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公开(公告)号：CN112745115B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110031492.0
申请日：2021-01-11
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , G01R33/02
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。
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公开(公告)号：CN112745115A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110031492.0
申请日：2021-01-11
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , G01R33/02
摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。
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公开(公告)号：CN111673930A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010411040.0
申请日：2020-05-15
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： B28D5/00 , C10M169/04 , C10N30/12
摘要： 本发明属于电子材料及元器件领域，具体提供一种电子材料切割冷加工固定冷凝液及装置，用以解决目前切割加工用的抽真空吸附固定方法难以满足被切割产品尺寸的多样化的问题。本发明提供的固定冷凝液的凝固温度为14～19℃，凝固后匹配辅助防滑块能够对电子材料件具有良好的固定和减震效果，使得能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求；同时，与之匹配的加工装置，采用自来水经刀头冷却装置降温处理后对运行的切刀进行控温处理，1～8℃摄氏度的切刀冷却水能够有效避免凝固层温度上升而融化导致固定不稳定的问题；综上，本发明能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求的同时，不仅提高了加工效率，该更好地保障了加工质量，大大的降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN111673930B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010411040.0
申请日：2020-05-15
申请人： 电子科技大学 , 绵阳北斗电子有限公司
IPC分类号： B28D5/00 , C10M169/04 , C10N30/12
摘要： 本发明属于电子材料及元器件领域，具体提供一种电子材料切割冷加工固定冷凝液及装置，用以解决目前切割加工用的抽真空吸附固定方法难以满足被切割产品尺寸的多样化的问题。本发明提供的固定冷凝液的凝固温度为14～19℃，凝固后匹配辅助防滑块能够对电子材料件具有良好的固定和减震效果，使得能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求；同时，与之匹配的加工装置，采用自来水经刀头冷却装置降温处理后对运行的切刀进行控温处理，1～8℃摄氏度的切刀冷却水能够有效避免凝固层温度上升而融化导致固定不稳定的问题；综上，本发明能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求的同时，不仅提高了加工效率，该更好地保障了加工质量，大大的降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN103395307B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310322790.0
申请日：2013-07-29
申请人： 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括：在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。本发明在采用传统丝网印刷工艺制作元器件内电极的基础上，利用负性感光导电金属浆料对特定波长光的敏感性，再通过曝光显影的方式，将目标内电极图形精细地刻画出来，以达到小尺寸电子元器件内部电极图形设计的要求，够制备出线宽精度更高的内电极，适用于英制0201、01005或更小尺寸元件内电极的制备。
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公开(公告)号：CN103414447A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310355803.4
申请日：2013-08-15
申请人： 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H03H7/12
摘要： 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。
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公开(公告)号：CN102847649A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210364656.2
申请日：2012-09-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种为片式电子元器件表面涂覆保护材料的装置，属于片式电子元器件生产设备。通过直行振动导轨将电子元器件在长度方向密排，用喷涂的方式将元件表面保护浆料涂敷至元件的相邻两个表面上，烘干之后再进行180度翻转，喷涂元件另外两个表面，再烘干出料的全自动涂敷方式，其优点在于可以自动进料，采用高精度的喷枪在元件表面形成一层均匀致密的保护涂敷层，省却了传统方式在涂敷之前需要用有机材料保护元件端头的工艺，提高了生产效率，缩短了元件制造周期且降低了成本。
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公开(公告)号：CN103414447B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310355803.4
申请日：2013-08-15
申请人： 电子科技大学 , 东莞成电华瓷电子科技有限公司 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H03H7/12
摘要： 本发明公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的LTCC陶瓷基板、金属外壳器件和金属外壳，在LTCC陶瓷基板的表面设有源元件，所述有源元件包括两支PIN二极管，二极管正极通过微带线并联在90O相位转移的主传输线的两端，负极通过金属过孔接地，LTCC陶瓷基板内嵌带通滤波器。本发明低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器采用基于LTCC工艺的多层陶瓷基板进行layout封装，从电路结构模型和封装工艺上进行创新设计，极大程度上达到了小型化的设计目的，同时让滤波器具备了传统器件没有保护电路的限幅功能，本发明可以在微波接收系统中广泛使用。
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公开(公告)号：CN104829239B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
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公开(公告)号：CN104829239A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510140967.4
申请日：2015-03-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供一种LTCC功率电感器件基体与陶瓷介质材料匹配共烧方法，由低温烧结NiCuZn铁氧体材料和陶瓷硅酸盐材料通过LTCC湿法流延工艺进行匹配共烧；本发明应用LTCC工艺实现NiCuZn铁氧体与硅酸盐介质匹配，其中将硅酸盐作为非磁性气隙层来调节整个共烧体的磁性能和器件的电性能，得到一种能够在低温900℃烧结、无分层开裂、无翘曲变形且结合良好的叠层共烧体；并且以该共烧体为基体材料制作的叠层功率电感的直流特性相较于无介质气隙的电感有更好的直流特性。
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