公开(公告)号：CN103081064B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180042743.X

申请日：2011-08-30

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  张吉淳

IPC分类号： H01L21/24 ,  C23C14/16 ,  C01B33/06

CPC分类号： H01L21/02697 ,  C01B33/06 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

摘要： 本发明提供了一种包含金属硅化物层的半导体器件制备方法。本发明一个实施例的半导体器件的制备方法包括以下步骤：在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；相对于绝缘层，在露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；在形成有硅晶种层的基底上形成金属层；以及通过对形成有金属层的基底进行热处理，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN104412378A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035182.X

申请日：2013-07-15

申请人： 德州仪器公司

发明人： 汤姆·LLL

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/512 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6656

摘要： 可通过以下操作来形成集成电路(100)：从MOS晶体管栅极(114、132)的侧壁上的偏移间隔件移除源极/漏极间隔件；在所述MOS晶体管栅极的横向表面上形成触点蚀刻止挡层CESL间隔件层；回蚀所述CESL间隔件层以在所述MOS晶体管栅极的所述横向表面上形成具有为所述MOS晶体管栅极的1/4到3/4的高度的倾斜CESL间隔件(156)；在所述倾斜CESL间隔件、所述MOS晶体管栅极及介入衬底上方形成CESL(164)；及在所述CESL上方形成金属前电介质层(172)。

公开(公告)号：CN103632946A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210313464.9

申请日：2012-08-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 邓浩

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842

摘要： 一种全硅化物金属栅的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极的部分侧壁；沉积金属层，所述金属层覆盖第一栅电极的顶面和侧壁、第二栅电极的顶面以及介质层表面；退火处理第一栅电极和第二栅电极，分别形成第一全硅化物金属栅和第二全硅化物金属栅，所述第一全硅化物金属栅的金属含量和第二全硅化物金属栅中金属含量不同。所述全硅化物金属栅的形成方法能够在衬底上一次形成多个具有不同功函数的全硅化物金属栅，工艺步骤简单。

公开(公告)号：CN102024813B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010284460.3

申请日：2010-09-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 许俊豪 ,  林正堂 ,  王湘仪 ,  李文钦 ,  谢孟桂

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842

摘要： 本发明揭示一种半导体装置、互补式金属氧化物半导体装置及集成电路，该半导体装置包括：一第一金属氧化物半导体结构及一第二金属氧化物半导体结构。第一金属氧化物半导体结构，包括：一第一栅极介电层，位于一基底上；一第一功函数金属层，位于第一栅极介电层上；以及一第一硅化物，位于第一功函数金属层上。第二金属氧化物半导体结构，包括：一第二栅极介电层，位于基底上；一第二功函数金属层，位于第二栅极介电层上；以及一第二硅化物，位于第二功函数金属层上。其中，第一硅化物不同于第二硅化物。本发明可实质上排除Al扩散的问题。

公开(公告)号：CN103081064A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042743.X

申请日：2011-08-30

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  禹相浩 ,  赵星吉 ,  张吉淳

IPC分类号： H01L21/24 ,  C23C14/16 ,  C01B33/06

CPC分类号： H01L21/02697 ,  C01B33/06 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

摘要： 本发明提供了一种包含金属硅化物层的半导体器件制备方法。本发明一个实施例的半导体器件的制备方法包括以下步骤：在形成有多晶硅图案的基底上形成绝缘层使得多晶硅图案露出；相对于绝缘层，在露出的多晶硅图案上选择性地形成硅晶种层；在形成有硅晶种层的基底上形成金属层；以及通过对形成有金属层的基底进行热处理，形成金属硅化物层。

公开(公告)号：CN101069282B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200580041421.8

申请日：2005-12-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 方隼飞 ,  小希里尔·卡布莱尔 ,  切斯特·T.·齐奥波科夫斯基 ,  克里斯蒂安·拉沃伊 ,  克莱门特·H.·万

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823835

摘要： 一种只要求一个光刻层次的在CMOS器件中形成双重自对准全硅化栅极的方法，其中，所述方法包含：在半导体衬底(252)中形成具有第一阱区域(253)的第一类型的半导体器件(270)，在第一阱区域(253)中形成第一源极/漏极硅化物区域(266)，和形成与第一源极/漏极硅化物区域(266)隔离的第一类型的栅极(263)；在半导体衬底(252)中形成具有第二阱区域(254)的第二类型的半导体器件(280)，在第二阱区域(254)中形成第二源极/漏极硅化物区域(256)，和形成与第二源极/漏极硅化物区域(256)隔离的第二类型的栅极(258)；在第二类型的半导体器件(280)上选择性地形成第一金属层(218)；只在第二类型的栅极(258)上执行第一全硅化(FUSI)栅极形成；在第一和第二类型的半导体器件(270、280)上淀积第二金属层(275)；和只在第一类型的栅极(263)上执行第二FUSI栅极形成。

公开(公告)号：CN101490823B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200780026534.X

申请日：2007-07-12

申请人： 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

摘要： 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10-11Ωcm2以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101467244B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780021860.1

申请日：2007-03-29

申请人： 先进微装置公司

发明人： P·R·贝瑟

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823871 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835

摘要： 本发明提供了一种低接触电阻CMOS集成电路(50)及其制造方法。该CMOS集成电路(50)包含电性耦合到N型电路区(72，74)的第一过渡金属(102)、以及电性耦合到P型电路区(76，78)的第二过渡金属(98)，该第二过渡金属与该第一过渡金属不同。导电势垒层(104)覆于该第一过渡金属及该第二过渡金属的每一过渡金属上，且栓塞金属(110)覆于该导电势垒层上。

公开(公告)号：CN102270581A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110145381.9

申请日：2011-05-31

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 甯德雄 ,  章贞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/456 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及低电阻接触结构及其形成方法。一种在半导体器件中形成低电阻接触结构的方法，包括：在半导体衬底中形成掺杂的半导体区域；在所述掺杂的半导体区域的上部处形成深能级杂质区域；通过退火激活所述掺杂的半导体区域和所述深能级杂质区域二者中的掺杂剂；以及在所述深能级杂质区域之上形成金属接触以在其之间产生金属-半导体界面。

公开(公告)号：CN102087969A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910241686.2

申请日：2009-12-02

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 周华杰 ,  徐秋霞

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/2822 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/78

摘要： 一种全硅化金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，并进行杂质激活；淀积金属镍Ni；第一次退火，使金属镍和一部分多晶硅反应；选择去除未反应的金属镍Ni；第二次退火，使栅电极全部转变为金属镍硅化物形成全硅化物金属栅电极。利用本发明，制备出了全硅化金属栅电极，克服了多晶硅栅电极存在的问题。