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公开(公告)号:CN107840664A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201710846104.8
申请日:2017-09-19
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: C04B35/599 , C04B35/622
CPC分类号: C04B35/597 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/345 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/55 , C04B2237/704 , H03H9/02543 , H03H9/02574 , H03H9/145 , C04B35/622 , C04B2235/77
摘要: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0<z≤4.2)表示,开口气孔率为0.1%以下,相对密度为99.9%以上,且X射线衍射图中,硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号:CN102344284B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201110164946.8
申请日:2011-05-10
申请人: 信越化学工业株式会社
IPC分类号: C04B35/44 , C04B35/01 , C04B35/622 , G02F1/35 , F21V9/10
CPC分类号: C04B35/44 , C04B35/01 , C04B35/62685 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3463 , C04B2235/5445 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/87 , C04B2235/963 , C09K11/7774 , H01L33/502
摘要: 本发明涉及波长转换元件,发光装置,及制造波长转换元件的方法,特别涉及一种包含(A)石榴石相和(B)钙钛矿、单斜或硅酸盐相的多晶烧结陶瓷,其中相(B)的细晶粒包含并分散在相(A)中,该多晶烧结陶瓷用作波长转换元件。由于透过波长转换元件的光在石榴石相和钙钛矿、单斜或硅酸盐相之间的界面处散射,所以包含该波长转换元件的发光装置产生颜色更为均匀且损失最小的光。
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公开(公告)号:CN104136396A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201280070562.2
申请日:2012-12-20
申请人: 法商圣高拜欧洲实验及研究中心
IPC分类号: C04B35/488 , H04M15/02
CPC分类号: C04B35/4885 , C04B33/04 , C04B35/111 , C04B35/16 , C04B35/18 , C04B35/195 , C04B35/44 , C04B35/488 , C04B35/597 , C04B35/63488 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3246 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3445 , C04B2235/3463 , C04B2235/3481 , C04B2235/349 , C04B2235/36 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5296 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/763 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , H04B1/3888 , H04M1/185
摘要: 本发明涉及一种利用频率在800MHz至3GHz的无线电波的通信装置,所述通信装置包括至少部分地暴露在所述通信装置的外部环境中的陶瓷外壳,在所述装置使用期间所述无线电波的至少一部分穿过所述外壳,所述外壳至少部分地由具有以下化学组成的烧结产品组成,诸如,以重量百分比且总量为100%计:32%≤ZrO2≤95%,1%
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公开(公告)号:CN1617946A
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN02827735.X
申请日:2002-11-29
申请人: 三菱麻铁里亚尔株式会社
CPC分类号: C04B35/6261 , C04B35/053 , C04B35/62625 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/722 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C23C14/081 , C30B29/16
摘要: MgO蒸镀材料,其中含有MgO纯度在99.0%或以上而且相对密度在90.0%或以上、硫S含量为0.01~50ppm、氯Cl含量为0.01~50ppm、氮N含量为0.01~200ppm、磷P含量为0.01~30ppm的多晶颗粒。在使用电子束蒸镀法将该材料蒸镀时,几乎不会发生喷溅,而且可以提高形成的MgO膜的膜特性。
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公开(公告)号:CN1153749C
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN99105242.0
申请日:1999-04-22
申请人: 欧洲耐火材料公司
发明人: J·M·L·圭戈尼斯 , E·T·G·乔治 , C·N·麦克盖芮
IPC分类号: C04B35/482 , C04B35/645 , C03B5/43
CPC分类号: C04B35/481 , C03B5/43 , C04B35/482 , C04B35/62204 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3246 , C04B2235/3248 , C04B2235/3418 , C04B2235/5427 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/87 , C04B2235/95 , C04B2235/9669
摘要: 本发明涉及新烧结材料,其特征在于从含5至40%锆石的原料制造该材料,其化学分析结果%(重量)为ZrO2+HfO2:82-96,SiO2:1.7-14,TiO2:0.2-3,Y2O3:0.4-5,Al2O3:0.2-2.5,其它<1。
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公开(公告)号:CN1236756A
公开(公告)日:1999-12-01
申请号:CN99105242.0
申请日:1999-04-22
申请人: 欧洲耐火材料公司
发明人: J·M·L·圭戈尼斯 , E·T·G·乔治 , C·N·麦克盖芮
CPC分类号: C04B35/481 , C03B5/43 , C04B35/482 , C04B35/62204 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3246 , C04B2235/3248 , C04B2235/3418 , C04B2235/5427 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/87 , C04B2235/95 , C04B2235/9669
摘要: 本发明涉及新烧结材料,其特征在于从含5至40%锆石的原料制造该材料,其化学分析结果%(重量)为ZrO2+HfO2:82—96,SiO2:1.7—14,TiO2:0.2—3,Y2O3:0.4—5,Al2O3:0.2—2.5,其它,
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公开(公告)号:CN102933520B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201180028274.6
申请日:2011-05-24
申请人: 电气化学工业株式会社
IPC分类号: C04B35/581
CPC分类号: H01B3/025 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3205 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/386 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/9607 , H01B19/00 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , Y10T428/268 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板,具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒,热导率为170W/m·K以上,在本发明的电路基板用氮化铝基板中,不含枝状晶界相,且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外,本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法,具备下述工序:将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C,然后,利用非氧化性气体,在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持,然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。
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公开(公告)号:CN101730672A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200880013764.7
申请日:2008-04-25
申请人: 陶瓷技术股份公司
IPC分类号: C04B35/119
CPC分类号: C04B35/119 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/612 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/87 , C04B2235/96
摘要: 坚硬、耐老化性、对水的润湿性和高导热性是氧化铝烧结成型体的公知特性;高强度和高断裂韧性,也就是损伤容限,是氧化锆烧结成型体的公知特性。为了获得集所有这些特性为一体的陶瓷材料,根据本发明提供了一种材料,该材料由高含量的氧化铝以及氧化锆和任选地由铝酸锶组成。
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公开(公告)号:CN100567211C
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200610143208.4
申请日:2006-10-30
申请人: 山特维克知识产权股份有限公司
发明人: 利夫·达尔
IPC分类号: C04B35/583 , C04B35/58
CPC分类号: C04B35/58021 , C04B35/58071 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/3813 , C04B2235/3843 , C04B2235/3847 , C04B2235/3856 , C04B2235/386 , C04B2235/3886 , C04B2235/402 , C04B2235/725 , C04B2235/783 , C04B2235/87
摘要: 公开了一种用于加工例如硬化钢、热加工和冷加工工具钢、模具钢、表面硬化钢、高速钢以及可锻灰口铸铁的切削工具刀片,其由包括cBN-相和含有碳氮化钛相和TiB2相的结合相的复合材料制得。通过CuKa-辐射线检测到的复合材料的XRD图谱能够看到,最强(101)TiB2峰和最强cBN(111)峰的峰高比值小于0.06,XRD图谱中的碳氮化钛相的(220)峰同TiC(PDF32-1383)和TiN(PDF38-1420)的PDF-线的垂直线相交,而且其最低相交点的高度至少为陶瓷结合相的最大(220)峰高的0.15。该刀片由粉末冶金方法经研磨、压制和烧结制得,该烧结在最低的可能温度下进行,以在最短的可能时间内获得密集结构。
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公开(公告)号:CN102224119B
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN200980147310.3
申请日:2009-12-11
申请人: 株式会社村田制作所
CPC分类号: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
摘要: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分,按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制,并且,用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分,且,在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时,上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05~0.20(优选0.125~0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此,能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷,同时保持希望的PTC特性,并具有良好的可靠性。
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