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公开(公告)号：CN1318208A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN00801247.4
申请日：2000-06-27
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/786
摘要： 横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件包括半导体衬底，在衬底上的埋层绝缘层，以及埋层绝缘层之上的SOI层中的晶体管，形成在与第一导电类型相反的第二导电类型的体区内并具有第一导电类型的源区。设置与体区邻接的第一导电类型的横向漂移区，以及设置有通过漂移区与体区横向分开的第一导电类型的漏区。栅电极设置在部分体区之上，操作期间在体区中形成沟道区，并且栅电极延伸超过与体区邻接的部分漂移区，至少通过绝缘区使体区和漂移区基本绝缘。为了提高击穿特性，介电层是设置至少在部分绝缘区和栅电极之上，以及场板电极是设置至少在部分介电层之上，介电层是直接与绝缘区接触，通过场板电极与横向晶体管器件的电极相连。
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公开(公告)号：CN1298522A
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN99805318.X
申请日：1999-12-15
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： G06F17/30
CPC分类号： H04N21/812 , G06F17/30787 , G06F17/30796 , G06F17/30828 , G06F17/30843 , H04N7/163 , H04N21/4532 , H04N21/454 , H04N21/458
摘要： 介绍了一种视频获取系统,允许用户快速、简便地从视频流中选取和收看感兴趣的报道。视频获取系统对报道进行分类,并发送选中地符合每一用户当前偏好的报道的样本。用户的偏好可能包括特定的广播网、人物、报道主题、关键字,等等。选中报道的关键帧被依次显示;当用户看到感兴趣的帧,用户选择与该关键帧相关的报道以查看更详细的信息。本发明特别适用于目标新闻检索。在优选实施方案中,新闻报道被存储下来,基于相关关键帧选中一新闻报道要求详细查看,就会回放选中的新闻报道。本发明的原理还允许用户实现其它类型广播的有指导的搜索。例如,用户可以启动自动扫描,为用户展示符合用户当前偏好的广播样本,类似于有指导的频道冲浪。
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公开(公告)号：CN1116649C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN99805318.X
申请日：1999-12-15
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： G06F17/30
CPC分类号： H04N21/812 , G06F17/30787 , G06F17/30796 , G06F17/30828 , G06F17/30843 , H04N7/163 , H04N21/4532 , H04N21/454 , H04N21/458
摘要： 介绍了一种视频获取系统，允许用户快速、简便地从视频流中选取和收看感兴趣的报道。视频获取系统对报道进行分类，并发送选中地符合每一用户当前偏好的报道的样本。用户的偏好可能包括特定的广播网、人物、报道主题、关键字，等等。选中报道的关键帧被依次显示；当用户看到感兴趣的帧，用户选择与该关键帧相关的报道以查看更详细的信息。本发明特别适用于目标新闻检索。在优选实施方案中，新闻报道被存储下来，基于相关关键帧选中一新闻报道要求详细查看，就会回放选中的新闻报道。本发明的原理还允许用户实现其它类型广播的有指导的搜索。例如，用户可以启动自动扫描，为用户展示符合用户当前偏好的广播样本，类似于有指导的频道冲浪。
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公开(公告)号：CN1223006C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN00801827.8
申请日：2000-08-07
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786
摘要： 一种横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件，包含半导体基片、在所述基片上的埋入绝缘层以及在所述埋入绝缘层上的SOI层中的横向PMOS晶体管器件，该晶体管器件具有：形成在n型导电的体区域中的p型导电源区域；邻近所述体区域的n型导电的横向漂移区；p型导电并且通过所述横向漂移区在横向上与所述体区域隔开的的漏极区域；以及在一部分所述体区域上方的门电极，其中沟道区在工作期间形成并且在靠近所述体区域的所述横向漂移区的一部分的上方延伸，所述门电极通过绝缘区域与所述体区域和漂移区绝缘。为了简单地经济地制造PMOS晶体管器件，所述横向漂移区在至少其横向范围的大部分上方设有线性分级电荷分布，并且表面邻接p型导电漏极延伸区域设在所述漂移区中并且从所述漏极区域延伸到源区域附近，但是没有直接与所述源区域接触。
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公开(公告)号：CN1175496C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00801247.4
申请日：2000-06-27
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/786
摘要： 横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件包括半导体衬底，在衬底上的埋层绝缘层，以及埋层绝缘层之上的SOI层中的晶体管，形成在与第一导电类型相反的第二导电类型的体区内并具有第一导电类型的源区。设置与体区邻接的第一导电类型的横向漂移区，以及设置有通过漂移区与体区横向分开的第一导电类型的漏区。栅电极设置在部分体区之上，操作期间在体区中形成沟道区，并且栅电极延伸超过与体区邻接的部分漂移区，至少通过绝缘区使体区和漂移区基本绝缘。为了提高击穿特性，介电层是设置至少在部分绝缘区和栅电极之上，以及场板电极是设置至少在部分介电层之上，介电层是直接与绝缘区接触，通过场板电极与横向晶体管器件的电极相连。
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公开(公告)号：CN1321340A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801827.8
申请日：2000-08-07
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786
摘要： 一种横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件,包含半导体基片、在所述基片上的埋入绝缘层以及在所述埋入绝缘层上的SOI层中的横向PMOS晶体管器件,该晶体管器件具有:形成在n型导电的体区域中的p型导电源区域;邻近所述体区域的n型导电的横向漂移区;p型导电并且通过所述横向漂移区在横向上与所述体区域隔开的的漏极区域;以及在一部分所述体区域上方的门电极,其中沟道区在工作期间形成并且在靠近所述体区域的所述横向漂移区的一部分的上方延伸,所述门电极通过绝缘区域与所述体区域和漂移区绝缘。为了简单地经济地制造PMOS晶体管器件,所述横向漂移区在至少其横向范围的大部分上方设有线性分级电荷分布,并且表面邻接p型导电漏极延伸区域设在所述漂移区中并且从所述漏极区域延伸到源区域附近,但是没有直接与所述源区域接触。
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