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公开(公告)号：CN1726582A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200380106412.3
申请日：2003-12-15
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/41783 , H01L21/26586 , H01L21/28097 , H01L21/28518 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L29/1045 , H01L29/4975 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , Y10T307/74
摘要： 本发明涉及一种具有场效应晶体管的半导体器件(10)的制造方法，在该方法中，提供半导体材料的半导体主体(1)，在其表面具有源区(2)和漏区(3)以及源区(2)和漏区(3)之间的栅区(4)，其中栅区栅电介质(5)与半导体主体(1)表面分离的另一半导体材料的半导体区(4A)，并且具有用于形成源和漏区(2，3)的邻近栅区(4)的隔离物(6)，在该方法中，给源区(2)和漏区(3)提供了用于形成金属和半导体材料化合物(8)的金属层(7)，并且给栅区(4)提供了用于形成金属和另一半导体材料化合物(8)的金属层(7)。不同的金属层被用于硅化源和漏区和栅区(2，3，4)的已知方法有若干缺点。依据本发明方法的特征在于，在形成隔离物(6)之前，关于半导体区(4A)可选择性蚀刻的材料的牺牲区(4B)在半导体区(4A)的顶部上被沉积，并且在形成隔离物(6)之后，通过蚀刻去除牺牲层(4B)，而在牺牲层(4B)去除之后，沉积单一金属层(7)与源、漏以及栅区(2，3，4)接触。该方法一方面非常简单，这是由于它仅需单个金属层和少量的直接向前的步骤并且和现有的(硅)技术相兼容，而在另一方面它产生在完全硅化的栅(4)中没有耗尽层效应的(MOS)FET。
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公开(公告)号：CN100390939C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200380106412.3
申请日：2003-12-15
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/285
CPC分类号： H01L29/41783 , H01L21/26586 , H01L21/28097 , H01L21/28518 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L29/1045 , H01L29/4975 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , Y10T307/74
摘要： 本发明涉及一种具有场效应晶体管的半导体器件(10)的制造方法，在该方法中，提供半导体材料的半导体主体(1)，在其表面具有源区(2)和漏区(3)以及源区(2)和漏区(3)之间的栅区(4)，其中栅区栅电介质(5)与半导体主体(1)表面分离的另一半导体材料的半导体区(4A)，并且具有用于形成源和漏区(2，3)的邻近栅区(4)的隔离物(6)，在该方法中，给源区(2)和漏区(3)提供了用于形成金属和半导体材料化合物(8)的金属层(7)，并且给栅区(4)提供了用于形成金属和另一半导体材料化合物(8)的金属层(7)。不同的金属层被用于硅化源和漏区和栅区(2，3，4)的已知方法有若干缺点。依据本发明方法的特征在于，在形成隔离物(6)之前，关于半导体区(4A)可选择性蚀刻的材料的牺牲区(4B)在半导体区(4A)的顶部上被沉积，并且在形成隔离物(6)之后，通过蚀刻去除牺牲层(4B)，而在牺牲层(4B)去除之后，沉积单一金属层(7)与源、漏以及栅区(2，3，4)接触。该方法一方面非常简单，这是由于它仅需单个金属层和少量的直接向前的步骤并且和现有的(硅)技术相兼容，而在另一方面它产生在完全硅化的栅(4)中没有耗尽层效应的(MOS)FET。
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