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公开(公告)号：CN117289112A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311267221.0
申请日：2023-09-27
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/307
摘要： 本发明涉及一种宽范围高灵敏度总剂量辐照检测电路，属于电力电子技术领域。该检测电路包括m×n个检测单元，其中m表示待检测点的数量，n表示待检测点的总剂量辐照累计剂量点的数量，且每个待检测点的总剂量辐照累计剂量点相互独立，以实现对多个检测点的总剂量辐照的连续监测。每个检测单元具有相同的电路结构，包括电压钳位电路、电压比较电路和辐照敏感器件；其中辐照敏感器件用于感应总剂量辐照，电压钳位电路用于实现辐照敏感器件的最劣偏置条件，电压比较电路用于检测辐照敏感器件总剂量辐照的累积剂量大小并输出检测信号。本发明可实现对多个检测点宽范围、连续的总剂量辐照检测，且可实现任意时刻总剂量辐照从产生到消退的全过程检测。
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公开(公告)号：CN117176123A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311267222.5
申请日：2023-09-27
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/687
摘要： 本发明涉及一种实时连续补偿的自适应总剂量效应加固电路，属于电力电子技术领域。该电路包括若干补偿单元，补偿单元的数量等于辐照敏感待补偿点的数量，以实现对多点总剂量辐照的补偿。各补偿单元具有相同的电路结构，包括电压钳位电路、电流镜和辐照敏感补偿MOS管。其中电压钳位电路将辐照敏感补偿MOS管的漏极电压钳位至辐照敏感待补偿点的电压；辐照敏感补偿MOS管的栅极与辐照敏感待补偿点连接，根据总剂量辐照产生相应的补偿电流；电流镜将产生的补偿电流引导至辐照敏感待补偿点，以实现对总剂量辐照的连续补偿。电压钳位电路和电流镜均对总剂量辐照不敏感。本发明可实现对于多个待补偿点实时连续的总剂量效应补偿。
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公开(公告)号：CN116301160A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310300519.0
申请日：2023-03-24
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及一种无片外电容快速响应LDO电路，属于集成电路技术领域。该电路包括高增益Class AB OTA模块、电容倍增电路模块和电压输出模块；其中电压输出模块分别与高增益Class AB OTA模块的输出端以及电容倍增电路模块的输出端连接。高增益Class AB OTA模块用于对电压输出模块进行充放电，在较低功耗下产生较大的电流，提高电路瞬态响应能力；电容倍增电路模块用于减小环路补偿所需要用到的电容面积，实现更快的瞬态响应。本发明提高了电路的瞬态响应能力，减小了电容面积，易于集成化。
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公开(公告)号：CN115047935B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202210584208.7
申请日：2022-05-27
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 一种高压低功耗的E/D基准电路，它由启动偏置电路模块、E/D基准核心电路和修调电路模块三部分组成。启动偏置电路模块用于在电源电压建立时使E/D基准电路脱离错误的简并点，同时为基准核心电路中的共栅管提供电压偏置，保证基准的正常建立；E/D基准核心电路利用增强型NMOS管和耗尽型NMOS管的不同阈值电压产生与温度、电源电压无关的基准电压，具有较低的静态电流和良好的温度系数，且电路中使用了较多高压功率管，结合Cascode结构的电流偏置保证了基准能够在数十伏的高压输入下工作；由于在不同的工艺角下阈值电压的变化较大，因此该E/D基准包含了一个N‑bit的修调电路模块，保证了该基准电压在不同的工艺角下均具有良好的温度系数。
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公开(公告)号：CN114337619B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210034300.6
申请日：2022-01-12
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明为一消除误翻转的反流比较器，属于集成电路技术领域。包括提前翻转点设置模块、电流过零比较模块、逻辑模块。提前翻转点设置模块在电源建立时为电流过零比较模块提供偏置电压。电流过零比较模块，利用偏置对管的失调电压，使输入共栅管的源端电压输入SW与地电平存在一定的失调时，输出提前翻转，以此补偿系统的响应延时；加入使能管来消除输出的误翻转现象。逻辑模块，通过逻辑门组合，产生提前翻转点设置模块和电流过零比较模块的使能控制信号以及反流比较器的输出信号。本发明提出了一种基于较小偏置电流的消除误翻转的反流比较器，简单结构，解决了现有反流比较器在较小偏置电流下，输出响应较慢且易有误翻转出现的问题。
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公开(公告)号：CN107390772B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710773734.7
申请日：2017-08-31
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种高电源电压低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：高电源电压低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、JFET耐压管一、JFET耐压管二、NMOS管、NPN管一、NPN管二、二极管、电容、电阻一、电阻二、电阻三及电阻四。本发明的有益效果是，避免使用误差放大器，电路结构简单，功耗较小，由于使用了JFET耐压管一及JFET耐压管二，从而可以在高电源电压下工作，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN107450653A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710771529.7
申请日：2017-08-31
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题，提供了一种电压前馈电流产生电路，其技术方案可概括为：电压前馈电流产生电路，包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是，电路结构简单，且功耗较小，节约版图面积，合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题，适用于电压前馈电流产生电路。
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公开(公告)号：CN107402594A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710773696.5
申请日：2017-08-31
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题，提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，其技术方案可概括为：实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器，包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是，其避免使用误差放大器及带隙基准源，电路结构简单，功耗较小，能够实现高压电源的变换，适用于低压差线性稳压器。
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公开(公告)号：CN114204805B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210022643.0
申请日：2022-01-10
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种用于高压Buck变换器的电源轨电路。本发明提出用于高压Buck变换器的电源轨电路，通过简单的辅助启动电路，省去预降压模块，在简化电路结构的同时降低功耗，实现了电源轨低功耗的功能。整个Buck变换器实现低至μA级输入电流源启动，在整个待机过程处于低功耗状态。用运放箝位的浮动轨LDO，相较于二极管连接形式的箝位而言，输出VOUT信号受工艺影响较小。整个电源轨电路不使用集成稳压管，电源轨电路输出在全工艺角下变化小，稳定性高。
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公开(公告)号：CN114204805A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210022643.0
申请日：2022-01-10
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种用于高压Buck变换器的电源轨电路。本发明提出用于高压Buck变换器的电源轨电路，通过简单的辅助启动电路，省去预降压模块，在简化电路结构的同时降低功耗，实现了电源轨低功耗的功能。整个Buck变换器实现低至μA级输入电流源启动，在整个待机过程处于低功耗状态。用运放箝位的浮动轨LDO，相较于二极管连接形式的箝位而言，输出VOUT信号受工艺影响较小。整个电源轨电路不使用集成稳压管，电源轨电路输出在全工艺角下变化小，稳定性高。
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