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公开(公告)号：CN112745115B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110031492.0
申请日：2021-01-11
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , G01R33/02
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。
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公开(公告)号：CN112745115A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110031492.0
申请日：2021-01-11
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , G01R33/02
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。
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公开(公告)号：CN113292338A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110622929.8
申请日：2021-06-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。
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公开(公告)号：CN110911789A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911124531.0
申请日：2019-11-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明设计属于微波射频技术领域，具体是一种基片集成波导带通滤波器，附有金属夹层。本发明采用八分之一基片集成波导结构，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小。同时，通过在基片集成波导结构的上下金属层间添加直角梯形的金属夹层，克服了基片集成波导结构不能产生水平极化电磁波这一缺点，为沿垂直于电壁的纵向电流提供路径，其信号的选择性更好，损耗更低。
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公开(公告)号：CN114824813A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210456980.0
申请日：2022-04-27
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01Q15/00
摘要： 本发明属于太赫兹成像元件设计领域，具体是一种可用于太赫兹近场成像的双频巨手性全硅结构。本发明采用琼斯矩阵法和各向异性结构组合的方式，通过破坏整体结构的镜像对称性和n级旋转对称性(n>2)，在两个不同的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，在太赫兹和手性超表面的研究基础上将二者结合，设计了一对双频巨手性结构。在1.09THz和1.65THz的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，并且两个频率下的最大圆二色性均高达0.34，其覆盖带宽分别为85.5GHz和41.4GHz。本发明有效解决了现有手性介质超表面多频段工作由于多个结构间存在寄生效应和耦合效应的问题，提供了一种新的设计思路。
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公开(公告)号：CN113292338B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110622929.8
申请日：2021-06-04
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。
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公开(公告)号：CN117894499A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410074941.3
申请日：2024-01-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种可低温共烧的非钌系内埋置电阻浆料及其制备方法。本发明以非钌系的La0.5Sr0.5Co0.96Ni0.04O3或La0.5Sr0.5Co0.94Nb0.06O3陶瓷作为导电相，既降低了材料成本，还避免了传统金属材料高温易氧化的缺点；结合与导电相化学兼容适配的Bi2O3‑B2O3‑SiO2‑ZnO和Li2O‑Bi2O3‑B2O3‑SiO2+TiO2作为无机黏结相，再辅以有机载体构成非钌系电阻浆料。采用该电阻浆料制备的内埋置电阻，与多层介电陶瓷生瓷带(介电常数≤8)能在925℃下的匹配共烧，烧结后匹配性较好，无明显的翘曲和分层发生具有良好的工艺适应性，可通过LTCC技术实现电阻在多层陶瓷电路基板的内埋置集成。本发明具有低成本和高性能的特点，为实现电阻元件在多层陶瓷基板的内埋置集成提供了基础。
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公开(公告)号：CN115947600B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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公开(公告)号：CN110911789B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201911124531.0
申请日：2019-11-18
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P1/208
摘要： 本发明设计属于微波射频技术领域，具体是一种基片集成波导带通滤波器，附有金属夹层。本发明采用八分之一基片集成波导结构，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小。同时，通过在基片集成波导结构的上下金属层间添加直角梯形的金属夹层，克服了基片集成波导结构不能产生水平极化电磁波这一缺点，为沿垂直于电壁的纵向电流提供路径，其信号的选择性更好，损耗更低。
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公开(公告)号：CN110724960A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911043813.8
申请日：2019-10-30
申请人： 电子科技大学 , 东莞成启瓷创新材料有限公司
摘要： 本发明属于铁基材除锈酸洗/微蚀处理领域，具体提供一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用。本发明采用罗丹明衍生物(罗丹明B化合物、罗丹明6G化合物)作为缓蚀剂，应用于铁基材酸洗液中，酸洗液中酸液为硫酸或盐酸的一种或两种的组合，配制得具有缓蚀效果的铁基材酸洗液；该酸洗液中作为缓蚀剂的罗丹明衍生物用量少，且缓蚀效率高、可达到80-99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，由于罗丹明衍生物作为荧光探针的一种，具有特殊的内酰胺结构和优良的荧光性能，成为了理想的荧光探针母体，使得本发明适合酸液中铁基体材料的保护的同时便于探测电子电器封装表面微纳米级缺陷或酸液输送管道的泄漏微孔检测。
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