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公开(公告)号：CN104746181A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510092416.5
申请日：2011-09-29
申请人： 电气化学工业株式会社
CPC分类号： D01F9/1278 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15
摘要： 本发明提供可以减少品质偏差且高效率地制造高导电性的碳纳米纤维的制造方法。还提供分散性和导电性赋予能力优异的碳复合物及其制造方法。本发明涉及使用电石炉气作为原料并使催化剂与原料接触的碳纳米纤维的制造方法；还涉及特征为具有炭黑颗粒或聚集颗粒作为核，且炭黑与碳纳米纤维连结而成的炭黑/碳纳米纤维碳复合物；以及涉及将碳纳米纤维生成用催化剂担载在炭黑上并使其与电石炉气接触的碳复合物的制造方法。
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公开(公告)号：CN103180497B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180050711.4
申请日：2011-09-29
申请人： 电气化学工业株式会社
CPC分类号： D01F9/1278 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15
摘要： 本发明提供可以减少品质偏差且高效率地制造高导电性的碳纳米纤维的制造方法。还提供分散性和导电性赋予能力优异的碳复合物及其制造方法。本发明涉及使用电石炉气作为原料并使催化剂与原料接触的碳纳米纤维的制造方法；还涉及特征为具有炭黑颗粒或聚集颗粒作为核，且炭黑与碳纳米纤维连结而成的炭黑/碳纳米纤维碳复合物；以及涉及将碳纳米纤维生成用催化剂担载在炭黑上并使其与电石炉气接触的碳复合物的制造方法。
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公开(公告)号：CN102933520B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180028274.6
申请日：2011-05-24
申请人： 电气化学工业株式会社
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： H01B3/025 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3205 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/386 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/9607 , H01B19/00 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , Y10T428/268 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板，具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，在本发明的电路基板用氮化铝基板中，不含枝状晶界相，且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外，本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法，具备下述工序：将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C，然后，利用非氧化性气体，在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持，然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。
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公开(公告)号：CN103180497A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180050711.4
申请日：2011-09-29
申请人： 电气化学工业株式会社
CPC分类号： D01F9/1278 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15
摘要： 本发明提供可以减少品质偏差且高效率地制造高导电性的碳纳米纤维的制造方法。还提供分散性和导电性赋予能力优异的碳复合物及其制造方法。本发明涉及使用电石炉气作为原料并使催化剂与原料接触的碳纳米纤维的制造方法；还涉及特征为具有炭黑颗粒或聚集颗粒作为核，且炭黑与碳纳米纤维连结而成的炭黑/碳纳米纤维碳复合物；以及涉及将碳纳米纤维生成用催化剂担载在炭黑上并使其与电石炉气接触的碳复合物的制造方法。
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公开(公告)号：CN102933520A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028274.6
申请日：2011-05-24
申请人： 电气化学工业株式会社
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： H01B3/025 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3205 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/386 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/9607 , H01B19/00 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , Y10T428/268 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板，具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，在本发明的电路基板用氮化铝基板中，不含枝状晶界相，且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外，本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法，具备下述工序：将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C，然后，利用非氧化性气体，在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持，然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。
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