生电路用以对电荷泵中NMOS管在导通和关断时进行动态的衬底偏置，在NMOS晶体管导通时降低其阈值电压有利于减小NMOS晶体管的导通损耗，在NMOS晶体管关断时提高其阈值电压可以更有效的减小其反向电荷。PMOS晶体管衬底通过控制信号进行体偏置实现同样的效果，从而减小了电荷泵的功耗，提升了泵浦效率。
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公开(公告)号：CN117631735A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311683665.2
申请日：2023-12-08
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开一种模拟数字双环LDO电路，采用数字环路和模拟环路双环的形式，将功率管分为模拟功率管和数字功率管，这样在相同功率管尺寸情况下，负载电流更大；另外，由于模拟数字双环LDO的数字功率管负担了一部分电流，模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，使得模拟数字双环LDO的模拟功率管尺寸小于单模拟环路LDO中承担全部负载电流的功率管尺寸，这样模拟功率管栅极寄生电容更小，充放电速度更快，有效改善了电路的瞬态响应，栅极处极点位置更高频，环路容易补偿，同时模拟功率管负载电流变化为总电流的一部分，输出端极点位置变化也较小，环路更易补偿。
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